公开(公告)号：CN102414804A

公开(公告)日：2012-04-11

申请号：CN201080018603.4

申请日：2010-08-27

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 五味淳 ,  水泽宁 ,  波多野达夫 ,  横山敦 ,  石坂忠大 ,  安室千晃 ,  加藤多佳良

IPC: H01L21/3205 ,  H01L23/52

CPC classification number: H01L23/53238 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76849 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76883 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种实施有伴随500℃以上的温度的处理的后续工序的Cu配线的形成方法，其具有：在表面具有沟槽和/或孔的基板上的至少沟槽和/或孔的底面和侧面，形成由具有与Cu的晶格面间距的差为10％以内的晶格面间距的金属构成的密接膜的工序；在密接膜上以填埋沟槽和/或孔的方式形成Cu膜的工序；在Cu膜形成后的基板进行350℃以上的退火处理的工序；研磨Cu膜仅使Cu膜的对应于沟槽和/或孔的部分残留的工序；和在研磨后的Cu膜形成盖而成为Cu配线的工序。

公开(公告)号：CN102918633A

公开(公告)日：2013-02-06

申请号：CN201180027424.1

申请日：2011-09-26

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 石坂忠大 ,  佐久间隆 ,  波多野达夫 ,  横山敦 ,  五味淳 ,  安室千晃 ,  福岛利彦 ,  户岛宏至 ,  川又诚也 ,  水泽宁 ,  加藤多佳良

IPC: H01L21/285 ,  C23C14/14 ,  H01L21/3205

CPC classification number: H01L21/768 ,  C23C14/021 ,  C23C14/024 ,  C23C14/14 ,  C23C14/345 ,  C23C14/3492 ,  C23C14/541 ,  C23C14/542 ,  H01J37/34 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/76865 ,  H01L21/76873 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76882

Abstract: 本发明提供一种成膜方法，在处理容器内利用等离子体从金属靶产生金属离子，然后通过偏压引入，由此在形成有凹部的被处理体上沉积金属的薄膜，该成膜方法包括：基膜形成工序，从靶生成金属离子，通过偏压将该金属离子引入到被处理体，在凹部内形成基膜；蚀刻工序，在不产生金属离子的状态下，通过偏压将稀有气体电离，并且将生成的离子引入到被处理体，对基膜进行蚀刻；和成膜回流工序，对靶进行等离子体溅射从而生成金属离子，通过偏置电力将该金属离子引入到被处理体，沉积由金属膜构成的主膜，使该主膜加热回流。

公开(公告)号：CN102349138A

公开(公告)日：2012-02-08

申请号：CN201080011219.1

申请日：2010-02-25

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 加藤多佳良 ,  水泽宁 ,  波多野达夫 ,  五味淳 ,  安室千晃 ,  横山敦

IPC: H01L21/3205 ,  C23C16/18 ,  H01L21/285 ,  H01L23/52

CPC classification number: H01L23/53238 ,  C23C16/16 ,  C23C16/56 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76864 ,  H01L21/76873 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 通过使用含有有机金属化合物的成膜原料并通过CVD在基板上形成Ru膜的工序和对形成有上述Ru膜的基板进行在含氢气氛中的退火的工序，形成CVD-Ru膜。