公开(公告)号：CN114097062B

公开(公告)日：2025-04-08

申请号：CN202080050799.9

申请日：2020-07-16

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 丹尼尔·富尔福德 ,  约迪·格热希科维亚克 ,  安东·德维利耶

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/033 ,  H01L21/308 ,  H01L21/311 ,  H01L21/02

Abstract: 本披露内容涉及一种用于调整衬底上膜的应力过渡的方法。该方法包括：在该衬底上形成应力调节层，其中，该应力调节层包括由第一材料形成的第一区域以及由第二材料形成的第二区域，其中，该第一材料包括第一内应力，而该第二材料包括第二内应力，并且其中，该第一内应力与该第二内应力相比是不同的；以及在这些第一区域与这些第二区域之间形成过渡区域，其中，这些过渡区域包括该第一材料与该第二材料之间的界面，该界面具有大于零度且小于90度的预定斜坡。

公开(公告)号：CN113016054B

公开(公告)日：2024-02-20

申请号：CN201980075002.8

申请日：2019-11-12

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 杰弗里·史密斯 ,  安东·德维利耶 ,  罗伯特·布兰特 ,  约迪·格热希科维亚克 ,  丹尼尔·富尔福德

IPC: H01L21/033 ,  H01L21/3105

Abstract: 本文的技术包括用于使在半导体器件的制造中使用的膜平坦化的方法。这种制造可以在衬底的表面上生成各结构，并且这些结构在该表面上可以具有空间可变的密度。本文的平坦化方法包括在这些结构和该衬底之上沉积第一酸不稳定性膜，该第一酸不稳定性膜填充在这些结构之间。在该第一酸不稳定性膜之上沉积第二酸不稳定性膜。在该第二酸不稳定性膜之上沉积酸源膜，该酸源膜包括生酸剂，该生酸剂被配置为响应于接收到具有预定波长的光的辐射而生成酸。将辐射图案投射在该酸源膜上方，该辐射图案在该辐射图案的预定区域处具有空间可变的强度。

公开(公告)号：CN114127899A

公开(公告)日：2022-03-01

申请号：CN202080051601.9

申请日：2020-06-17

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 丹尼尔·富尔福德 ,  约迪·格热希科维亚克 ,  安东·德维利耶

IPC: H01L21/321 ,  H01L21/768

Abstract: 本披露内容涉及用于通过放大和控制z高度技术来平坦化衬底的技术和方法。可以针对每个器件对z高度的可变性进行建模或测量。然后可以在衬底上形成和加工相对高度图案。通过使用具有不同蚀刻速率的不同材料，可以将平坦化图案转移到该衬底或系统来形成平坦化的衬底表面以改进光刻。此外，可以使用相同的方法精确控制过渡区斜率。

公开(公告)号：CN114424321A

公开(公告)日：2022-04-29

申请号：CN202080066595.4

申请日：2020-09-25

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 约迪·格热希科维亚克 ,  安东尼·舍皮斯 ,  安东·J·德维利耶

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/033 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/308 ,  G03F7/09 ,  G03F7/11

Abstract: 一种用于图案化基板的方法，在该方法中,可以在基板上形成图案化的光致抗蚀剂结构，图案化的光致抗蚀剂结构具有侧壁。可以在侧壁上沉积间隔物材料的共形层。然后,可从基板去除图案化的光致抗蚀剂结构，留下间隔物材料。然后，可以使用侧壁间隔物作为蚀刻掩模来定向地蚀刻基板以形成具有目标临界尺寸的基板。

公开(公告)号：CN114097062A

公开(公告)日：2022-02-25

申请号：CN202080050799.9

申请日：2020-07-16

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 丹尼尔·富尔福德 ,  约迪·格热希科维亚克 ,  安东·德维利耶

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/033 ,  H01L21/308 ,  H01L21/311 ,  H01L21/02

Abstract: 本披露内容涉及一种用于调整衬底上膜的应力过渡的方法。该方法包括：在该衬底上形成应力调节层，其中，该应力调节层包括由第一材料形成的第一区域以及由第二材料形成的第二区域，其中，该第一材料包括第一内应力，而该第二材料包括第二内应力，并且其中，该第一内应力与该第二内应力相比是不同的；以及在这些第一区域与这些第二区域之间形成过渡区域，其中，这些过渡区域包括该第一材料与该第二材料之间的界面，该界面具有大于零度且小于90度的预定斜坡。

公开(公告)号：CN113016054A

公开(公告)日：2021-06-22

申请号：CN201980075002.8

申请日：2019-11-12

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 杰弗里·史密斯 ,  安东·德维利耶 ,  罗伯特·布兰特 ,  约迪·格热希科维亚克 ,  丹尼尔·富尔福德

IPC: H01L21/033 ,  H01L21/3105

Abstract: 本文的技术包括用于使在半导体器件的制造中使用的膜平坦化的方法。这种制造可以在衬底的表面上生成各结构，并且这些结构在该表面上可以具有空间可变的密度。本文的平坦化方法包括在这些结构和该衬底之上沉积第一酸不稳定性膜，该第一酸不稳定性膜填充在这些结构之间。在该第一酸不稳定性膜之上沉积第二酸不稳定性膜。在该第二酸不稳定性膜之上沉积酸源膜，该酸源膜包括生酸剂，该生酸剂被配置为响应于接收到具有预定波长的光的辐射而生成酸。将辐射图案投射在该酸源膜上方，该辐射图案在该辐射图案的预定区域处具有空间可变的强度。

公开(公告)号：CN111699550A

公开(公告)日：2020-09-22

申请号：CN201980012407.7

申请日：2019-03-19

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 杰弗里·史密斯 ,  安东·J·德维莱尔 ,  塔皮利·N·坎达巴拉 ,  约迪·格热希科维亚克 ,  尤凯鸿

IPC: H01L21/8238 ,  H01L27/092 ,  H01L21/768

Abstract: 披露了一种半导体器件，该半导体器件包括多个第一源极/漏极和在第一源极/漏极上方形成的多个第一源极/漏极(S/D)触点。该器件还包括多个第一电介质盖。该多个第一电介质盖中的每一个均定位在相应的第一S/D触点上方以覆盖该相应的第一S/D触点的顶部部分和多个侧部部分的至少一部分。该器件还包括多个第二源极/漏极和多个第二S/D触点，该多个第二源极/漏极和多个第二S/D触点在该多个第一S/D触点上方交错布置以形成阶梯构型。多个第二电介质盖在该多个第二S/D触点上方形成。该多个第二电介质盖中的每一个均定位在相应的第二S/D触点上方以覆盖该相应的第二S/D触点的顶部部分和多个侧部部分的至少一部分。

公开(公告)号：CN115298806A

公开(公告)日：2022-11-04

申请号：CN202180021779.3

申请日：2021-03-11

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 约迪·格热希科维亚克 ,  丹尼尔·富尔福德 ,  罗伯特·布兰特

IPC: H01L21/3105 ,  H01L21/02 ,  H01L21/311

Abstract: 一种平坦化衬底的方法，包括：接收衬底，该衬底具有在该衬底的工作表面的目标层上形成的结构，其中，这些结构和该目标层由不同材料形成。在该衬底上沉积包括溶解度改变剂的接枝材料，该接枝材料粘附到该目标层的未覆盖表面而不粘附到这些结构的表面，在该衬底上沉积填充材料以覆盖该接枝材料，使该溶解度改变剂在该填充材料中扩散预定距离，其中，该溶解度改变剂使该填充材料变为不可溶于预定溶剂，以及使用该预定溶剂去除该填充材料的可溶部分，其中，该填充材料的剩余部分形成与该衬底的工作表面平行的表面。

公开(公告)号：CN114600232A

公开(公告)日：2022-06-07

申请号：CN202080064711.9

申请日：2020-09-16

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 尤凯鸿 ,  约迪·格热希科维亚克 ,  尼古拉斯·乔伊 ,  杰弗里·史密斯

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/74 ,  H01L21/8238 ,  H01L23/528 ,  H01L23/532 ,  H01L23/535

Abstract: 金属化的方法包括接收在其中形成有凹陷的衬底。该凹陷具有底部和侧壁，并且在凹陷的底部和侧壁上沉积共形衬里。从凹陷的上部去除共形衬里，以露出凹陷的上侧壁，同时留下凹陷的下部中的共形衬里，从而覆盖凹陷的底部和下侧壁。在凹陷的下部中沉积金属以形成金属化特征，该金属化特征包括在凹陷的下部中的共形衬里和金属。

公开(公告)号：CN114585969A

公开(公告)日：2022-06-03

申请号：CN202080064261.3

申请日：2020-09-17

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 安东·J·德维利耶 ,  约迪·格热希科维亚克 ,  丹尼尔·富尔福德 ,  理查德·A·法雷尔 ,  杰弗里·史密斯

IPC: G03F7/16 ,  G03F7/30 ,  G03F7/40 ,  G03F7/00 ,  G03F7/20 ,  H01L21/027

Abstract: 提供了一种在基板上形成图案的方法。该方法包括在基板的下层上形成第一层，其中，第一层被图案化以具有第一结构。该方法还包括在第一结构的侧表面上沉积接枝材料，其中，接枝材料包括溶解性转移材料。该方法还包括将溶解性转移材料扩散预定距离进入邻接溶解性转移材料的相邻结构，其中，溶解性转移材料改变相邻结构在显影剂中的溶解性，并且使用显影剂去除相邻结构的可溶部分以形成第二结构。