基片处理装置和基片处理方法
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN115621156A

    公开(公告)日:2023-01-17

    申请号:CN202210789177.9

    申请日:2022-07-06

    Abstract: 本发明提出基片处理装置和基片处理方法,其能够高精度地调节在基片表面形成的液膜的液量。基片处理装置包括:液处理部,其一边使基片旋转一边供给处理液,在基片的表面形成液膜;测量部,其测量向基片供给的处理液的温度;干燥处理部,其使形成有液膜的基片干燥;和控制部。控制部执行下述处理:第一处理,其基于液膜模型和由测量部测量出的温度,计算在基片的表面形成的液膜的预测液量,其中,液膜模型表示向基片供给的处理液的温度与在基片的表面形成的液膜的液量的关系;第二处理,其设定能够得到第一处理中计算出的预测液量的处理条件;以及第三处理,其基于第二处理中设定的处理条件,在液处理部中在基片的表面形成液膜。

    基片处理装置和基片处理方法
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN114944347A

    公开(公告)日:2022-08-26

    申请号:CN202210118412.X

    申请日:2022-02-08

    Abstract: 本发明提供能够抑制接液杯状体内的气氛被污染的基片处理装置和基片处理方法。本发明的一个方式的基片处理装置包括基片保持部、液供给部、接液杯状体、排气管线、排液管线和减压部。基片保持部保持基片,液供给部对基片供给处理液。接液杯状体包围由基片保持部保持的基片,并承接被供给到基片的处理液。排气管线与接液杯状体连接,并将接液杯状体内的气氛排出。排液管线与接液杯状体连接,并将接液杯状体内的处理液排出。减压部对排液管线内进行减压以使得排液管线内的压力低于接液杯状体内的压力。

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