公开(公告)号：CN1910746A

公开(公告)日：2007-02-07

申请号：CN200580002360.4

申请日：2005-01-13

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 小林保男 ,  西泽贤一 ,  龟嶋隆季 ,  松冈孝明

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/314

Abstract: 本发明提供一种半导体装置的制造方法成膜系统，在基板上形成由CF构成的绝缘膜(91)。在该绝缘膜(91)上形成含有SiCN膜(93)的保护层。在该保护层上，利用含有碳和氧的活性种的等离子体，形成由SiCO构成的硬掩膜用的薄膜(94)。当形成保护层时，利用含有硅和碳的活性种的等离子体，在绝缘膜(91)上形成SiC膜(92)，利用含有硅、碳和氮的活性种的等离子体，在SiC膜(92)上形成SiCN膜(93)。

公开(公告)号：CN100433294C

公开(公告)日：2008-11-12

申请号：CN200580002360.4

申请日：2005-01-13

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 小林保男 ,  西泽贤一 ,  龟嶋隆季 ,  松冈孝明

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/314

Abstract: 本发明提供一种半导体装置的制造方法成膜系统，在基板上形成由CF构成的绝缘膜(91)。在该绝缘膜(91)上形成含有SiCN膜(93)的保护层。在该保护层上，利用含有碳和氧的活性种的等离子体，形成由SiCO构成的硬掩膜用的薄膜(94)。当形成保护层时，利用含有硅和碳的活性种的等离子体，在绝缘膜(91)上形成SiC膜(92)，利用含有硅、碳和氮的活性种的等离子体，在SiC膜(92)上形成SiCN膜(93)。

公开(公告)号：CN100477108C

公开(公告)日：2009-04-08

申请号：CN200680001233.7

申请日：2006-04-07

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 龟嶋隆季 ,  川村刚平 ,  小林保男

IPC: H01L21/31 ,  C23C16/44

CPC classification number: C23C16/4404 ,  C23C16/4581 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/3185

Abstract: 本发明提供一种成膜方法，其特征在于，包括：在内部配置有由含有金属氧化物的陶瓷构成的载置台的处理容器内，导入含有无机硅烷气体的处理气体，在包含上述载置台表面的上述处理容器内壁上，预涂敷含有硅的非金属薄膜的工序；将被处理基板装载到已预涂敷有上述非金属薄膜的载置台上的工序；和在上述处理容器内，导入含有有机硅烷气体的处理气体，在被装载到上述载置台上的上述被处理基板的表面形成含硅的非金属薄膜的工序。

公开(公告)号：CN101061575A

公开(公告)日：2007-10-24

申请号：CN200680001233.7

申请日：2006-04-07

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 龟嶋隆季 ,  川村刚平 ,  小林保男

IPC: H01L21/31 ,  C23C16/44

CPC classification number: C23C16/4404 ,  C23C16/4581 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/3185

Abstract: 本发明提供一种成膜方法，其特征在于，包括：在内部配置有由含有金属氧化物的陶瓷构成的载置台的处理容器内，导入含有无机硅烷气体的处理气体，在包含上述载置台表面的上述处理容器内壁上，预涂敷含有硅的非金属薄膜的工序；将被处理基板装载到已预涂敷有上述非金属薄膜的载置台上的工序；和在上述处理容器内，导入含有有机硅烷气体的处理气体，在被装载到上述载置台上的上述被处理基板的表面形成含硅的非金属薄膜的工序。