公开(公告)号：CN101622698A

公开(公告)日：2010-01-06

申请号：CN200880006784.1

申请日：2008-02-26

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 石川拓 ,  户部康弘

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/3065 ,  C23C16/511 ,  H05H1/46

CPC classification number: C23C16/511 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/3266

Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置，所公开的等离子体处理装置具备：容纳被处理体的处理容器；产生微波的微波发生部；将在微波发生部产生的微波导向处理容器的波导路；由导体制成的平面天线，该导体具有将导向波导路的微波向处理容器辐射的多个微波辐射孔；由电介质体制成的微波透过板，其构成处理容器的顶壁，将穿过了平面天线的微波辐射孔的微波透过；向处理容器内导入处理气体的处理气体导入机构；磁场形成部，其设于平面天线的上方，在处理容器内形成磁场，利用该磁场来控制由微波在处理容器内生成的处理气体的等离子体特性。

公开(公告)号：CN101622698B

公开(公告)日：2012-08-29

申请号：CN200880006784.1

申请日：2008-02-26

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 石川拓 ,  户部康弘

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/3065 ,  C23C16/511 ,  H05H1/46

CPC classification number: C23C16/511 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/3266

Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置，所公开的等离子体处理装置具备：容纳被处理体的处理容器；产生微波的微波发生部；将在微波发生部产生的微波导向处理容器的波导路；由导体制成的平面天线，该导体具有将导向波导路的微波向处理容器辐射的多个微波辐射孔；由电介质体制成的微波透过板，其构成处理容器的顶壁，将穿过了平面天线的微波辐射孔的微波透过；向处理容器内导入处理气体的处理气体导入机构；磁场形成部，其设于平面天线的上方，在处理容器内形成磁场，利用该磁场来控制由微波在处理容器内生成的处理气体的等离子体特性。

公开(公告)号：CN109300763B

公开(公告)日：2020-10-16

申请号：CN201810824452.X

申请日：2018-07-25

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 户部康弘

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/3065

Abstract: 本发明提供一种基片的温度控制的响应性优越，能够减少冷却装置的耗费电力的基片处理装置。一个方式中的基片处理装置包括腔室主体、载置台、冷却装置和局部回路。载置台设置于腔室主体的内部空间。在载置台内设置有制冷剂流路。冷却装置设置于腔室主体的外侧。冷却装置具有包括压缩机、冷凝器、膨胀阀和蒸发器的冷却回路。局部回路设置于比冷却装置更靠腔室主体的位置。局部回路包括储蓄罐、流速控制器和蒸发压力调整阀。储蓄罐存积从冷却装置供给的制冷剂。在该基片处理装置中，能够使存积于储蓄罐的制冷剂在局部回路内循环。

公开(公告)号：CN101501241A

公开(公告)日：2009-08-05

申请号：CN200780029265.2

申请日：2007-08-08

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 松林信次 ,  茂山和基 ,  户部康弘

IPC: C23C14/56 ,  H01L51/50 ,  C23C14/06 ,  H05B33/10

CPC classification number: C23C14/568 ,  H01L51/56

Abstract: 本发明提供成膜装置、成膜系统和成膜方法。该成膜系统能够避免在有机EL元件等的制造工序中所形成的各层的相互污染、而且所占空间也小、且具有高生产率。成膜装置(13)用于在基板上进行成膜，其中，在处理容器(30)的内部包括用于成膜第1层的第1成膜机构(35)和用于成膜第2层的第2成膜机构(36)。设置用于使处理容器(30)内减压的排气口(31)，并将第1成膜机构(35)配置在相比第2成膜机构(36)更靠近上述排气口(31)的位置上。第1成膜机构(35)例如利用蒸镀在基板上成膜第1层，第2成膜机构(36)例如利用溅射在基板上成膜第2层。

公开(公告)号：CN109300763A

公开(公告)日：2019-02-01

申请号：CN201810824452.X

申请日：2018-07-25

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 户部康弘

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/3065

Abstract: 本发明提供一种基片的温度控制的响应性优越，能够减少冷却装置的耗费电力的基片处理装置。一个方式中的基片处理装置包括腔室主体、载置台、冷却装置和局部回路。载置台设置于腔室主体的内部空间。在载置台内设置有制冷剂流路。冷却装置设置于腔室主体的外侧。冷却装置具有包括压缩机、冷凝器、膨胀阀和蒸发器的冷却回路。局部回路设置于比冷却装置更靠腔室主体的位置。局部回路包括储蓄罐、流速控制器和蒸发压力调整阀。储蓄罐存积从冷却装置供给的制冷剂。在该基片处理装置中，能够使存积于储蓄罐的制冷剂在局部回路内循环。

公开(公告)号：CN102202992A

公开(公告)日：2011-09-28

申请号：CN200980143494.6

申请日：2009-11-11

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 松林信次 ,  川上聪 ,  户部康弘 ,  西村优 ,  八木靖司 ,  林辉幸 ,  小野裕司 ,  下茂文夫

IPC: B65G49/06 ,  H01L21/677 ,  H01L51/50 ,  H05B33/10

CPC classification number: H01L51/56 ,  H01L21/67173 ,  H01L21/6723

Abstract: 本发明提供一种能够扩展与传输模块侧面相连接的各种处理装置之间的间隔，维护性优良，可以避免生产能力的恶化，确保充分的生产效率的基板处理系统。基板处理系统在基板上沉积例如包含有机层的多个层来制造有机EL元件，由可抽真空的一个或两个以上的传输模块构成直线状的搬送路径，在传输模块的内部沿着搬送路径相互串联配置有：将基板相对于处理装置搬入搬出的多个搬入搬出区域，和配置在它们之间的一个或两个以上贮存区域，在传输模块的侧面且与搬入搬出区域对置的位置连接有处理装置。