公开(公告)号：CN115692172A

公开(公告)日：2023-02-03

申请号：CN202210873730.7

申请日：2022-07-21

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 井上纱绫 ,  田中晓 ,  下村伸一郎 ,  井原亨 ,  枇杷聪

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明提供一种基板处理方法和基板处理装置。该基板处理装置具备流体喷出部及与其连接的供给线路；流体排出部及与其连接的排出线路；以及流动控制机构，其设置于供给线路和排出线路中的至少一方，对在处理容器内从流体喷出部朝向流体排出部流动的处理流体的流动进行控制，该基板处理方法包括流通工序，在该流通工序中，使处理流体以该处理流体沿基板的表面流动的方式从流体喷出部向流体排出部流动，流通工序包括使处理流体在处理容器内分别以第一及第二流通模式流动的第一及第二流通阶段，第一流通模式与第二流通模式下的沿基板的表面流动的处理流体的流动方向分布不同，第一流通模式与第二流通模式之间的切换由流动控制机构进行。

公开(公告)号：CN116805588A

公开(公告)日：2023-09-26

申请号：CN202310241590.6

申请日：2023-03-14

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 井上纱绫

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明提供能够抑制在晶片等基片形成的图案的塌坏的基片处理装置和基片处理方法。基片处理装置是使用超临界流体使在图案形成面形成有液膜的基片干燥的基片处理装置，其包括：处理容器，其收纳基片，并且超临界流体能够被供给到其中；和基片保持部，其以图案形成面朝上的状态从下方支承基片，在处理容器内保持基片，基片保持部能够经由设置于处理容器的开口部，在处理容器内的处理位置与从处理容器避让的避让位置之间进退，基片保持部包括调节基片的温度的多个温度调节机构，基片处理装置具有控制部，控制部控制多个温度调节机构，以使得当基片保持部位于避让位置时，被基片保持部保持的基片内的最高温度和最低温度处于预定的温度范围内。