公开(公告)号：CN108242392B

公开(公告)日：2023-12-22

申请号：CN201711435797.8

申请日：2017-12-26

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 香川興司 ,  米泽周平 ,  土桥和也 ,  高岛敏英 ,  天井胜

IPC: H01L21/033 ,  H01L21/67

Abstract: 提供一种能够将硼单膜从基板适当地去除的基板及其处理方法、装置、系统及控制装置、制造方法。在实施方式所涉及的基板处理方法中，通过使将硝酸、比硝酸强的强酸以及水混合所得到的去除液与在包含硅系膜的膜上形成有硼单膜的基板接触，来将硼单膜从基板去除。

公开(公告)号：CN112997276A

公开(公告)日：2021-06-18

申请号：CN201980072859.4

申请日：2019-11-05

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 天井胜 ,  田中志信 ,  须中郁雄 ,  香川兴司

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/027

Abstract: 本公开提供一种能够对基片供给具有稳定的臭氧浓度的臭氧水的基片处理装置、基片处理方法和计算机可读存储介质。基片处理装置包括：构成为能够供给臭氧气体的臭氧气体供给部；构成为能够供给呈现出规定的氢离子浓度的调整液的调整液供给部；构成为能够使臭氧气体溶解于调整液而生成臭氧水的溶解部；构成为能够用臭氧水来对基片进行清洗处理的至少一个处理腔室；和构成为能够通过送液线路将臭氧水从溶解部输送到至少一个处理腔室的送液部。

公开(公告)号：CN111819663A

公开(公告)日：2020-10-23

申请号：CN201980015709.X

申请日：2019-02-20

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 天井胜

IPC: H01L21/306 ,  H01L21/304 ,  H01L21/683

Abstract: 本发明提供液处理装置和液处理方法。实施方式的液处理装置包括发热部件(31a)、基片保持部(31)、处理液供给部(40)和线圈(32a)。发热部件(31a)靠近基片的一部分地配置并具有隔热部件(31b)。基片保持部(31)保持基片。处理液供给部(40)向保持于基片保持部(31)的基片上供给处理液。线圈(32a)通过对发热部件(31a)进行感应加热来对基片的一部分进行加热。

公开(公告)号：CN108242392A

公开(公告)日：2018-07-03

申请号：CN201711435797.8

申请日：2017-12-26

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 香川興司 ,  米泽周平 ,  土桥和也 ,  高岛敏英 ,  天井胜

IPC: H01L21/033 ,  H01L21/67

CPC classification number: H01L21/3085 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/02087 ,  H01L21/0209 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/32134 ,  H01L21/67023 ,  H01L21/0331 ,  H01L21/6708

Abstract: 提供一种能够将硼单膜从基板适当地去除的基板及其处理方法、装置、系统及控制装置、制造方法。在实施方式所涉及的基板处理方法中，通过使将硝酸、比硝酸强的强酸以及水混合所得到的去除液与在包含硅系膜的膜上形成有硼单膜的基板接触，来将硼单膜从基板去除。

公开(公告)号：CN112997276B

公开(公告)日：2024-08-09

申请号：CN201980072859.4

申请日：2019-11-05

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 天井胜 ,  田中志信 ,  须中郁雄 ,  香川兴司

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/027

Abstract: 本公开提供一种能够对基片供给具有稳定的臭氧浓度的臭氧水的基片处理装置、基片处理方法和计算机可读存储介质。基片处理装置包括：构成为能够供给臭氧气体的臭氧气体供给部；构成为能够供给呈现出规定的氢离子浓度的调整液的调整液供给部；构成为能够使臭氧气体溶解于调整液而生成臭氧水的溶解部；构成为能够用臭氧水来对基片进行清洗处理的至少一个处理腔室；和构成为能够通过送液线路将臭氧水从溶解部输送到至少一个处理腔室的送液部。

公开(公告)号：CN115769346A

公开(公告)日：2023-03-07

申请号：CN202180045439.4

申请日：2021-06-22

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 小佐井一树 ,  井上大诚 ,  高松祐助 ,  大塚贵久 ,  天井胜 ,  菅野至 ,  矢野洋

IPC: H01L21/304

Abstract: 实施方式所涉及的液处理装置具备贮存罐、第一循环线路以及第二循环线路。贮存罐贮存处理液。第一循环线路用于使从贮存罐送出的处理液通过第一过滤器后返回到贮存罐。第二循环线路与第一循环线路连接，第二循环线路用于使处理液通过第二过滤器后返回到贮存罐。第二循环线路的流路的长度比第一循环线路的流路的长度短。向第二循环线路流入的处理液的流量比向第一循环线路的比第一循环线路与第二循环线路的连接部位靠下游侧的位置流入的处理液的流量少。第二过滤器中的每单位时间的过滤量比第一过滤器中的每单位时间的过滤量少。

公开(公告)号：CN100449702C

公开(公告)日：2009-01-07

申请号：CN200580018436.2

申请日：2005-04-05

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 天井胜 ,  关口贤治 ,  折居武彦 ,  大野广基 ,  田中晓 ,  森宅矢

IPC: H01L21/304

CPC classification number: H01L21/67051 ,  B08B1/04 ,  H01L21/67046

Abstract: 本发明提供一种基板清洁装置和基板清洁方法。使刷子(3)在旋转的同时与基板W接触，并使刷子(3)的清洁位置相对基板W从基板W的中心部朝其周边部移动。通过双流体喷嘴(5)将由液滴和气体组成的处理液喷射到基板W上，使双流体喷嘴(5)的清洁位置Sn相对基板W从基板W的中心部朝其周边部移动，而刷子(3)的清洁位置Sb从中心部向周边部移动，双流体喷嘴(5)的清洁位置Sn定位成比刷子(3)的清洁位置Sb更靠近中心P0。由于可以防止刷子上的污染物传递到晶片上，因此能够避免污染晶片。

公开(公告)号：CN118763025A

公开(公告)日：2024-10-11

申请号：CN202410947692.4

申请日：2019-11-05

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 天井胜 ,  田中志信 ,  须中郁雄 ,  香川兴司

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/02 ,  B08B3/08

Abstract: 本公开提供一种能够对基片供给具有稳定的臭氧浓度的臭氧水的基片处理装置、基片处理方法和计算机可读存储介质。基片处理装置包括：构成为能够供给臭氧气体的臭氧气体供给部；构成为能够供给呈现出规定的氢离子浓度的调整液的调整液供给部；构成为能够使臭氧气体溶解于调整液而生成臭氧水的溶解部；构成为能够用臭氧水来对基片进行清洗处理的至少一个处理腔室；和构成为能够通过送液线路将臭氧水从溶解部输送到至少一个处理腔室的送液部。

公开(公告)号：CN111819663B

公开(公告)日：2024-06-07

申请号：CN201980015709.X

申请日：2019-02-20

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 天井胜

IPC: H01L21/306 ,  H01L21/304 ,  H01L21/683

Abstract: 本发明提供液处理装置和液处理方法。实施方式的液处理装置包括发热部件(31a)、基片保持部(31)、处理液供给部(40)和线圈(32a)。发热部件(31a)靠近基片的一部分地配置并具有隔热部件(31b)。基片保持部(31)保持基片。处理液供给部(40)向保持于基片保持部(31)的基片上供给处理液。线圈(32a)通过对发热部件(31a)进行感应加热来对基片的一部分进行加热。

公开(公告)号：CN113725117A

公开(公告)日：2021-11-30

申请号：CN202110527440.2

申请日：2021-05-14

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 岩下泰治 ,  香川兴司 ,  天井胜 ,  森川胜洋

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/687 ,  H01L21/306

Abstract: 本发明提供能够利用臭氧水高效地处理基片的基片处理装置和基片处理方法。本发明的一个方式的基片处理装置包括基片旋转部、臭氧水释放部、加压部和控制部。基片旋转部保持基片并使之旋转。臭氧水释放部具有基片的半径以上的长度，能够对基片释放臭氧水。加压部在比臭氧水释放部靠上游侧处将臭氧水加压到比大气压高的压力。控制部控制各部。此外，控制部对由基片旋转部保持的基片旋转释放臭氧水，在释放了臭氧水之后使向基片的臭氧水的释放流量减少。在使臭氧水的释放流量减少之后使对基片释放的臭氧水的释放流量增加。此外，控制部至少在使对基片释放的臭氧水的释放流量减少时，使基片旋转。