公开(公告)号：CN108220922A

公开(公告)日：2018-06-29

申请号：CN201711274133.8

申请日：2017-12-06

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 上田博一 ,  冈正浩 ,  石川拓 ,  渡部佳优 ,  米泽周平

IPC: C23C16/517 ,  C23C16/455 ,  C23C16/28

Abstract: 本发明涉及应用于半导体装置的成膜方法、硼膜以及成膜装置。在被调整为处理容器(2)内为0.67Pa～33.3Pa即5mTorr～250mTorr的范围内的压力的处理氛围中供给包含含硼气体的反应气体、例如B2H6气体和He气体，并使反应气体等离子体化。利用该等离子体，在晶圆形成硼膜。通过利用等离子体的能量进行成膜，能够使成膜处理时的温度下降，由此能够抑制热的影响地形成硼膜。硼膜的蚀刻耐性强、具备高的蚀刻选择比，因此作为半导体装置材料是有用的。

公开(公告)号：CN108987262B

公开(公告)日：2023-08-18

申请号：CN201810602823.X

申请日：2018-06-05

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 渡部佳优 ,  冈正浩 ,  上田博一

IPC: H01L21/033 ,  H01L21/311

Abstract: 本发明提供能够容易地除去硼膜并且能够局部选择性地除去微小部分的硼膜的除去方法和能够形成硼膜的微小图案的图案形成方法。包括：在氧化气氛下对通过CVD形成于基片上的硼膜整体地或者局部地进行热处理，使经过热处理的部分氧化的步骤；和利用水或者含有电解质离子的水溶液对硼膜的被氧化的部分进行除去的步骤。

公开(公告)号：CN111211093A

公开(公告)日：2020-05-29

申请号：CN201911127515.7

申请日：2019-11-18

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 高木聪 ,  渡部佳优

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/205 ,  H01L21/263

Abstract: 本公开涉及一种凹部的埋入方法。[课题]提供能去除由非晶半导体膜埋入凹部时产生的接缝的技术。[解决方案]本公开的一方案的凹部的埋入方法具备如下加热工序：对埋入凹部内的非晶半导体膜照射激光，从而在不使前述非晶半导体膜结晶的情况下进行加热。

公开(公告)号：CN116313753A

公开(公告)日：2023-06-23

申请号：CN202211604228.2

申请日：2022-12-13

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 梅泽好太 ,  渡部佳优

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L21/02 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明提供一种晶硅膜形成方法和晶硅膜形成装置，能够形成粒径更大的晶硅膜。晶硅膜形成方法包括以下工序：在基板上形成第一非晶硅膜；对形成有第一非晶硅膜的基板实施第一退火来形成晶核形成膜，该晶核形成膜形成有硅的晶核；通过蚀刻气体来进行蚀刻；在进行蚀刻的工序之后所残留的晶核上形成第二非晶硅膜；以及对形成第二非晶硅膜之后的基板实施第二退火，来使晶核生长并形成晶硅膜。

公开(公告)号：CN108220922B

公开(公告)日：2020-12-29

申请号：CN201711274133.8

申请日：2017-12-06

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 上田博一 ,  冈正浩 ,  石川拓 ,  渡部佳优 ,  米泽周平

IPC: C23C16/517 ,  C23C16/455 ,  C23C16/28

Abstract: 本发明涉及应用于半导体装置的成膜方法、硼膜以及成膜装置。在被调整为处理容器(2)内为0.67Pa～33.3Pa即5mTorr～250mTorr的范围内的压力的处理氛围中供给包含含硼气体的反应气体、例如B2H6气体和He气体，并使反应气体等离子体化。利用该等离子体，在晶圆形成硼膜。通过利用等离子体的能量进行成膜，能够使成膜处理时的温度下降，由此能够抑制热的影响地形成硼膜。硼膜的蚀刻耐性强、具备高的蚀刻选择比，因此作为半导体装置材料是有用的。

公开(公告)号：CN110318034A

公开(公告)日：2019-10-11

申请号：CN201910242435.X

申请日：2019-03-28

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 渡部佳优 ,  冈正浩 ,  李金望 ,  山本勇生 ,  上田博一

IPC: C23C16/28 ,  C23C16/38 ,  C23C16/50 ,  C23C16/52 ,  H01L21/3065

Abstract: 本发明提供一种硼系膜的成膜方法和成膜装置，能够得到具有适合作为硬掩膜的特性的硼系膜。一种硼系膜的成膜方法，用于在基板上形成以硼为主体的硼系膜，包括以下工序：第一工序，将基板搬入到成膜装置的腔室内，该成膜装置用于通过利用电容耦合等离子体的等离子体CVD来形成硼系膜；第二工序，向腔室内供给含有含硼气体的处理气体；第三工序，施加用于生成电容耦合等离子体的高频电力；以及第四工序，利用高频电力生成处理气体的等离子体，来在基板上形成硼系膜，其中，通过第三工序的高频电力的功率来调整硼系膜的膜应力。

公开(公告)号：CN108987262A

公开(公告)日：2018-12-11

申请号：CN201810602823.X

申请日：2018-06-05

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 渡部佳优 ,  冈正浩 ,  上田博一

IPC: H01L21/033 ,  H01L21/311

CPC classification number: H01L21/0332 ,  C23C16/28 ,  C23C16/50 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02087 ,  H01L21/02233 ,  H01L21/0335 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/32055

Abstract: 本发明提供能够容易地除去硼膜并且能够局部选择性地除去微小部分的硼膜的除去方法和能够形成硼膜的微小图案的图案形成方法。包括：在氧化气氛下对通过CVD形成于基片上的硼膜整体地或者局部地进行热处理，使经过热处理的部分氧化的步骤；和利用水或者含有电解质离子的水溶液对硼膜的被氧化的部分进行除去的步骤。