公开(公告)号：CN110491770A

公开(公告)日：2019-11-22

申请号：CN201910402577.8

申请日：2019-05-15

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 菅野至 ,  清瀬浩巳 ,  五师源太郎 ,  滨村直彦 ,  增住拓朗 ,  关口贤治 ,  田中晓 ,  南辉臣

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明提供一种基板处理方法、存储介质以及基板处理装置，能够抑制在基板的表面残留微粒。在基于本发明的基板处理方法中，在基板的表面形成保护液的液膜，使用超临界流体使基板干燥，并从基板的表面去除保护液。在使基板干燥之后，去除残留于基板的表面的微粒。

公开(公告)号：CN110491770B

公开(公告)日：2024-04-09

申请号：CN201910402577.8

申请日：2019-05-15

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 菅野至 ,  清瀬浩巳 ,  五师源太郎 ,  滨村直彦 ,  增住拓朗 ,  关口贤治 ,  田中晓 ,  南辉臣

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明提供一种基板处理方法、存储介质以及基板处理装置，能够抑制在基板的表面残留微粒。在基于本发明的基板处理方法中，在基板的表面形成保护液的液膜，使用超临界流体使基板干燥，并从基板的表面去除保护液。在使基板干燥之后，去除残留于基板的表面的微粒。