公开(公告)号：CN113016054A

公开(公告)日：2021-06-22

申请号：CN201980075002.8

申请日：2019-11-12

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 杰弗里·史密斯 ,  安东·德维利耶 ,  罗伯特·布兰特 ,  约迪·格热希科维亚克 ,  丹尼尔·富尔福德

IPC: H01L21/033 ,  H01L21/3105

Abstract: 本文的技术包括用于使在半导体器件的制造中使用的膜平坦化的方法。这种制造可以在衬底的表面上生成各结构，并且这些结构在该表面上可以具有空间可变的密度。本文的平坦化方法包括在这些结构和该衬底之上沉积第一酸不稳定性膜，该第一酸不稳定性膜填充在这些结构之间。在该第一酸不稳定性膜之上沉积第二酸不稳定性膜。在该第二酸不稳定性膜之上沉积酸源膜，该酸源膜包括生酸剂，该生酸剂被配置为响应于接收到具有预定波长的光的辐射而生成酸。将辐射图案投射在该酸源膜上方，该辐射图案在该辐射图案的预定区域处具有空间可变的强度。

公开(公告)号：CN115298806A

公开(公告)日：2022-11-04

申请号：CN202180021779.3

申请日：2021-03-11

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 约迪·格热希科维亚克 ,  丹尼尔·富尔福德 ,  罗伯特·布兰特

IPC: H01L21/3105 ,  H01L21/02 ,  H01L21/311

Abstract: 一种平坦化衬底的方法，包括：接收衬底，该衬底具有在该衬底的工作表面的目标层上形成的结构，其中，这些结构和该目标层由不同材料形成。在该衬底上沉积包括溶解度改变剂的接枝材料，该接枝材料粘附到该目标层的未覆盖表面而不粘附到这些结构的表面，在该衬底上沉积填充材料以覆盖该接枝材料，使该溶解度改变剂在该填充材料中扩散预定距离，其中，该溶解度改变剂使该填充材料变为不可溶于预定溶剂，以及使用该预定溶剂去除该填充材料的可溶部分，其中，该填充材料的剩余部分形成与该衬底的工作表面平行的表面。

公开(公告)号：CN113016054B

公开(公告)日：2024-02-20

申请号：CN201980075002.8

申请日：2019-11-12

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 杰弗里·史密斯 ,  安东·德维利耶 ,  罗伯特·布兰特 ,  约迪·格热希科维亚克 ,  丹尼尔·富尔福德

IPC: H01L21/033 ,  H01L21/3105

Abstract: 本文的技术包括用于使在半导体器件的制造中使用的膜平坦化的方法。这种制造可以在衬底的表面上生成各结构，并且这些结构在该表面上可以具有空间可变的密度。本文的平坦化方法包括在这些结构和该衬底之上沉积第一酸不稳定性膜，该第一酸不稳定性膜填充在这些结构之间。在该第一酸不稳定性膜之上沉积第二酸不稳定性膜。在该第二酸不稳定性膜之上沉积酸源膜，该酸源膜包括生酸剂，该生酸剂被配置为响应于接收到具有预定波长的光的辐射而生成酸。将辐射图案投射在该酸源膜上方，该辐射图案在该辐射图案的预定区域处具有空间可变的强度。