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公开(公告)号：CN109478022A
公开(公告)日：2019-03-15
申请号：CN201780043912.9
申请日：2017-05-18
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: G03F7/20 , G03F1/80 , H01L21/027 , H01L21/02 , H01L21/311
Abstract: 提供了对间隔物进行图案化的方法，所述方法包括：在处理室中在基底中设置初始图案化结构，初始图案化结构包括有机芯轴和下层；将图案化结构暴露在直流叠加(DCS)等离子体处理工艺中，该工艺将第一材料的层沉积在初始图案化结构上；使用第二材料进行原子层共形沉积工艺，第一材料在原子层共形沉积工艺开始时为有机芯轴提供保护；进行后间隔物蚀刻芯轴拉伸工艺，该工艺产生具有目标最终侧壁角度的最终图案化结构；在暴露图案化结构、原子层共形沉积工艺和后间隔物蚀刻芯轴拉伸工艺中同时控制集成操作变量以满足目标最终侧壁角度和其他集成目标。
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公开(公告)号：CN112189255B
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN201980032362.X
申请日：2019-03-18
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/768 , H01L21/027 , H01L29/78 , H01L29/66 , H01L21/3065 , H01L21/311 , H01L21/3213 , H01L21/66
Abstract: 提供了一种用于使用在公共生产平台上执行的集成的加工步骤序列来在半导体工件上进行自对准多重图案化的方法，该公共生产平台托管成膜模块、刻蚀模块和搬送模块。将其上形成有心轴图案的工件接收到公共生产平台中。至少部分地基于心轴图案形成侧壁间隔物图案，该侧壁间隔物图案具有分隔开第二间距距离的多个第二特征，其中，第一间距距离大于该第二间距距离。集成的加工步骤序列是在不离开受控环境的情况下在公共生产平台内执行的，并且搬送模块用于在使该工件维持在受控环境内的同时在加工模块之间搬送工件。广义上讲，是使用选择性/保形沉积、刻蚀或注入技术来在公共生产平台上形成侧壁间隔物图案。
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公开(公告)号：CN109478022B
公开(公告)日：2021-12-28
申请号：CN201780043912.9
申请日：2017-05-18
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: G03F7/20 , G03F1/80 , H01L21/027 , H01L21/02 , H01L21/311
Abstract: 提供了对间隔物进行图案化的方法，所述方法包括：在处理室中在基底中设置初始图案化结构，初始图案化结构包括有机芯轴和下层；将图案化结构暴露在直流叠加(DCS)等离子体处理工艺中，该工艺将第一材料的层沉积在初始图案化结构上；使用第二材料进行原子层共形沉积工艺，第一材料在原子层共形沉积工艺开始时为有机芯轴提供保护；进行后间隔物蚀刻芯轴拉伸工艺，该工艺产生具有目标最终侧壁角度的最终图案化结构；在暴露图案化结构、原子层共形沉积工艺和后间隔物蚀刻芯轴拉伸工艺中同时控制集成操作变量以满足目标最终侧壁角度和其他集成目标。
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公开(公告)号：CN112189255A
公开(公告)日：2021-01-05
申请号：CN201980032362.X
申请日：2019-03-18
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/768 , H01L21/027 , H01L29/78 , H01L29/66 , H01L21/3065 , H01L21/311 , H01L21/3213 , H01L21/66
Abstract: 提供了一种用于使用在公共生产平台上执行的集成的加工步骤序列来在半导体工件上进行自对准多重图案化的方法，该公共生产平台托管成膜模块、刻蚀模块和搬送模块。将其上形成有心轴图案的工件接收到公共生产平台中。至少部分地基于心轴图案形成侧壁间隔物图案，该侧壁间隔物图案具有分隔开第二间距距离的多个第二特征，其中，第一间距距离大于该第二间距距离。集成的加工步骤序列是在不离开受控环境的情况下在公共生产平台内执行的，并且搬送模块用于在使该工件维持在受控环境内的同时在加工模块之间搬送工件。广义上讲，是使用选择性/保形沉积、刻蚀或注入技术来在公共生产平台上形成侧壁间隔物图案。
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