基片处理方法、基片处理装置和基片处理系统

发明授权

CN110491789B 基片处理方法、基片处理装置和基片处理系统有权

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专利标题： 基片处理方法、基片处理装置和基片处理系统
申请号： CN201910392935.1

申请日： 2019-05-13
公开(公告)号： CN110491789B

公开(公告)日： 2024-04-19
发明人: 香川兴司
申请人： 东京毅力科创株式会社
申请人地址： 日本东京都
专利权人： 东京毅力科创株式会社
当前专利权人： 东京毅力科创株式会社
当前专利权人地址： 日本东京都
代理机构： 北京尚诚知识产权代理有限公司
代理商 龙淳; 刘芃茜
主分类号： H01L21/308
IPC分类号： H01L21/308 ; H01L21/306 ; H01L21/67

基片处理方法、基片处理装置和基片处理系统

摘要：

本发明提供一种能够适当地从基片除去硼单质膜的技术。本发明的基片处理方法包括生成步骤和除去步骤。生成步骤使氧化剂接触在包含硅系膜的膜上形成有硼单质膜的基片中的硼单质膜从而生成B(OH)3或者B2O3。除去步骤使在生成步骤中生成的B(OH)3或者B2O3溶解于水，由此从基片除去硼单质膜。

公开/授权文献

CN110491789A 基片处理方法、基片处理装置和基片处理系统公开/授权日：2019-11-22

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IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00	专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02	.半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04	..至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18	...器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30	....用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的（在半导体材料上制作电极的入H01L21/28）
H01L21/302	.....改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割
H01L21/306	......化学或电处理，例如电解腐蚀（形成绝缘层的入H01L21/31；绝缘层的后处理入H01L21/3105）
H01L21/308	.......应用掩膜的（H01L21/3063，H01L21/3065优先）