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公开(公告)号：CN104637784B
公开(公告)日：2019-04-09
申请号：CN201410641257.5
申请日：2014-11-13
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种基板清洗方法、基板清洗系统。不给基板的表面带来影响就能够去除已附着于基板的粒径较小的异物。实施方式的基板清洗方法包括成膜处理液供给工序、剥离处理液供给工序和溶解处理液供给工序。在成膜处理液供给工序中，将含有挥发成分并用于在基板上形成膜的成膜处理液向基板供给。在剥离处理液供给工序中，向处理膜供给用于使处理膜自基板剥离的剥离处理液，该处理膜是成膜处理液因挥发成分挥发而在基板上固化或硬化而成的。溶解处理液供给工序在剥离处理液供给工序后，在溶解处理液供给工序中，向处理膜供给用于使处理膜溶解的溶解处理液。
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公开(公告)号：CN1965395A
公开(公告)日：2007-05-16
申请号：CN200580018436.2
申请日：2005-04-05
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/304
CPC classification number: H01L21/67051 , B08B1/04 , H01L21/67046
Abstract: 本发明提供一种基板清洁装置和基板清洁方法。使刷子(3)在旋转的同时与基板W接触，并使刷子(3)的清洁位置相对基板W从基板W的中心部朝其周边部移动。通过双流体喷嘴(5)将由液滴和气体组成的处理液喷射到基板W上，使双流体喷嘴(5)的清洁位置Sn相对基板W从基板W的中心部朝其周边部移动，而刷子(3)的清洁位置Sb从中心部向周边部移动，双流体喷嘴(5)的清洁位置Sn定位成比刷子(3)的清洁位置Sb更靠近中心P0。由于可以防止刷子上的污染物传递到晶片上，因此能够避免污染晶片。
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公开(公告)号：CN114496837A
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202111195593.8
申请日：2021-10-14
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明涉及基板处理装置和基板处理方法。更可靠地抑制在基板的表面形成的图案的倒塌。基板处理装置使用超临界状态的处理流体对在表面附着有液体的基板进行干燥，其包括：处理容器，其容纳基板；基板保持部，其在处理容器内将基板以表面朝向上的方式保持为水平；第1供给管线，其与设于处理容器的第1流体供给部连接，向处理容器内供给处理流体；排出管线，其与设于处理容器的排出部连接，排出处理流体；旁路管线，其在设定于第1供给管线的第1分支点处从第1供给管线分支且在设定于排出管线的连接点处与排出管线连接，能够使在第1供给管线流动的处理流体的至少一部分不经由处理容器而是向排出管线排出；以及旁路开闭阀，其使旁路管线开闭。
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公开(公告)号：CN110491770A
公开(公告)日：2019-11-22
申请号：CN201910402577.8
申请日：2019-05-15
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种基板处理方法、存储介质以及基板处理装置，能够抑制在基板的表面残留微粒。在基于本发明的基板处理方法中，在基板的表面形成保护液的液膜，使用超临界流体使基板干燥，并从基板的表面去除保护液。在使基板干燥之后，去除残留于基板的表面的微粒。
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公开(公告)号：CN104637784A
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：CN201410641257.5
申请日：2014-11-13
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H01L21/0206 , H01L21/02052 , H01L21/02057 , H01L21/67051
Abstract: 本发明提供一种基板清洗方法、基板清洗系统。不给基板的表面带来影响就能够去除已附着于基板的粒径较小的异物。实施方式的基板清洗方法包括成膜处理液供给工序、剥离处理液供给工序和溶解处理液供给工序。在成膜处理液供给工序中，将含有挥发成分并用于在基板上形成膜的成膜处理液向基板供给。在剥离处理液供给工序中，向处理膜供给用于使处理膜自基板剥离的剥离处理液，该处理膜是成膜处理液因挥发成分挥发而在基板上固化或硬化而成的。溶解处理液供给工序在剥离处理液供给工序后，在溶解处理液供给工序中，向处理膜供给用于使处理膜溶解的溶解处理液。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110491770B
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN201910402577.8
申请日：2019-05-15
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种基板处理方法、存储介质以及基板处理装置，能够抑制在基板的表面残留微粒。在基于本发明的基板处理方法中，在基板的表面形成保护液的液膜，使用超临界流体使基板干燥，并从基板的表面去除保护液。在使基板干燥之后，去除残留于基板的表面的微粒。
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公开(公告)号：CN115692172A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202210873730.7
申请日：2022-07-21
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种基板处理方法和基板处理装置。该基板处理装置具备流体喷出部及与其连接的供给线路；流体排出部及与其连接的排出线路；以及流动控制机构，其设置于供给线路和排出线路中的至少一方，对在处理容器内从流体喷出部朝向流体排出部流动的处理流体的流动进行控制，该基板处理方法包括流通工序，在该流通工序中，使处理流体以该处理流体沿基板的表面流动的方式从流体喷出部向流体排出部流动，流通工序包括使处理流体在处理容器内分别以第一及第二流通模式流动的第一及第二流通阶段，第一流通模式与第二流通模式下的沿基板的表面流动的处理流体的流动方向分布不同，第一流通模式与第二流通模式之间的切换由流动控制机构进行。
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公开(公告)号：CN115621156A
公开(公告)日：2023-01-17
申请号：CN202210789177.9
申请日：2022-07-06
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提出基片处理装置和基片处理方法，其能够高精度地调节在基片表面形成的液膜的液量。基片处理装置包括：液处理部，其一边使基片旋转一边供给处理液，在基片的表面形成液膜；测量部，其测量向基片供给的处理液的温度；干燥处理部，其使形成有液膜的基片干燥；和控制部。控制部执行下述处理：第一处理，其基于液膜模型和由测量部测量出的温度，计算在基片的表面形成的液膜的预测液量，其中，液膜模型表示向基片供给的处理液的温度与在基片的表面形成的液膜的液量的关系；第二处理，其设定能够得到第一处理中计算出的预测液量的处理条件；以及第三处理，其基于第二处理中设定的处理条件，在液处理部中在基片的表面形成液膜。
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公开(公告)号：CN110060924A
公开(公告)日：2019-07-26
申请号：CN201910202521.8
申请日：2014-11-13
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种基板清洗方法、基板清洗系统和存储介质。不给基板的表面带来影响就能够去除已附着于基板的粒径较小的异物。实施方式的基板清洗方法包括成膜处理液供给工序、剥离处理液供给工序和溶解处理液供给工序。在成膜处理液供给工序中，将含有挥发成分并用于在基板上形成膜的成膜处理液向基板供给。在剥离处理液供给工序中，向处理膜供给用于使处理膜自基板剥离的剥离处理液，该处理膜是成膜处理液因挥发成分挥发而在基板上固化或硬化而成的。溶解处理液供给工序在剥离处理液供给工序后，在溶解处理液供给工序中，向处理膜供给用于使处理膜溶解的溶解处理液。
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公开(公告)号：CN101609791A
公开(公告)日：2009-12-23
申请号：CN200910150550.0
申请日：2009-06-17
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明涉及基板清洗装置、基板清洗方法以及存储介质，具体而言，提供一种能够用海绵状刷子有效地除去附着在至少基板端面上的附着物的基板清洗装置。基板清洗装置(1)包括：旋转卡盘(3)，其以能够旋转的方式保持基板(W)；马达(4)，其旋转被保持在旋转卡盘(3)上的基板(W)；清洗液供给机构(10)，其向被保持在旋转卡盘(3)上的基板(W)供给清洗液；以及清洗机构。清洗机构具有在清洗时与基板(W)的至少端面相接触的由海绵状树脂形成的刷子(21)，以及压缩刷子(21)的刷子压缩机构(23a，23b，24)。刷子(21)呈被压缩机构(23a，23b，24)压缩的状态，并至少清洗基板(W)的端面。
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