公开(公告)号：CN101120436A

公开(公告)日：2008-02-06

申请号：CN200680005022.0

申请日：2006-02-15

申请人： 株式会社爱发科 ,  三井化学株式会社 ,  东京毅力科创株式会社

发明人： 藤井宣年 ,  高村一夫 ,  三好秀典 ,  田中博文 ,  大池俊辅 ,  村上雅美 ,  窪田武司 ,  藏野义人

IPC分类号： H01L21/316 ,  C01B33/12 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522

CPC分类号： H01L21/76826 ,  C01B33/12 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02214 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/31608 ,  H01L21/31695 ,  Y10T428/249994

摘要： 本发明提供一种改性多孔质二氧化硅膜，其对多孔质二氧化硅膜，在减压(30kPa以下)下使具有至少各1个的疏水性基团(碳数1～6的烷基或C6H5基团)和可聚合性基团(氢原子、羟基或卤原子)的疏水性化合物进行气相聚合反应，使该膜中的空孔内壁生成疏水性聚合薄膜，由此得到该改性多孔质二氧化硅膜。该多孔质二氧化硅膜具有低介电常数及低折射率，且机械强度及疏水性得到改良。本发明还提供一种使用该多孔质二氧化硅膜的半导体装置。

公开(公告)号：CN100474530C

公开(公告)日：2009-04-01

申请号：CN200680005022.0

申请日：2006-02-15

申请人： 株式会社爱发科 ,  三井化学株式会社 ,  东京毅力科创株式会社

发明人： 藤井宣年 ,  高村一夫 ,  三好秀典 ,  田中博文 ,  大池俊辅 ,  村上雅美 ,  窪田武司 ,  藏野义人

IPC分类号： H01L21/316 ,  C01B33/12 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522

CPC分类号： H01L21/76826 ,  C01B33/12 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02214 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/31608 ,  H01L21/31695 ,  Y10T428/249994

摘要： 本发明提供一种改性多孔质二氧化硅膜，其对多孔质二氧化硅膜，在减压(30kPa以下)下使具有至少各1个的疏水性基团(碳数1～6的烷基或C6H5基团)和可聚合性基团(氢原子、羟基或卤原子)的疏水性化合物进行气相聚合反应，使该膜中的空孔内壁生成疏水性聚合薄膜，由此得到该改性多孔质二氧化硅膜。该多孔质二氧化硅膜具有低介电常数及低折射率，且机械强度及疏水性得到改良。本发明还提供一种使用该多孔质二氧化硅膜的半导体装置。

公开(公告)号：CN101146874A

公开(公告)日：2008-03-19

申请号：CN200680009348.0

申请日：2006-03-17

申请人： 株式会社爱发科 ,  独立行政法人产业技术综合研究所 ,  三井化学株式会社

发明人： 藤井宣年 ,  中山高博 ,  金山敏彦 ,  高村一夫 ,  田中博文

IPC分类号： C09D7/12 ,  C09D183/00 ,  H01L21/316

摘要： 本发明提供一种多孔质膜的前体组合物，所述多孔质膜的前体组合物包含：选自式Si(OR1)4及Ra(Si)(OR2)4－a(式中，R1表示1价的有机基团，R表示氢原子、氟原子或1价的有机基团，R2表示1价的有机基团，a是1～3的整数，R、R1及R2可以相同或不同)表示的化合物中的至少1种化合物、在250℃以上显示热分解的热分解性有机化合物、具有催化作用的元素和有机溶剂。使用该前体组合物的溶液，使其与疏水性化合物进行气相聚合反应，制作具有低介电常数、低折射率、高机械强度的疏水性多孔质膜。使用有该多孔质膜的半导体装置。

公开(公告)号：CN101015050B

公开(公告)日：2010-10-06

申请号：CN200580029618.X

申请日：2005-09-01

申请人： 株式会社爱发科 ,  三井化学株式会社

发明人： 奥良彰 ,  藤井宜年 ,  高村一夫

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L23/522

CPC分类号： H01L21/7682 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76834 ,  H01L2221/1047

摘要： 本发明提供一种具有足够低的介电常数和高机械强度的(具有夹层绝缘膜的)半导体器件。半导体器件的制备方法包括：在其上形成所需的元件区域的半导体基片表面上形成电介质薄膜的步骤，在所述电介质薄膜中围绕主要由Si-O键形成的骨架排列有多个孔；通过掩膜在电介质薄膜表面上图案化的步骤；和使含有四甲基环四硅氧烷(TMCTS)、六甲基二硅氮烷(HMDS)和三甲基氯硅烷(TMCS)分子中的至少一种的气体与所述电介质薄膜的图案化的表面接触的步骤。

公开(公告)号：CN101010794B

公开(公告)日：2010-06-23

申请号：CN200580029617.5

申请日：2005-09-01

申请人： 罗姆股份有限公司 ,  株式会社爱发科 ,  三井化学株式会社

发明人： 奥良彰 ,  藤井宜年 ,  高村一夫

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L23/522

CPC分类号： H01L21/76826 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/32051 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/7682 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76843 ,  H01L2221/1047

摘要： 本发明提供一种具有在电介质薄膜和导电层之间的提高的附着力和高可靠性的具有配线结构的半导体器件。具体公开了一种半导体的制备方法，该方法包括：在电介质薄膜表面上供应反应性等离子体以进行预处理的步骤，在所述电介质薄膜中围绕主要由Si-O键形成的骨架排列有多个孔；通过溅射方法在预处理的电介质薄膜表面上形成导电膜的步骤。该方法的特征在于，在预处理步骤之前，还具有使含有四甲基环四硅氧烷(TMCTS)、六甲基二硅氮烷(HMDS)和三甲基氯硅烷(TMCS)分子中的至少一种的气体与所述电介质薄膜表面接触。

公开(公告)号：CN101015050A

公开(公告)日：2007-08-08

申请号：CN200580029618.X

申请日：2005-09-01

申请人： 罗姆股份有限公司 ,  株式会社爱发科 ,  三井化学株式会社

发明人： 奥良彰 ,  藤井宜年 ,  高村一夫

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L23/522

CPC分类号： H01L21/7682 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76834 ,  H01L2221/1047

摘要： 本发明提供一种具有足够低的介电常数和高机械强度的(具有夹层绝缘膜的)半导体器件。半导体器件的制备方法包括：在其上形成所需的元件区域的半导体基片表面上形成电介质薄膜的步骤，在所述电介质薄膜中围绕主要由Si－O键形成的骨架排列有多个孔；通过掩膜在电介质薄膜表面上图案化的步骤；和使含有四甲基环四硅氧烷(TMCTS)、六甲基硅氮烷(HMDS)和三甲基氯硅烷(TMCS)分子中的至少一种的气体与所述电介质薄膜的图案化的表面接触的步骤。

公开(公告)号：CN101010794A

公开(公告)日：2007-08-01

申请号：CN200580029617.5

申请日：2005-09-01

申请人： 罗姆股份有限公司 ,  株式会社爱发科 ,  三井化学株式会社

发明人： 奥良彰 ,  藤井宜年 ,  高村一夫

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L23/522

CPC分类号： H01L21/76826 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/32051 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/7682 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76843 ,  H01L2221/1047

摘要： 本发明提供一种具有在电介质薄膜和导电层之间的提高的附着力和高可靠性的具有配线结构的半导体器件。具体公开了一种半导体的制备方法，该方法包括：在电介质薄膜表面上供应反应性等离子体以进行预处理的步骤，在所述电介质薄膜中围绕主要由Si－O键形成的骨架排列有多个孔；通过溅射方法在预处理的电介质薄膜表面上形成导电膜的步骤。该方法的特征在于，在预处理步骤之前，还具有使含有四甲基环四硅氧烷(TMCTS)、六甲基硅氮烷(HMDS)和三甲基氯硅烷(TMCS)分子中的至少一种的气体与所述电介质薄膜表面接触。

公开(公告)号：CN1871696A

公开(公告)日：2006-11-29

申请号：CN200480030737.2

申请日：2004-11-29

申请人： 东京毅力科创株式会社

发明人： 三好秀典 ,  高村一夫

IPC分类号： H01L21/312 ,  H01L21/316 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L21/02126 ,  C23C16/401 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/02362 ,  H01L21/31612 ,  H01L21/31695 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76831

摘要： 在CVD装置(111)中，通过加热器加热半导体晶片(W)，然后导入1，3，5，7－四甲基环四硅氧烷(TMCTS)，并在不施加高频电压的情况下进行热处理，从而进行包含硅的多孔低介电常数膜的改性处理。接着，在同一CVD装置(111)中加热半导体晶片(W)，然后导入TMCTS并施加高频电压，从而生成包含TMCTS的气体的等离子体，并在多孔低介电常数膜上形成高密度、高硬度的绝缘膜。

公开(公告)号：CN1871696B

公开(公告)日：2011-01-19

申请号：CN200480030737.2

申请日：2004-11-29

申请人： 东京毅力科创株式会社

发明人： 三好秀典 ,  高村一夫

IPC分类号： H01L21/312 ,  H01L21/316 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L21/02126 ,  C23C16/401 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/02362 ,  H01L21/31612 ,  H01L21/31695 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76831

摘要： 在CVD装置(111)中，通过加热器加热半导体晶片(W)，然后导入1，3，5，7-四甲基环四硅氧烷(TMCTS)，并在不施加高频电压的情况下进行热处理，从而进行包含硅的多孔低介电常数膜的改性处理。接着，在同一CVD装置(111)中加热半导体晶片(W)，然后导入TMCTS并施加高频电压，从而生成包含TMCTS的气体的等离子体，并在多孔低介电常数膜上形成高密度、高硬度的绝缘膜。

公开(公告)号：CN117270314A

公开(公告)日：2023-12-22

申请号：CN202311217958.1

申请日：2021-04-02

申请人： 三井化学株式会社 ,  国立研究开发法人产业技术综合研究所

发明人： 小野阳介 ,  石川比佐子 ,  小川亮平 ,  大久保敦 ,  高村一夫 ,  关口贵子 ,  加藤雄一 ,  山田健郎 ,  周英

IPC分类号： G03F1/62 ,  G03F7/20 ,  C01B32/168 ,  C01B32/17 ,  B82Y40/00

摘要： 本发明提供曝光用防护膜、防护膜组件、曝光原版、曝光装置及曝光用防护膜的制造方法。一种曝光用防护膜，其包含碳纳米管膜，碳纳米管膜含有碳纳米管，碳纳米管膜在波长13.5nm时的EUV光的透射率为80％以上，碳纳米管膜的厚度为1nm以上50nm以下，将碳纳米管膜配置于硅基板上，对于配置后的碳纳米管膜，使用反射分光膜厚度计，以下述条件测定反射率时，反射率的3σ为15％以下。＜条件＞测定点的直径：20μm，基准测定波长：波长285nm，测定点数：121点，相邻的测定点的中心点间距离：40μm。