公开(公告)号：CN111699550A

公开(公告)日：2020-09-22

申请号：CN201980012407.7

申请日：2019-03-19

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 杰弗里·史密斯 ,  安东·J·德维莱尔 ,  塔皮利·N·坎达巴拉 ,  约迪·格热希科维亚克 ,  尤凯鸿

IPC: H01L21/8238 ,  H01L27/092 ,  H01L21/768

Abstract: 披露了一种半导体器件，该半导体器件包括多个第一源极/漏极和在第一源极/漏极上方形成的多个第一源极/漏极(S/D)触点。该器件还包括多个第一电介质盖。该多个第一电介质盖中的每一个均定位在相应的第一S/D触点上方以覆盖该相应的第一S/D触点的顶部部分和多个侧部部分的至少一部分。该器件还包括多个第二源极/漏极和多个第二S/D触点，该多个第二源极/漏极和多个第二S/D触点在该多个第一S/D触点上方交错布置以形成阶梯构型。多个第二电介质盖在该多个第二S/D触点上方形成。该多个第二电介质盖中的每一个均定位在相应的第二S/D触点上方以覆盖该相应的第二S/D触点的顶部部分和多个侧部部分的至少一部分。

公开(公告)号：CN111699550B

公开(公告)日：2023-05-09

申请号：CN201980012407.7

申请日：2019-03-19

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 杰弗里·史密斯 ,  安东·J·德维莱尔 ,  塔皮利·N·坎达巴拉 ,  约迪·格热希科维亚克 ,  尤凯鸿

IPC: H01L21/8238 ,  H01L27/092 ,  H01L21/768

Abstract: 披露了一种半导体器件，该半导体器件包括多个第一源极/漏极和在第一源极/漏极上方形成的多个第一源极/漏极(S/D)触点。该器件还包括多个第一电介质盖。该多个第一电介质盖中的每一个均定位在相应的第一S/D触点上方以覆盖该相应的第一S/D触点的顶部部分和多个侧部部分的至少一部分。该器件还包括多个第二源极/漏极和多个第二S/D触点，该多个第二源极/漏极和多个第二S/D触点在该多个第一S/D触点上方交错布置以形成阶梯构型。多个第二电介质盖在该多个第二S/D触点上方形成。该多个第二电介质盖中的每一个均定位在相应的第二S/D触点上方以覆盖该相应的第二S/D触点的顶部部分和多个侧部部分的至少一部分。