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公开(公告)号：CN118339635A
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202280072745.1
申请日：2022-11-04
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/302 , G03F7/20 , H01L21/311
Abstract: 本披露内容的各方面提供一种用于通过校正晶片形状来改进图案化的叠加对准的方法。例如，该方法可以包括接收晶片，该晶片具有带有至少部分制造的半导体器件的工作表面以及与工作表面相反的背侧表面。该方法还可以包括在背侧表面上形成第一应力源膜。第一应力源膜可以修改跨越晶片的工作表面的第一方向上的工作表面的叠加对准。该方法还可以包括在晶片的工作表面上形成一个或多个第一半导体结构。第一半导体结构在第一方向上对准。
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