公开(公告)号：CN102918633A

公开(公告)日：2013-02-06

申请号：CN201180027424.1

申请日：2011-09-26

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 石坂忠大 ,  佐久间隆 ,  波多野达夫 ,  横山敦 ,  五味淳 ,  安室千晃 ,  福岛利彦 ,  户岛宏至 ,  川又诚也 ,  水泽宁 ,  加藤多佳良

IPC: H01L21/285 ,  C23C14/14 ,  H01L21/3205

CPC classification number: H01L21/768 ,  C23C14/021 ,  C23C14/024 ,  C23C14/14 ,  C23C14/345 ,  C23C14/3492 ,  C23C14/541 ,  C23C14/542 ,  H01J37/34 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/76865 ,  H01L21/76873 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76882

Abstract: 本发明提供一种成膜方法，在处理容器内利用等离子体从金属靶产生金属离子，然后通过偏压引入，由此在形成有凹部的被处理体上沉积金属的薄膜，该成膜方法包括：基膜形成工序，从靶生成金属离子，通过偏压将该金属离子引入到被处理体，在凹部内形成基膜；蚀刻工序，在不产生金属离子的状态下，通过偏压将稀有气体电离，并且将生成的离子引入到被处理体，对基膜进行蚀刻；和成膜回流工序，对靶进行等离子体溅射从而生成金属离子，通过偏置电力将该金属离子引入到被处理体，沉积由金属膜构成的主膜，使该主膜加热回流。