公开(公告)号：CN102169812A

公开(公告)日：2011-08-31

申请号：CN201110035368.8

申请日：2011-01-31

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 田所真任 ,  近藤良弘 ,  齐藤贵

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/66 ,  G03F7/38

CPC classification number: B05C21/00 ,  G03F7/20 ,  H05B3/20

Abstract: 本发明提供能够降低晶片面内的线宽的偏差、能够降低消耗电力的热处理装置和热处理方法。热处理装置(PEB)，在进行显影处理前对形成有抗蚀剂膜的曝光后的基板(W)进行热处理，其中包括：加热部(60)，其具有呈二维排列的多个加热元件(62)，对曝光后的基板(W)进行热处理；载置部(80)，其设置在加热部(60)上方，载置基板(W)；和控制部(110)，在利用加热部(60)对一个基板(W)进行热处理时，基于温度修正值(ΔT)对加热部(60)的设定温度进行修正，基于修正后的设定温度，对加热部(60)进行控制，该温度修正值(ΔT)是根据在预先由加热部(60)进行热处理后通过进行显影处理而形成有抗蚀剂图案的其他基板(W)的抗蚀剂图案的线宽测定值(CD)求得的。