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公开(公告)号：CN109285763A
公开(公告)日：2019-01-29
申请号：CN201810798557.2
申请日：2018-07-19
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/027 , H01L21/3105 , H01L21/67
Abstract: 本发明涉及基板处理装置、基板处理方法和存储介质，改善掩膜图案的表面的粗糙并抑制掩膜图案的轮廓形状发生变化。所述装置具备：载置台(24)，其在处理容器(21)内载置表面形成有图案掩膜(12)的基板(W)；减压机构(32)，其对所述处理容器(21)内进行减压；光照射机构(42)，其在所述处理容器内被减压并且达到1Pa以下的压力之后向所述基板(W)照射真空紫外光来改善所述图案掩膜(12)的表面的粗糙；以及控制部，其输出控制信号，以使在所述处理容器(21)内从10000Pa以上的压力减压到1Pa的期间中由所述减压机构(32)进行减压的该处理容器(21)内的减压速度为250Pa/秒以下。
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公开(公告)号：CN112447502B
公开(公告)日：2025-05-20
申请号：CN202010878313.2
申请日：2020-08-27
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 田中启一
IPC: H01L21/027 , H01L21/67
Abstract: 本发明提供基片处理装置、基片处理方法和存储介质。基片处理装置(1)包括：在处理容器内保持基片的保持部，其中该基片在表面形成有由ArF液浸光刻用抗蚀剂材料构成的图案；使保持部旋转的旋转驱动部；和具有多个光源的光源部，其对通过旋转驱动部旋转的保持部所保持的基片的表面照射包含真空紫外光的光，使从光源部对基片的内侧照射光的照射量比从光源部对基片的外侧照射光的照射量大。本发明能够在使用适合于ArF液浸光刻的抗蚀剂材料的基片上改善表面的粗糙度。
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公开(公告)号：CN112445087A
公开(公告)日：2021-03-05
申请号：CN202010877451.9
申请日：2020-08-27
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 田中启一
IPC: G03F7/40 , H01L21/027
Abstract: 本发明提供基片处理装置、基片处理方法和存储介质。基片处理装置(1)包括：在处理容器内保持基片的保持部，其中上述基片在表面形成有由EUV光刻用抗蚀剂材料构成的图案；使上述保持部旋转的旋转驱动部；和具有多个光源的光源部，其对由上述保持部保持的上述基片的表面照射包含真空紫外光的光，其中上述保持部通过上述旋转驱动部以0.5rpm～3rpm的转速旋转。本发明能够在使用了适合于EUV光刻的抗蚀剂材料的基片中改善表面的粗糙度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109285763B
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN201810798557.2
申请日：2018-07-19
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/027 , H01L21/3105 , H01L21/67
Abstract: 本发明涉及基板处理装置、基板处理方法和存储介质，改善掩膜图案的表面的粗糙并抑制掩膜图案的轮廓形状发生变化。所述装置具备：载置台(24)，其在处理容器(21)内载置表面形成有图案掩膜(12)的基板(W)；减压机构(32)，其对所述处理容器(21)内进行减压；光照射机构(42)，其在所述处理容器内被减压并且达到1Pa以下的压力之后向所述基板(W)照射真空紫外光来改善所述图案掩膜(12)的表面的粗糙；以及控制部，其输出控制信号，以使在所述处理容器(21)内从10000Pa以上的压力减压到1Pa的期间中由所述减压机构(32)进行减压的该处理容器(21)内的减压速度为250Pa/秒以下。
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公开(公告)号：CN112447502A
公开(公告)日：2021-03-05
申请号：CN202010878313.2
申请日：2020-08-27
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 田中启一
IPC: H01L21/027 , H01L21/67
Abstract: 本发明提供基片处理装置、基片处理方法和存储介质。基片处理装置(1)包括：在处理容器内保持基片的保持部，其中该基片在表面形成有由ArF液浸光刻用抗蚀剂材料构成的图案；使保持部旋转的旋转驱动部；和具有多个光源的光源部，其对通过旋转驱动部旋转的保持部所保持的基片的表面照射包含真空紫外光的光，使从光源部对基片的内侧照射光的照射量比从光源部对基片的外侧照射光的照射量大。本发明能够在使用适合于ArF液浸光刻的抗蚀剂材料的基片上改善表面的粗糙度。
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公开(公告)号：CN104103555B
公开(公告)日：2018-02-13
申请号：CN201410136462.6
申请日：2014-04-04
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67
CPC classification number: H01L21/67051 , B08B3/024 , B08B5/00 , G03F7/3021 , H01L21/67028 , H01L21/67034
Abstract: 本发明提供能够在对显影后的基板进行清洗时抑制形成抗蚀剂图案的壁部的倒塌和上述图案的线宽度的变化的技术。进行以下工序：为了形成抗蚀剂图案而向曝光后的基板的表面供给显影液的显影工序；接着，向上述基板的该表面供给清洗液、从基板除去由于上述显影而产生的残渣的清洗工序；接着，向上述基板的表面供给置换液、利用上述置换液置换上述基板上的清洗液的置换工序，其中，该置换液的表面张力为50mN/m以下，含有浸透抑制剂，以抑制对构成上述抗蚀剂图案的抗蚀剂的壁部的浸透；和接着，使上述基板旋转并且向基板的中心部供给气体而形成干燥区域，利用离心力使上述干燥区域扩展至基板的周缘部，由此使基板的表面干燥的干燥工序。
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公开(公告)号：CN104103555A
公开(公告)日：2014-10-15
申请号：CN201410136462.6
申请日：2014-04-04
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67
CPC classification number: H01L21/67051 , B08B3/024 , B08B5/00 , G03F7/3021 , H01L21/67028 , H01L21/67034 , H01L21/67023 , H01L21/6704
Abstract: 本发明提供能够在对显影后的基板进行清洗时抑制形成抗蚀剂图案的壁部的倒塌和上述图案的线宽度的变化的技术。进行以下工序：为了形成抗蚀剂图案而向曝光后的基板的表面供给显影液的显影工序；接着，向上述基板的该表面供给清洗液、从基板除去由于上述显影而产生的残渣的清洗工序；接着，向上述基板的表面供给置换液、利用上述置换液置换上述基板上的清洗液的置换工序，其中，该置换液的表面张力为50mN/m以下，含有浸透抑制剂，以抑制对构成上述抗蚀剂图案的抗蚀剂的壁部的浸透；和接着，使上述基板旋转并且向基板的中心部供给气体而形成干燥区域，利用离心力使上述干燥区域扩展至基板的周缘部，由此使基板的表面干燥的干燥工序。
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