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公开(公告)号：CN102169812A
公开(公告)日：2011-08-31
申请号：CN201110035368.8
申请日：2011-01-31
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供能够降低晶片面内的线宽的偏差、能够降低消耗电力的热处理装置和热处理方法。热处理装置(PEB)，在进行显影处理前对形成有抗蚀剂膜的曝光后的基板(W)进行热处理，其中包括：加热部(60)，其具有呈二维排列的多个加热元件(62)，对曝光后的基板(W)进行热处理；载置部(80)，其设置在加热部(60)上方，载置基板(W)；和控制部(110)，在利用加热部(60)对一个基板(W)进行热处理时，基于温度修正值(ΔT)对加热部(60)的设定温度进行修正，基于修正后的设定温度，对加热部(60)进行控制，该温度修正值(ΔT)是根据在预先由加热部(60)进行热处理后通过进行显影处理而形成有抗蚀剂图案的其他基板(W)的抗蚀剂图案的线宽测定值(CD)求得的。
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公开(公告)号：CN107533955B
公开(公告)日：2021-01-22
申请号：CN201680022298.3
申请日：2016-03-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/027 , G03F7/38
Abstract: 本发明提供在使进行抗蚀剂涂覆的基板处理装置与进行显影处理的基板处理装置为独立的装置时，能够稳定地进行抗蚀剂图案的形成处理的技术。将在第一基板处理装置1涂覆抗蚀剂之后被加热处理过的晶片W在第二基板处理装置2中在曝光前也进行加热处理。因此，即使从第一基板处理装置1搬送到第二基板处理装置2时，在晶片W附着了气氛中的胺，胺也通过加热处理而飞散。另外，基于包括FOUP10从第一基板处理装置1被搬出之后、至该FOUP10被搬入到第二基板处理装置中的时间在内的晶片W的放置时间，调整加热时间和加热温度中的至少一个。由此，抑制在晶片W之间抗蚀剂中的溶剂的剩余量的不均匀。因此能够实现抗蚀剂图案的形成处理的稳定化。
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公开(公告)号：CN107533955A
公开(公告)日：2018-01-02
申请号：CN201680022298.3
申请日：2016-03-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/027 , G03F7/38
Abstract: 本发明提供在使进行抗蚀剂涂覆的基板处理装置与进行显影处理的基板处理装置为独立的装置时，能够稳定地进行抗蚀剂图案的形成处理的技术。将在第一基板处理装置1涂覆抗蚀剂之后被加热处理过的晶片W在第二基板处理装置2中在曝光前也进行加热处理。因此，即使从第一基板处理装置1搬送到第二基板处理装置2时，在晶片W附着了气氛中的胺，胺也通过加热处理而飞散。另外，基于包括FOUP10从第一基板处理装置1被搬出之后、至该FOUP10被搬入到第二基板处理装置中的时间在内的晶片W的放置时间，调整加热时间和加热温度中的至少一个。由此，抑制在晶片W之间抗蚀剂中的溶剂的剩余量的不均匀。因此能够实现抗蚀剂图案的形成处理的稳定化。
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公开(公告)号：CN118696404A
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202280089335.8
申请日：2022-01-27
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/677
Abstract: 基板处理装置具备基板清洗部、芯片清洗部、芯片贴合部、搬送区域、第一基板搬送臂以及第一框架搬送臂。所述基板清洗部对基板进行清洗。所述芯片清洗部在多个芯片借助带安装于框架的状态下对多个所述芯片进行清洗。所述芯片贴合部对所述基板的主面的不同的贴合区域贴合多个所述芯片。所述搬送区域与所述基板清洗部、所述芯片清洗部以及所述芯片贴合部邻接。所述第一基板搬送臂在所述搬送区域中保持所述基板并搬送所述基板。所述第一框架搬送臂在所述搬送区域中保持所述框架并将多个所述芯片同所述框架一起搬送。所述第一基板搬送臂将所述基板从所述基板清洗部搬送到所述芯片贴合部，所述第一框架搬送臂将多个所述芯片同所述框架一起从所述芯片清洗部搬送到所述芯片贴合部。
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