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公开(公告)号：CN114097062B
公开(公告)日：2025-04-08
申请号：CN202080050799.9
申请日：2020-07-16
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 丹尼尔·富尔福德 , 约迪·格热希科维亚克 , 安东·德维利耶
IPC: H01L21/027 , H01L21/033 , H01L21/308 , H01L21/311 , H01L21/02
Abstract: 本披露内容涉及一种用于调整衬底上膜的应力过渡的方法。该方法包括：在该衬底上形成应力调节层，其中，该应力调节层包括由第一材料形成的第一区域以及由第二材料形成的第二区域，其中，该第一材料包括第一内应力，而该第二材料包括第二内应力，并且其中，该第一内应力与该第二内应力相比是不同的；以及在这些第一区域与这些第二区域之间形成过渡区域，其中，这些过渡区域包括该第一材料与该第二材料之间的界面，该界面具有大于零度且小于90度的预定斜坡。
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公开(公告)号：CN110945159B
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN201880049587.1
申请日：2018-07-27
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/458 , C23C16/44 , C23C16/46 , C23C16/52 , H01L21/02 , H01L21/687
Abstract: 本文的技术包括用于将薄膜沉积到晶片的后侧表面以减少晶片弯曲和晶片变形的处理室。基板支承件提供围绕晶片的底部和/或侧面的环形周边密封，该基板支承件允许大部分基板后侧暴露于处理环境。被支承的晶片将室分成提供不同处理环境的下室和上室。处理室的下区段包括被配置成施加和移除薄膜的沉积硬件。上区段可以保持化学惰性环境，保护晶片顶部表面上的现有特征。使用多个排气部和压力差来防止沉积气体接近晶片的工作表面。
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公开(公告)号：CN110945159A
公开(公告)日：2020-03-31
申请号：CN201880049587.1
申请日：2018-07-27
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/458 , C23C16/44 , C23C16/46 , C23C16/52 , H01L21/02 , H01L21/687
Abstract: 本文的技术包括用于将薄膜沉积到晶片的后侧表面以减少晶片弯曲和晶片变形的处理室。基板支承件提供围绕晶片的底部和/或侧面的环形周边密封，该基板支承件允许大部分基板后侧暴露于处理环境。被支承的晶片将室分成提供不同处理环境的下室和上室。处理室的下区段包括被配置成施加和移除薄膜的沉积硬件。上区段可以保持化学惰性环境，保护晶片顶部表面上的现有特征。使用多个排气部和压力差来防止沉积气体接近晶片的工作表面。
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公开(公告)号：CN115298806A
公开(公告)日：2022-11-04
申请号：CN202180021779.3
申请日：2021-03-11
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 约迪·格热希科维亚克 , 丹尼尔·富尔福德 , 罗伯特·布兰特
IPC: H01L21/3105 , H01L21/02 , H01L21/311
Abstract: 一种平坦化衬底的方法，包括：接收衬底，该衬底具有在该衬底的工作表面的目标层上形成的结构，其中，这些结构和该目标层由不同材料形成。在该衬底上沉积包括溶解度改变剂的接枝材料，该接枝材料粘附到该目标层的未覆盖表面而不粘附到这些结构的表面，在该衬底上沉积填充材料以覆盖该接枝材料，使该溶解度改变剂在该填充材料中扩散预定距离，其中，该溶解度改变剂使该填充材料变为不可溶于预定溶剂，以及使用该预定溶剂去除该填充材料的可溶部分，其中，该填充材料的剩余部分形成与该衬底的工作表面平行的表面。
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公开(公告)号：CN114585969A
公开(公告)日：2022-06-03
申请号：CN202080064261.3
申请日：2020-09-17
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 安东·J·德维利耶 , 约迪·格热希科维亚克 , 丹尼尔·富尔福德 , 理查德·A·法雷尔 , 杰弗里·史密斯
Abstract: 提供了一种在基板上形成图案的方法。该方法包括在基板的下层上形成第一层，其中，第一层被图案化以具有第一结构。该方法还包括在第一结构的侧表面上沉积接枝材料，其中，接枝材料包括溶解性转移材料。该方法还包括将溶解性转移材料扩散预定距离进入邻接溶解性转移材料的相邻结构，其中，溶解性转移材料改变相邻结构在显影剂中的溶解性，并且使用显影剂去除相邻结构的可溶部分以形成第二结构。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114097062A
公开(公告)日：2022-02-25
申请号：CN202080050799.9
申请日：2020-07-16
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 丹尼尔·富尔福德 , 约迪·格热希科维亚克 , 安东·德维利耶
IPC: H01L21/027 , H01L21/033 , H01L21/308 , H01L21/311 , H01L21/02
Abstract: 本披露内容涉及一种用于调整衬底上膜的应力过渡的方法。该方法包括：在该衬底上形成应力调节层，其中，该应力调节层包括由第一材料形成的第一区域以及由第二材料形成的第二区域，其中，该第一材料包括第一内应力，而该第二材料包括第二内应力，并且其中，该第一内应力与该第二内应力相比是不同的；以及在这些第一区域与这些第二区域之间形成过渡区域，其中，这些过渡区域包括该第一材料与该第二材料之间的界面，该界面具有大于零度且小于90度的预定斜坡。
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公开(公告)号：CN113016054A
公开(公告)日：2021-06-22
申请号：CN201980075002.8
申请日：2019-11-12
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 杰弗里·史密斯 , 安东·德维利耶 , 罗伯特·布兰特 , 约迪·格热希科维亚克 , 丹尼尔·富尔福德
IPC: H01L21/033 , H01L21/3105
Abstract: 本文的技术包括用于使在半导体器件的制造中使用的膜平坦化的方法。这种制造可以在衬底的表面上生成各结构，并且这些结构在该表面上可以具有空间可变的密度。本文的平坦化方法包括在这些结构和该衬底之上沉积第一酸不稳定性膜，该第一酸不稳定性膜填充在这些结构之间。在该第一酸不稳定性膜之上沉积第二酸不稳定性膜。在该第二酸不稳定性膜之上沉积酸源膜，该酸源膜包括生酸剂，该生酸剂被配置为响应于接收到具有预定波长的光的辐射而生成酸。将辐射图案投射在该酸源膜上方，该辐射图案在该辐射图案的预定区域处具有空间可变的强度。
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公开(公告)号：CN111902909A
公开(公告)日：2020-11-06
申请号：CN201980020078.0
申请日：2019-03-19
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/027 , H01L21/66 , H01L21/02 , G03F7/00
Abstract: 本文中的技术包括调整分配的抗蚀剂或溶剂的膜厚度的方法。本文中的技术包括通过从分配模块实时操纵衬底旋转速度、光致抗蚀剂的粘度、光致抗蚀剂内的固体的量、以及溶剂的蒸发速率来控制抗蚀剂膜的最终厚度。这包括在即将沉积在衬底上之前将较高浓度的光致抗蚀剂与稀释流体在接近分配喷嘴处混合。可以计算添加的稀释流体的量，以使光致抗蚀剂的浓度或粘度产生具有期望厚度的膜。
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公开(公告)号：CN107799451A
公开(公告)日：2018-03-13
申请号：CN201710791991.3
申请日：2017-09-05
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本公开提供了半导体加工中控制曲度以控制叠对的位置特定的应力调节。本公开的技术包括通过校正或调整晶片的弯曲来校正图案叠对误差的系统和方法。特定于位置的对半导体衬底上的应力的调整减小了叠对误差。特定于位置的应力调整独立地修改衬底上的特定区、区域或点位置以改变在那些特定位置处的晶片曲度，这降低了衬底上的叠对误差，转而改进了在衬底上创建的后续图案的叠对。本公开的技术包括：接收具有一定量的叠对误差的衬底；测量衬底的曲度以映射跨衬底的z高度偏差；生成叠对校正图案；以及通过独立于其他坐标位置的修改在特定位置处物理地修改衬底上的内应力。这样的修改可以包括蚀刻衬底的背面表面。一个或多个加工模块可用于这种加工。
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公开(公告)号：CN118339635A
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202280072745.1
申请日：2022-11-04
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/302 , G03F7/20 , H01L21/311
Abstract: 本披露内容的各方面提供一种用于通过校正晶片形状来改进图案化的叠加对准的方法。例如，该方法可以包括接收晶片，该晶片具有带有至少部分制造的半导体器件的工作表面以及与工作表面相反的背侧表面。该方法还可以包括在背侧表面上形成第一应力源膜。第一应力源膜可以修改跨越晶片的工作表面的第一方向上的工作表面的叠加对准。该方法还可以包括在晶片的工作表面上形成一个或多个第一半导体结构。第一半导体结构在第一方向上对准。
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