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公开(公告)号：CN107836034B
公开(公告)日：2022-07-19
申请号：CN201680040035.5
申请日：2016-06-03
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 尤凯鸿 , 赫里特·J·勒斯因克 , 考利·瓦吉达 , 石坂忠大 , 袴田隆宏
IPC: H01L21/28 , H01L21/285 , C23C16/16 , C23C16/455 , C23C16/46
Abstract: 提供了一种用于至少部分地填充基底中的特征部的方法。该方法包括提供包括特征部的基底，沉积钌(Ru)金属层以至少部分地填充所述特征部，和热处理所述基底以使所述特征部中的Ru金属层回流。
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公开(公告)号：CN112805818A
公开(公告)日：2021-05-14
申请号：CN201980066266.7
申请日：2019-10-10
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/768
Abstract: 披露了一种用低电阻率金属填充凹陷特征的方法。该方法包括：提供图案化衬底，该图案化衬底包含形成在第一层中的凹陷特征和暴露在该凹陷特征中的第二层；并且用表面改性剂预处理该衬底，该表面改性剂增大在该第二层上相对于在该第一层上的金属沉积选择性；通过气相沉积将金属层沉积在该衬底上，其中该金属层优先地沉积在该凹陷特征中的第二层上；以及移除沉积在该第一层上、包括沉积在场区域上和该第一层的位于该凹陷特征中的侧壁上的金属核，以在该凹陷特征中的第二层上选择性地形成该金属层。该预处理、沉积和移除的步骤可以重复至少一次以增加该金属层在该凹陷特征中的厚度。
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公开(公告)号：CN112805818B
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN201980066266.7
申请日：2019-10-10
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/768
Abstract: 披露了一种用低电阻率金属填充凹陷特征的方法。该方法包括：提供图案化衬底，该图案化衬底包含形成在第一层中的凹陷特征和暴露在该凹陷特征中的第二层；并且用表面改性剂预处理该衬底，该表面改性剂增大在该第二层上相对于在该第一层上的金属沉积选择性；通过气相沉积将金属层沉积在该衬底上，其中该金属层优先地沉积在该凹陷特征中的第二层上；以及移除沉积在该第一层上、包括沉积在场区域上和该第一层的位于该凹陷特征中的侧壁上的金属核，以在该凹陷特征中的第二层上选择性地形成该金属层。该预处理、沉积和移除的步骤可以重复至少一次以增加该金属层在该凹陷特征中的厚度。
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公开(公告)号：CN107836034A
公开(公告)日：2018-03-23
申请号：CN201680040035.5
申请日：2016-06-03
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 尤凯鸿 , 赫里特·J·勒斯因克 , 考利·瓦吉达 , 石坂忠大 , 袴田隆宏
IPC: H01L21/28 , H01L21/285 , C23C16/16 , C23C16/455 , C23C16/46
CPC classification number: H01L23/5226 , H01L21/28556 , H01L21/28562 , H01L21/76814 , H01L21/76826 , H01L21/76876 , H01L21/76879 , H01L21/76882 , H01L23/53242
Abstract: 提供了一种用于至少部分地填充基底中的特征部的方法。该方法包括提供包括特征部的基底，沉积钌(Ru)金属层以至少部分地填充所述特征部，和热处理所述基底以使所述特征部中的Ru金属层回流。
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