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公开(公告)号：CN112805818A
公开(公告)日：2021-05-14
申请号：CN201980066266.7
申请日：2019-10-10
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/768
Abstract: 披露了一种用低电阻率金属填充凹陷特征的方法。该方法包括：提供图案化衬底，该图案化衬底包含形成在第一层中的凹陷特征和暴露在该凹陷特征中的第二层；并且用表面改性剂预处理该衬底，该表面改性剂增大在该第二层上相对于在该第一层上的金属沉积选择性；通过气相沉积将金属层沉积在该衬底上，其中该金属层优先地沉积在该凹陷特征中的第二层上；以及移除沉积在该第一层上、包括沉积在场区域上和该第一层的位于该凹陷特征中的侧壁上的金属核，以在该凹陷特征中的第二层上选择性地形成该金属层。该预处理、沉积和移除的步骤可以重复至少一次以增加该金属层在该凹陷特征中的厚度。
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公开(公告)号：CN112189255A
公开(公告)日：2021-01-05
申请号：CN201980032362.X
申请日：2019-03-18
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/768 , H01L21/027 , H01L29/78 , H01L29/66 , H01L21/3065 , H01L21/311 , H01L21/3213 , H01L21/66
Abstract: 提供了一种用于使用在公共生产平台上执行的集成的加工步骤序列来在半导体工件上进行自对准多重图案化的方法，该公共生产平台托管成膜模块、刻蚀模块和搬送模块。将其上形成有心轴图案的工件接收到公共生产平台中。至少部分地基于心轴图案形成侧壁间隔物图案，该侧壁间隔物图案具有分隔开第二间距距离的多个第二特征，其中，第一间距距离大于该第二间距距离。集成的加工步骤序列是在不离开受控环境的情况下在公共生产平台内执行的，并且搬送模块用于在使该工件维持在受控环境内的同时在加工模块之间搬送工件。广义上讲，是使用选择性/保形沉积、刻蚀或注入技术来在公共生产平台上形成侧壁间隔物图案。
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公开(公告)号：CN112805818B
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN201980066266.7
申请日：2019-10-10
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/768
Abstract: 披露了一种用低电阻率金属填充凹陷特征的方法。该方法包括：提供图案化衬底，该图案化衬底包含形成在第一层中的凹陷特征和暴露在该凹陷特征中的第二层；并且用表面改性剂预处理该衬底，该表面改性剂增大在该第二层上相对于在该第一层上的金属沉积选择性；通过气相沉积将金属层沉积在该衬底上，其中该金属层优先地沉积在该凹陷特征中的第二层上；以及移除沉积在该第一层上、包括沉积在场区域上和该第一层的位于该凹陷特征中的侧壁上的金属核，以在该凹陷特征中的第二层上选择性地形成该金属层。该预处理、沉积和移除的步骤可以重复至少一次以增加该金属层在该凹陷特征中的厚度。
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公开(公告)号：CN112189255B
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN201980032362.X
申请日：2019-03-18
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/768 , H01L21/027 , H01L29/78 , H01L29/66 , H01L21/3065 , H01L21/311 , H01L21/3213 , H01L21/66
Abstract: 提供了一种用于使用在公共生产平台上执行的集成的加工步骤序列来在半导体工件上进行自对准多重图案化的方法，该公共生产平台托管成膜模块、刻蚀模块和搬送模块。将其上形成有心轴图案的工件接收到公共生产平台中。至少部分地基于心轴图案形成侧壁间隔物图案，该侧壁间隔物图案具有分隔开第二间距距离的多个第二特征，其中，第一间距距离大于该第二间距距离。集成的加工步骤序列是在不离开受控环境的情况下在公共生产平台内执行的，并且搬送模块用于在使该工件维持在受控环境内的同时在加工模块之间搬送工件。广义上讲，是使用选择性/保形沉积、刻蚀或注入技术来在公共生产平台上形成侧壁间隔物图案。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117813681A
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN202280054774.5
申请日：2022-08-31
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 罗伯特·克拉克
IPC: H01L23/00
Abstract: 披露了一种用于形成半导体封装件的方法。该方法包括提供包括第一介电层的第一衬底。该方法包括用包含铝的第一粘合层覆盖该第一介电层的第一表面。该方法包括提供包括第二介电层的第二衬底。该方法包括用包含烷氧基硅氧化物的第二粘合层覆盖该第二介电层的第二表面。该方法包括通过结合该第一粘合层和该第二粘合层来形成第三粘合层，以便将该第一衬底粘合到该第二衬底。
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公开(公告)号：CN112106182A
公开(公告)日：2020-12-18
申请号：CN201980031247.0
申请日：2019-03-18
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67 , H01L21/687 , H01L21/683 , H01L21/66
Abstract: 本披露涉及一种大批量生产系统，用于在不离开该系统的受控环境(例如，亚大气压)的情况下按半导体加工序列加工和测量工件。系统加工室经由搬送室相互连接，这些搬送室用于在该受控环境中在加工室之间移动这些工件。这些搬送室包括带有专用工件支撑吸盘的测量区域，这些吸盘能够在测量期间平移和/或旋转工件。
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公开(公告)号：CN112074940A
公开(公告)日：2020-12-11
申请号：CN201980029791.1
申请日：2019-03-15
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67 , H01L21/02 , H01L21/677 , H01L21/027 , H01L21/66
Abstract: 本披露涉及一种大批量生产系统，用于在不离开该系统的受控环境(例如，亚大气压)的情况下按半导体加工序列加工和测量工件。系统加工室经由搬送室相互连接，这些搬送室用于在该受控环境中在加工室之间移动这些工件。这些搬送室包括能够在加工处理之前和/或之后测量工件属性的测量模块。该测量模块可以包括安装在搬送室上方、下方或内部的检查系统。
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公开(公告)号：CN112074939A
公开(公告)日：2020-12-11
申请号：CN201980029771.4
申请日：2019-03-15
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67 , H01L21/677 , C23C16/455 , H01L21/02 , H01L21/50 , H01L21/66
Abstract: 一种被配置用于执行集成的衬底加工和衬底计量的衬底加工工具以及加工衬底的方法。该衬底加工工具包括衬底搬送室、耦接至该衬底搬送室的多个衬底加工室、以及耦接至该衬底搬送室的衬底计量模块。一种衬底加工方法包括：在衬底加工工具的第一衬底加工室中加工衬底，将该衬底从该第一衬底加工室通过衬底搬送室搬送到该衬底加工工具中的衬底计量模块，在该衬底计量模块中对该衬底执行计量，将该衬底从该衬底计量模块通过该衬底搬送室搬送到第二衬底加工室，以及在该第二衬底加工室中加工该衬底。
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