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公开(公告)号：CN101146874A
公开(公告)日：2008-03-19
申请号：CN200680009348.0
申请日：2006-03-17
Applicant: 株式会社爱发科 , 独立行政法人产业技术综合研究所 , 三井化学株式会社
IPC: C09D7/12 , C09D183/00 , H01L21/316
Abstract: 本发明提供一种多孔质膜的前体组合物，所述多孔质膜的前体组合物包含：选自式Si(OR1)4及Ra(Si)(OR2)4－a(式中，R1表示1价的有机基团，R表示氢原子、氟原子或1价的有机基团，R2表示1价的有机基团，a是1～3的整数，R、R1及R2可以相同或不同)表示的化合物中的至少1种化合物、在250℃以上显示热分解的热分解性有机化合物、具有催化作用的元素和有机溶剂。使用该前体组合物的溶液，使其与疏水性化合物进行气相聚合反应，制作具有低介电常数、低折射率、高机械强度的疏水性多孔质膜。使用有该多孔质膜的半导体装置。
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公开(公告)号：CN101146874B
公开(公告)日：2012-08-15
申请号：CN200680009348.0
申请日：2006-03-17
Applicant: 株式会社爱发科 , 独立行政法人产业技术综合研究所
IPC: C09D7/12 , C09D183/00 , H01L21/316
Abstract: 本发明提供一种多孔质膜的前体组合物，所述多孔质膜的前体组合物包含：选自式Si(OR1)4及Ra(Si)(OR2)4-a(式中，R1表示1价的有机基团，R表示氢原子、氟原子或1价的有机基团，R2表示1价的有机基团，a是1～3的整数，R、R1及R2可以相同或不同)表示的化合物中的至少1种化合物、在250℃以上显示热分解的热分解性有机化合物、具有催化作用的元素和有机溶剂。使用该前体组合物的溶液，使其与疏水性化合物进行气相聚合反应，制作具有低介电常数、低折射率、高机械强度的疏水性多孔质膜。使用有该多孔质膜的半导体装置。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101490145A
公开(公告)日：2009-07-22
申请号：CN200780027621.7
申请日：2007-05-16
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: C08J9/36 , C08G77/18 , C09D5/25 , C09D7/12 , C09D183/04 , H01L21/312 , H01L21/316
CPC classification number: C09D183/04 , C08G77/04 , C08G77/56 , C08G77/58 , C09D183/14 , H01L21/02126 , H01L21/02203 , H01L21/02216 , H01L21/02282 , H01L21/02337 , H01L21/02348 , H01L21/3122 , H01L21/31695 , Y10T428/249921 , Y10T428/249953
Abstract: 本发明涉及含有选自式Si(OR1)4和Ra(Si)(OR2)4－a(式中，R1表示1价的有机基团，R表示氢原子、氟原子或1价的有机基团，R2表示1价的有机基团，a为1～3的整数，R、R1和R2可以相同或不同。)所示的化合物、热解性有机化合物、起催化作用的元素、和尿素等的前体组合物。对由该前体组合物得到的多孔膜照射紫外线后，与疏水性化合物发生气相反应，使用得到的多孔膜，得到半导体装置。
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公开(公告)号：CN101490145B
公开(公告)日：2012-04-18
申请号：CN200780027621.7
申请日：2007-05-16
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: C08J9/36 , C08G77/18 , C09D5/25 , C09D7/12 , C09D183/04 , H01L21/312 , H01L21/316
CPC classification number: C09D183/04 , C08G77/04 , C08G77/56 , C08G77/58 , C09D183/14 , H01L21/02126 , H01L21/02203 , H01L21/02216 , H01L21/02282 , H01L21/02337 , H01L21/02348 , H01L21/3122 , H01L21/31695 , Y10T428/249921 , Y10T428/249953
Abstract: 本发明涉及含有选自式Si(OR1)4和Ra(Si)(OR2)4-a(式中，R1表示1价的有机基团，R表示氢原子、氟原子或1价的有机基团，R2表示1价的有机基团，a为1～3的整数，R、R1和R2可以相同或不同。)所示的化合物、热解性有机化合物、起催化作用的元素、和尿素等的前体组合物。对由该前体组合物得到的多孔膜照射紫外线后，与疏水性化合物发生气相反应，使用得到的多孔膜，得到半导体装置。
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公开(公告)号：CN101821838A
公开(公告)日：2010-09-01
申请号：CN200880110373.7
申请日：2008-09-29
Applicant: 恩益禧电子股份有限公司 , 株式会社爱发科
IPC: H01L21/316 , H01L21/312 , H01L21/768 , H01L23/522
CPC classification number: H01L21/3122 , H01L21/02126 , H01L21/02203 , H01L21/02337 , H01L21/02359 , H01L21/31058 , H01L21/31695 , H01L21/76826 , H01L23/5329 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了一种制造疏水化多孔膜的方法，所述方法包括如下步骤：在衬底(1)上形成有机二氧化硅绝缘膜(2)；在将所述衬底(1)保持在硅烷化气体的露点以上但蒸发温度以下的温度下的同时，向布置了所述衬底(1)的装置中引入由硅烷化气体和惰性气体构成的混合气体(3)，所述衬底(1)具有有机二氧化硅绝缘膜(2)；停止向所述装置中引入所述混合气体(3)；以及对具有所述有机二氧化硅绝缘膜(2)的所述衬底(1)进行加热。所述方法能够获得疏水化的有机二氧化硅绝缘膜，所述有机二氧化硅绝缘膜(2)的表面和孔的表面被疏水化，从而抑制介电常数的增加。
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公开(公告)号：CN102047395A
公开(公告)日：2011-05-04
申请号：CN200980119778.1
申请日：2009-05-26
IPC: H01L21/312 , H01L21/3065 , H01L21/768 , H01L23/522
CPC classification number: H01L23/5329 , H01L21/02126 , H01L21/02203 , H01L21/3105 , H01L21/76814 , H01L21/7682 , H01L21/76826 , H01L23/53295 , H01L2221/1047 , H01L2924/0002 , H01L2924/12044 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种对具有多个孔的二氧化硅基多孔绝缘膜进行有效的硅烷化处理的方法。本发明还提供制造硅烷化多孔绝缘膜(204c)的方法，所述方法包括形成具有多个孔的多孔绝缘膜(204b)的步骤和使通过蒸发硅烷化材料而得到的硅烷化材料蒸汽(210)作用于所述多孔绝缘膜(204b)的步骤，所述硅烷化材料包含具有疏水基团的有机硅烷化合物和用于抑制所述有机硅烷化合物自聚的阻聚剂。
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公开(公告)号：CN101765561A
公开(公告)日：2010-06-30
申请号：CN200880100611.6
申请日：2008-08-05
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: C01B33/12 , C09D1/00 , G02F1/1337 , H01L21/316 , H01L21/768 , H01L23/522
CPC classification number: H01L21/31695 , C09D183/02 , G02F1/1337 , H01L21/02126 , H01L21/02203 , H01L21/02216 , H01L21/02282 , H01L21/02337 , H01L23/5329 , H01L2924/0002 , H01S5/304 , H01L2924/00
Abstract: 一种多孔质二氧化硅前体组合物，由下述成分混合进行制备：化学式1：R1m(R2-O)4-mSi(式中，R1和R2为烷基，可以相同或不相同，m表示0～3中的任意整数)表示的有机硅烷、水、醇以及化学式2：R3N(R4)3X(式中，R3和R4为烷基，可以相同或不相同，X表示卤素原子)表示的季铵化合物。涂布、烧制多孔质二氧化硅前体组合物而形成多孔质二氧化硅膜。具有多孔质二氧化硅膜的半导体元件、图像显示元件、液晶显示元件。
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