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公开(公告)号：CN110491789B
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN201910392935.1
申请日：2019-05-13
申请人： 东京毅力科创株式会社
发明人： 香川兴司
IPC分类号： H01L21/308 , H01L21/306 , H01L21/67
摘要： 本发明提供一种能够适当地从基片除去硼单质膜的技术。本发明的基片处理方法包括生成步骤和除去步骤。生成步骤使氧化剂接触在包含硅系膜的膜上形成有硼单质膜的基片中的硼单质膜从而生成B(OH)3或者B2O3。除去步骤使在生成步骤中生成的B(OH)3或者B2O3溶解于水，由此从基片除去硼单质膜。
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公开(公告)号：CN111430266B
公开(公告)日：2024-01-05
申请号：CN202010009300.1
申请日：2020-01-06
申请人： 东京毅力科创株式会社
摘要： 本发明涉及基板处理方法及基板处理装置。本发明的课题是提供能够改善针对多种材料暴露的基板的表面处理的选择性的技术。基于本公开的基板处理方法包括维持工序、供给工序、表面处理工序和去除工序。在维持工序中，将表面上暴露有金属即第一材料与第一材料以外的材料即第二材料的基板的至少表面所接触的气氛维持在脱氧气氛。在供给工序中，在利用维持工序维持在脱氧气氛的状态下，对基板的表面供给针对第一材料及第二材料中的第一材料选择性地形成膜的膜形成材料。在表面处理工序中，在通过供给工序在第一材料的表面形成了膜的状态下，进行第二材料的表面处理。在去除工序中，在表面处理工序后，从第一材料的表面去除膜。
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公开(公告)号：CN111418043B
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN201880076270.7
申请日：2018-12-07
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H01L21/304 , H01L21/306
摘要： [课题]从基板有效地去除该基板上的附着物(例如硬掩模)。[解决方案]基板处理方法包括如下工序：工序(A)，向基板供给含有附着物的去除剂、具有比去除剂的沸点还低的沸点的溶剂和增稠剂的第1处理液；工序(B)，在工序(A)后，向基板供给含有成为防气体扩散膜的有机聚合物的第2处理液；工序(C)，在工序(B)后，将基板在溶剂的沸点以上且低于去除剂的沸点的规定温度下进行加热，促进溶剂的蒸发和附着物与去除剂的反应；和，工序(D)，在工序(C)后，向基板供给冲洗液，从基板去除附着物。防气体扩散膜用来防止由工序(C)中的附着物与去除剂的反应而产生的气体状的反应性产物通过该防气体扩散膜并扩散至基板的周围。
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公开(公告)号：CN111630639A
公开(公告)日：2020-09-04
申请号：CN201980008546.2
申请日：2019-01-23
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H01L21/308 , H01L21/304 , H01L21/306
摘要： 实施方式的基板处理方法包括保持工序和供给工序。保持工序保持基板。供给工序将蚀刻液供给至保持工序中所保持的基板，所述蚀刻液含有：对在基板上露出的金属系的第1材料和硅系的第2材料进行蚀刻的蚀刻剂、以及第1材料和第2材料中、与第2材料反应而在第2材料的表面形成保护层的保护剂，蚀刻剂为含有氟原子和有机溶剂、且实质上不含水分的液体，保护层保护第2材料免受由蚀刻剂带来的蚀刻。
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公开(公告)号：CN112997276B
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN201980072859.4
申请日：2019-11-05
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H01L21/304 , H01L21/027
摘要： 本公开提供一种能够对基片供给具有稳定的臭氧浓度的臭氧水的基片处理装置、基片处理方法和计算机可读存储介质。基片处理装置包括：构成为能够供给臭氧气体的臭氧气体供给部；构成为能够供给呈现出规定的氢离子浓度的调整液的调整液供给部；构成为能够使臭氧气体溶解于调整液而生成臭氧水的溶解部；构成为能够用臭氧水来对基片进行清洗处理的至少一个处理腔室；和构成为能够通过送液线路将臭氧水从溶解部输送到至少一个处理腔室的送液部。
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公开(公告)号：CN111640661B
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202010107820.6
申请日：2020-02-21
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H01L21/263 , H01L21/67
摘要： 本发明提供一种基板处理方法、基板处理装置以及存储介质，能够高效地蚀刻具有多种膜的基板。基于本公开的基板处理方法包括第一蚀刻工序、变更工序以及第二蚀刻工序。在第一蚀刻工序中，以第一蚀刻速率蚀刻具有第一膜和第二膜的基板。在变更工序中，将蚀刻速率从第一蚀刻速率变更为第二蚀刻速率。在第二蚀刻工序中，以第二蚀刻速率蚀刻基板。
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公开(公告)号：CN116848621A
公开(公告)日：2023-10-03
申请号：CN202280012796.5
申请日：2022-01-31
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H01L21/316
摘要： 基板处理方法包括下述(A)～(C)。(A)：准备形成有介电常数比SiO2膜的介电常数高的高介电性膜的基板。(B)：对所述基板供给包含第二金属元素的金属溶液，所述第二金属元素是与所述高介电性膜中包含的第一金属元素相比电负性高或者价数低的金属元素。(C)：在所述高介电性膜的表面形成将所述第一金属元素置换为所述第二金属元素而得到的掺杂层。
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公开(公告)号：CN116406476A
公开(公告)日：2023-07-07
申请号：CN202180070217.8
申请日：2021-10-06
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H01L21/306
摘要： 本发明的基片处理方法包括下述(A)～(C)。(A)准备基片，该基片具有在氧等离子体中暴露过的Low‑k膜或SiN膜、和SiO膜露出的表面。(B)对上述基片的上述表面供给形成自组装单分子膜(SAM)的有机化合物(SAM剂)，在上述Low‑k膜或上述SiN膜形成保护膜。(C)对上述基片的上述表面供给氢氟酸，一边使用上述保护膜阻碍利用上述氢氟酸进行的上述Low‑k膜或上述SiN膜的蚀刻，一边对上述SiO膜进行蚀刻。
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公开(公告)号：CN111640661A
公开(公告)日：2020-09-08
申请号：CN202010107820.6
申请日：2020-02-21
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H01L21/263 , H01L21/67
摘要： 本发明提供一种基板处理方法、基板处理装置以及存储介质，能够高效地蚀刻具有多种膜的基板。基于本公开的基板处理方法包括第一蚀刻工序、变更工序以及第二蚀刻工序。在第一蚀刻工序中，以第一蚀刻速率蚀刻具有第一膜和第二膜的基板。在变更工序中，将蚀刻速率从第一蚀刻速率变更为第二蚀刻速率。在第二蚀刻工序中，以第二蚀刻速率蚀刻基板。
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公开(公告)号：CN112236848B
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN201980037284.2
申请日：2019-06-04
申请人： 东京毅力科创株式会社
发明人： 香川兴司
IPC分类号： H01L21/306 , H01L21/304 , H01L21/308
摘要： 本发明的一方式的基片处理方法包括升温步骤和液供给步骤。升温步骤使由浓硫酸构成的处理液(L)升温。液供给步骤将升温了的处理液(L)供给到载置于基片处理部(30)的基片。
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