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公开(公告)号：CN112805818A
公开(公告)日：2021-05-14
申请号：CN201980066266.7
申请日：2019-10-10
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/768
Abstract: 披露了一种用低电阻率金属填充凹陷特征的方法。该方法包括：提供图案化衬底，该图案化衬底包含形成在第一层中的凹陷特征和暴露在该凹陷特征中的第二层；并且用表面改性剂预处理该衬底，该表面改性剂增大在该第二层上相对于在该第一层上的金属沉积选择性；通过气相沉积将金属层沉积在该衬底上，其中该金属层优先地沉积在该凹陷特征中的第二层上；以及移除沉积在该第一层上、包括沉积在场区域上和该第一层的位于该凹陷特征中的侧壁上的金属核，以在该凹陷特征中的第二层上选择性地形成该金属层。该预处理、沉积和移除的步骤可以重复至少一次以增加该金属层在该凹陷特征中的厚度。
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公开(公告)号：CN112805818B
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN201980066266.7
申请日：2019-10-10
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/768
Abstract: 披露了一种用低电阻率金属填充凹陷特征的方法。该方法包括：提供图案化衬底，该图案化衬底包含形成在第一层中的凹陷特征和暴露在该凹陷特征中的第二层；并且用表面改性剂预处理该衬底，该表面改性剂增大在该第二层上相对于在该第一层上的金属沉积选择性；通过气相沉积将金属层沉积在该衬底上，其中该金属层优先地沉积在该凹陷特征中的第二层上；以及移除沉积在该第一层上、包括沉积在场区域上和该第一层的位于该凹陷特征中的侧壁上的金属核，以在该凹陷特征中的第二层上选择性地形成该金属层。该预处理、沉积和移除的步骤可以重复至少一次以增加该金属层在该凹陷特征中的厚度。
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公开(公告)号：CN110945159B
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN201880049587.1
申请日：2018-07-27
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/458 , C23C16/44 , C23C16/46 , C23C16/52 , H01L21/02 , H01L21/687
Abstract: 本文的技术包括用于将薄膜沉积到晶片的后侧表面以减少晶片弯曲和晶片变形的处理室。基板支承件提供围绕晶片的底部和/或侧面的环形周边密封，该基板支承件允许大部分基板后侧暴露于处理环境。被支承的晶片将室分成提供不同处理环境的下室和上室。处理室的下区段包括被配置成施加和移除薄膜的沉积硬件。上区段可以保持化学惰性环境，保护晶片顶部表面上的现有特征。使用多个排气部和压力差来防止沉积气体接近晶片的工作表面。
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公开(公告)号：CN110945159A
公开(公告)日：2020-03-31
申请号：CN201880049587.1
申请日：2018-07-27
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/458 , C23C16/44 , C23C16/46 , C23C16/52 , H01L21/02 , H01L21/687
Abstract: 本文的技术包括用于将薄膜沉积到晶片的后侧表面以减少晶片弯曲和晶片变形的处理室。基板支承件提供围绕晶片的底部和/或侧面的环形周边密封，该基板支承件允许大部分基板后侧暴露于处理环境。被支承的晶片将室分成提供不同处理环境的下室和上室。处理室的下区段包括被配置成施加和移除薄膜的沉积硬件。上区段可以保持化学惰性环境，保护晶片顶部表面上的现有特征。使用多个排气部和压力差来防止沉积气体接近晶片的工作表面。
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