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公开(公告)号：CN1703769A
公开(公告)日：2005-11-30
申请号：CN03820662.5
申请日：2003-08-15
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/02 , C23C16/52 , C23C16/455 , H01L21/285 , H01L21/31
CPC classification number: H01L21/28562 , C23C16/34 , C23C16/45557
Abstract: 在处理装置中，将包含原料气体(TiCl4、NH3)和非活性气体(N2)的处理气体供给处理容器(2)内。利用压力计(6)检测处理容器(2)内的压力，根据检测结果，控制供给至处理容器(2)内的处理气体的流量。利用非活性气体进行原料气体的清洗。使原料气体的流量一定，通过控制非活性气体的流量，控制作为处理气体全体的流量，将处理容器(2)内的压力维持一定。为缩短排出原料气体需要的时间，缩短切换原料气体的时间。另外，可以维持处理中的基板表面的温度一定。
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公开(公告)号：CN1826428B
公开(公告)日：2010-05-12
申请号：CN200480002181.6
申请日：2004-02-26
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/455 , C23C16/34 , H01L21/285 , H01L21/31
CPC classification number: C23C16/45523 , C23C16/34 , C23C16/45525 , H01L21/28556 , H01L21/28562 , H01L21/76843
Abstract: 涉及通过交互地供给成为原料的气体而进行薄膜的形成而迅速地形成高质量的薄膜的方法，是包括使作为原料气体的TiCl4气体附着于基板上或附着于基板的TiCl4分子上，把作为反应气体的NH3气体供给到处理容器内，使此NH3与TiCl4反应而形成TiN膜的工序，通过重复实施这些工序而形成TiN膜的方法，其中还设有在TiCl4气体附着于基板上前，把具有还原性的H2气供给到处理容器(30)内，使TiCl4变化成容易吸附于基板的状态(例如TiCl3)的工序。
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公开(公告)号：CN1471631A
公开(公告)日：2004-01-28
申请号：CN01817892.8
申请日：2001-10-23
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 重冈隆
IPC: G01J5/02
CPC classification number: G01J5/08 , G01J5/0003 , G01J5/0007 , G01J5/0818 , G01J5/0821 , G01J5/0846
Abstract: 一种温度测定方法，它利用设置在离开所述被测定体的测定部的两个辐射温度计，测定在多重反射环境中由热源加热的被测定体的温度，所述两个辐射温度计具有：分别埋入所述测定部且可接受来自所述被测定体的辐射光的杆；和与该杆连接的光纤，并且开口数不同，在所述测定部与所述被测定体相对的面和所述被测定体之间形成所述多重反射环境，当取所述辐射温度计的所述杆的直径为D1，开口数为NA，所述被测定体到所述测定部的所述面的距离为D2，所述测定部的所述面的反射率为r，观察因子为F，多重反射系数为α，所述被测定体的辐射率为ε，所述被测定体的有效辐射率为εeff，N1和N2为参数时，可以利用所述两个辐射温度计的测定结果，计算所述ε，同时，利用下式计算所述被测定体的温度：d＝1－(1－NA·N1)N2/(D1/D2)εeff＝(1－α)·ε+α·ε/{1－F·r·(1－ε)}。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100405549C
公开(公告)日：2008-07-23
申请号：CN200480001409.X
申请日：2004-04-27
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/285 , H01L21/768 , H01L21/3205 , C23C16/455
Abstract: 一种在处理容器内的被处理基板上成膜的成膜方法，由第一膜生长工序和第二膜生长工序构成。该第一膜生长工序重复进行将不包含卤素的由有机金属化合物构成的第一原料气体提供给所述处理容器内后，从所述处理容器内除去所述第一原料气体的第一工序、和将包含氢或者氢化合物的第二原料气体提供给所述处理容器内之后，将所述第二原料气体从所述处理容器内除去的第二工序。该第二膜生长工序重复进行在将由金属卤化物构成的第三原料气体提供给所述处理容器内之后，将所述第三原料气体从所述被处理基板除去第三工序、和将包含氢或者氢化合物的第四原料气体提供给所述处理容器内之后，将所述第四原料气体从所述处理容器内除去的第四工序。
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公开(公告)号：CN1242247C
公开(公告)日：2006-02-15
申请号：CN01817892.8
申请日：2001-10-23
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 重冈隆
IPC: G01J5/02
CPC classification number: G01J5/08 , G01J5/0003 , G01J5/0007 , G01J5/0818 , G01J5/0821 , G01J5/0846
Abstract: 一种温度测定方法，它利用设置在离开所述被测定体的测定部的两个辐射温度计，测定在多重反射环境中由热源加热的被测定体的温度，所述两个辐射温度计具有：分别埋入所述测定部且可接受来自所述被测定体的辐射光的杆；和与该杆连接的光纤，并且开口数不同，在所述测定部与所述被测定体相对的面和所述被测定体之间形成所述多重反射环境，当取所述辐射温度计的所述杆的直径为D1，开口数为NA，所述被测定体到所述测定部的所述面的距离为D2，所述测定部的所述面的反射率为r，观察因子为F，多重反射系数为α，所述被测定体的辐射率为ε，所述被测定体的有效辐射率为εeff，N1和N2为参数时，可以利用所述两个辐射温度计的测定结果，计算所述ε，同时，利用下式计算所述被测定体的温度：d＝1-(1-NA·N1)N2/(D1/D2)εeff＝(1-α)·ε+α·ε/{1-F·r·(1-ε)}。
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公开(公告)号：CN1706034A
公开(公告)日：2005-12-07
申请号：CN200480001409.X
申请日：2004-04-27
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/285 , H01L21/768 , H01L21/3205 , C23C16/455
Abstract: 一种在处理容器内的被处理基板上成膜的成膜方法，由第一膜生长工序和第二膜生长工序构成。该第一膜生长工序重复进行将不包含卤素的由有机金属化合物构成的第一原料气体提供给所述处理容器内后，从所述处理容器内除去所述第一原料气体的第一工序、和将包含氢或者氢化合物的第二原料气体提供给所述处理容器内之后，将所述第二原料气体从所述处理容器内除去的第二工序。该第二膜生长工序重复进行在将由金属卤化物构成的第三原料气体提供给所述处理容器内之后，将所述第三原料气体从所述被处理基板除去第三工序、和将包含氢或者氢化合物的第四原料气体提供给所述处理容器内之后，将所述第四原料气体从所述处理容器内除去的第四工序。
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公开(公告)号：CN100364046C
公开(公告)日：2008-01-23
申请号：CN03820662.5
申请日：2003-08-15
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/02 , C23C16/52 , C23C16/455 , H01L21/285 , H01L21/31
CPC classification number: H01L21/28562 , C23C16/34 , C23C16/45557
Abstract: 在处理装置中，将包含原料气体(TiCl4、NH3)和非活性气体(N2)的处理气体供给处理容器(2)内。利用压力计(6)检测处理容器(2)内的压力，根据检测结果，控制供给至处理容器(2)内的处理气体的流量。利用非活性气体进行原料气体的清洗。使原料气体的流量一定，通过控制非活性气体的流量，控制作为处理气体全体的流量，将处理容器(2)内的压力维持一定。为缩短排出原料气体需要的时间，缩短切换原料气体的时间。另外，可以维持处理中的基板表面的温度一定。
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公开(公告)号：CN1826428A
公开(公告)日：2006-08-30
申请号：CN200480002181.6
申请日：2004-02-26
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/455 , C23C16/34 , H01L21/285 , H01L21/31
CPC classification number: C23C16/45523 , C23C16/34 , C23C16/45525 , H01L21/28556 , H01L21/28562 , H01L21/76843
Abstract: 本发明涉及通过交互地供给成为原料的气体而进行薄膜的形成而迅速地形成高质量的薄膜的方法，是包括使作为原料气体的TiCl4气体附着于基板上或附着于基板的TiCl4分子上，把作为反应气体的NH3气体供给到处理容器内，使此NH3与TiCl4反应而形成TiN膜的工序，通过重复实施这些工序而形成TiN膜的方法，其中还设有在TiCl4气体附着于基板上前，把具有还原性的H2气供给到处理容器(30)内，使TiCl4变化成容易吸附于基板的状态(例如TiCl3)的工序。
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