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公开(公告)号：CN109817506A
公开(公告)日：2019-05-28
申请号：CN201811381880.6
申请日：2018-11-20
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种蚀刻方法和使用该蚀刻方法的凹部图案的嵌入方法，能够控制形成于基板的表面的凹部图案的深度方向上的蚀刻量。所述蚀刻方法用于在处理室内将形成于基板的表面的凹部图案内的膜蚀刻成V字状的截面形状，该蚀刻方法包括以下工序：将所述处理室内的两个以上的参数设定为使所述基板的表面的蚀刻速率比所述凹部图案的内部的蚀刻速率高的条件；以及在所述条件下向所述基板的表面供给蚀刻气体。
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公开(公告)号：CN110218989A
公开(公告)日：2019-09-10
申请号：CN201910154884.9
申请日：2019-03-01
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/455 , C23C16/02
Abstract: 本发明提供一种成膜方法和成膜装置，能够不损坏成膜的均匀性而抑制粒子的产生。一种使用了具有原料气体供给部和清洗气体供给部的成膜装置的成膜方法，该成膜方法包括以下工序：不向所述清洗气体供给部供给吹扫气体而从所述原料气体供给部向基板供给原料气体，来使所述原料气体吸附于所述基板；以及不向所述清洗气体供给部供给吹扫气体而向吸附了所述原料气体的所述基板供给能够与所述原料气体发生反应并生成反应生成物的反应气体，来使所述反应生成物沉积于所述基板上。
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公开(公告)号：CN110218989B
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：CN201910154884.9
申请日：2019-03-01
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/455 , C23C16/02
Abstract: 本发明提供一种成膜方法和成膜装置，能够不损坏成膜的均匀性而抑制粒子的产生。一种使用了具有原料气体供给部和清洗气体供给部的成膜装置的成膜方法，该成膜方法包括以下工序：不向所述清洗气体供给部供给吹扫气体而从所述原料气体供给部向基板供给原料气体，来使所述原料气体吸附于所述基板；以及不向所述清洗气体供给部供给吹扫气体而向吸附了所述原料气体的所述基板供给能够与所述原料气体发生反应并生成反应生成物的反应气体，来使所述反应生成物沉积于所述基板上。
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