-
公开(公告)号：CN101015050A
公开(公告)日：2007-08-08
申请号：CN200580029618.X
申请日：2005-09-01
IPC分类号： H01L21/768 , H01L23/522
CPC分类号： H01L21/7682 , H01L21/76802 , H01L21/76826 , H01L21/76832 , H01L21/76834 , H01L2221/1047
摘要： 本发明提供一种具有足够低的介电常数和高机械强度的(具有夹层绝缘膜的)半导体器件。半导体器件的制备方法包括：在其上形成所需的元件区域的半导体基片表面上形成电介质薄膜的步骤，在所述电介质薄膜中围绕主要由Si－O键形成的骨架排列有多个孔；通过掩膜在电介质薄膜表面上图案化的步骤；和使含有四甲基环四硅氧烷(TMCTS)、六甲基硅氮烷(HMDS)和三甲基氯硅烷(TMCS)分子中的至少一种的气体与所述电介质薄膜的图案化的表面接触的步骤。
-
公开(公告)号：CN101010794A
公开(公告)日：2007-08-01
申请号：CN200580029617.5
申请日：2005-09-01
IPC分类号： H01L21/768 , H01L23/522
CPC分类号： H01L21/76826 , H01L21/2855 , H01L21/32051 , H01L21/76802 , H01L21/7682 , H01L21/76832 , H01L21/76834 , H01L21/76843 , H01L2221/1047
摘要： 本发明提供一种具有在电介质薄膜和导电层之间的提高的附着力和高可靠性的具有配线结构的半导体器件。具体公开了一种半导体的制备方法，该方法包括：在电介质薄膜表面上供应反应性等离子体以进行预处理的步骤，在所述电介质薄膜中围绕主要由Si－O键形成的骨架排列有多个孔；通过溅射方法在预处理的电介质薄膜表面上形成导电膜的步骤。该方法的特征在于，在预处理步骤之前，还具有使含有四甲基环四硅氧烷(TMCTS)、六甲基硅氮烷(HMDS)和三甲基氯硅烷(TMCS)分子中的至少一种的气体与所述电介质薄膜表面接触。
-
公开(公告)号：CN101010794B
公开(公告)日：2010-06-23
申请号：CN200580029617.5
申请日：2005-09-01
IPC分类号： H01L21/768 , H01L23/522
CPC分类号： H01L21/76826 , H01L21/2855 , H01L21/32051 , H01L21/76802 , H01L21/7682 , H01L21/76832 , H01L21/76834 , H01L21/76843 , H01L2221/1047
摘要： 本发明提供一种具有在电介质薄膜和导电层之间的提高的附着力和高可靠性的具有配线结构的半导体器件。具体公开了一种半导体的制备方法，该方法包括：在电介质薄膜表面上供应反应性等离子体以进行预处理的步骤，在所述电介质薄膜中围绕主要由Si-O键形成的骨架排列有多个孔；通过溅射方法在预处理的电介质薄膜表面上形成导电膜的步骤。该方法的特征在于，在预处理步骤之前，还具有使含有四甲基环四硅氧烷(TMCTS)、六甲基二硅氮烷(HMDS)和三甲基氯硅烷(TMCS)分子中的至少一种的气体与所述电介质薄膜表面接触。
-
公开(公告)号：CN101015050B
公开(公告)日：2010-10-06
申请号：CN200580029618.X
申请日：2005-09-01
IPC分类号： H01L21/768 , H01L23/522
CPC分类号： H01L21/7682 , H01L21/76802 , H01L21/76826 , H01L21/76832 , H01L21/76834 , H01L2221/1047
摘要： 本发明提供一种具有足够低的介电常数和高机械强度的(具有夹层绝缘膜的)半导体器件。半导体器件的制备方法包括：在其上形成所需的元件区域的半导体基片表面上形成电介质薄膜的步骤，在所述电介质薄膜中围绕主要由Si-O键形成的骨架排列有多个孔；通过掩膜在电介质薄膜表面上图案化的步骤；和使含有四甲基环四硅氧烷(TMCTS)、六甲基二硅氮烷(HMDS)和三甲基氯硅烷(TMCS)分子中的至少一种的气体与所述电介质薄膜的图案化的表面接触的步骤。
-
-
-
搜索结果
4 条记录 (耗时 0.046 秒)
