公开(公告)号：CN101146874B

公开(公告)日：2012-08-15

申请号：CN200680009348.0

申请日：2006-03-17

Applicant: 株式会社爱发科 ,  独立行政法人产业技术综合研究所

Inventor： 藤井宣年 ,  中山高博 ,  金山敏彦 ,  高村一夫 ,  田中博文

IPC: C09D7/12 ,  C09D183/00 ,  H01L21/316

Abstract: 本发明提供一种多孔质膜的前体组合物，所述多孔质膜的前体组合物包含：选自式Si(OR1)4及Ra(Si)(OR2)4-a(式中，R1表示1价的有机基团，R表示氢原子、氟原子或1价的有机基团，R2表示1价的有机基团，a是1～3的整数，R、R1及R2可以相同或不同)表示的化合物中的至少1种化合物、在250℃以上显示热分解的热分解性有机化合物、具有催化作用的元素和有机溶剂。使用该前体组合物的溶液，使其与疏水性化合物进行气相聚合反应，制作具有低介电常数、低折射率、高机械强度的疏水性多孔质膜。使用有该多孔质膜的半导体装置。

公开(公告)号：CN101146874A

公开(公告)日：2008-03-19

申请号：CN200680009348.0

申请日：2006-03-17

Applicant: 株式会社爱发科 ,  独立行政法人产业技术综合研究所 ,  三井化学株式会社

Inventor： 藤井宣年 ,  中山高博 ,  金山敏彦 ,  高村一夫 ,  田中博文

IPC: C09D7/12 ,  C09D183/00 ,  H01L21/316

Abstract: 本发明提供一种多孔质膜的前体组合物，所述多孔质膜的前体组合物包含：选自式Si(OR1)4及Ra(Si)(OR2)4－a(式中，R1表示1价的有机基团，R表示氢原子、氟原子或1价的有机基团，R2表示1价的有机基团，a是1～3的整数，R、R1及R2可以相同或不同)表示的化合物中的至少1种化合物、在250℃以上显示热分解的热分解性有机化合物、具有催化作用的元素和有机溶剂。使用该前体组合物的溶液，使其与疏水性化合物进行气相聚合反应，制作具有低介电常数、低折射率、高机械强度的疏水性多孔质膜。使用有该多孔质膜的半导体装置。

公开(公告)号：CN101490145B

公开(公告)日：2012-04-18

申请号：CN200780027621.7

申请日：2007-05-16

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 藤井宣年 ,  中山高博 ,  高村一夫 ,  田中博文

IPC: C08J9/36 ,  C08G77/18 ,  C09D5/25 ,  C09D7/12 ,  C09D183/04 ,  H01L21/312 ,  H01L21/316

CPC classification number: C09D183/04 ,  C08G77/04 ,  C08G77/56 ,  C08G77/58 ,  C09D183/14 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/02348 ,  H01L21/3122 ,  H01L21/31695 ,  Y10T428/249921 ,  Y10T428/249953

Abstract: 本发明涉及含有选自式Si(OR1)4和Ra(Si)(OR2)4-a(式中，R1表示1价的有机基团，R表示氢原子、氟原子或1价的有机基团，R2表示1价的有机基团，a为1～3的整数，R、R1和R2可以相同或不同。)所示的化合物、热解性有机化合物、起催化作用的元素、和尿素等的前体组合物。对由该前体组合物得到的多孔膜照射紫外线后，与疏水性化合物发生气相反应，使用得到的多孔膜，得到半导体装置。

公开(公告)号：CN101015050B

公开(公告)日：2010-10-06

申请号：CN200580029618.X

申请日：2005-09-01

Applicant: 株式会社爱发科 ,  三井化学株式会社

Inventor： 奥良彰 ,  藤井宜年 ,  高村一夫

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/522

CPC classification number: H01L21/7682 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76834 ,  H01L2221/1047

Abstract: 本发明提供一种具有足够低的介电常数和高机械强度的(具有夹层绝缘膜的)半导体器件。半导体器件的制备方法包括：在其上形成所需的元件区域的半导体基片表面上形成电介质薄膜的步骤，在所述电介质薄膜中围绕主要由Si-O键形成的骨架排列有多个孔；通过掩膜在电介质薄膜表面上图案化的步骤；和使含有四甲基环四硅氧烷(TMCTS)、六甲基二硅氮烷(HMDS)和三甲基氯硅烷(TMCS)分子中的至少一种的气体与所述电介质薄膜的图案化的表面接触的步骤。

公开(公告)号：CN101010794B

公开(公告)日：2010-06-23

申请号：CN200580029617.5

申请日：2005-09-01

Applicant: 罗姆股份有限公司 ,  株式会社爱发科 ,  三井化学株式会社

Inventor： 奥良彰 ,  藤井宜年 ,  高村一夫

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/522

CPC classification number: H01L21/76826 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/32051 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/7682 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76843 ,  H01L2221/1047

Abstract: 本发明提供一种具有在电介质薄膜和导电层之间的提高的附着力和高可靠性的具有配线结构的半导体器件。具体公开了一种半导体的制备方法，该方法包括：在电介质薄膜表面上供应反应性等离子体以进行预处理的步骤，在所述电介质薄膜中围绕主要由Si-O键形成的骨架排列有多个孔；通过溅射方法在预处理的电介质薄膜表面上形成导电膜的步骤。该方法的特征在于，在预处理步骤之前，还具有使含有四甲基环四硅氧烷(TMCTS)、六甲基二硅氮烷(HMDS)和三甲基氯硅烷(TMCS)分子中的至少一种的气体与所述电介质薄膜表面接触。

公开(公告)号：CN101490145A

公开(公告)日：2009-07-22

申请号：CN200780027621.7

申请日：2007-05-16

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 藤井宣年 ,  中山高博 ,  高村一夫 ,  田中博文

IPC: C08J9/36 ,  C08G77/18 ,  C09D5/25 ,  C09D7/12 ,  C09D183/04 ,  H01L21/312 ,  H01L21/316

CPC classification number: C09D183/04 ,  C08G77/04 ,  C08G77/56 ,  C08G77/58 ,  C09D183/14 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/02348 ,  H01L21/3122 ,  H01L21/31695 ,  Y10T428/249921 ,  Y10T428/249953

Abstract: 本发明涉及含有选自式Si(OR1)4和Ra(Si)(OR2)4－a(式中，R1表示1价的有机基团，R表示氢原子、氟原子或1价的有机基团，R2表示1价的有机基团，a为1～3的整数，R、R1和R2可以相同或不同。)所示的化合物、热解性有机化合物、起催化作用的元素、和尿素等的前体组合物。对由该前体组合物得到的多孔膜照射紫外线后，与疏水性化合物发生气相反应，使用得到的多孔膜，得到半导体装置。

公开(公告)号：CN101120436A

公开(公告)日：2008-02-06

申请号：CN200680005022.0

申请日：2006-02-15

Applicant: 株式会社爱发科 ,  三井化学株式会社 ,  东京毅力科创株式会社

Inventor： 藤井宣年 ,  高村一夫 ,  三好秀典 ,  田中博文 ,  大池俊辅 ,  村上雅美 ,  窪田武司 ,  藏野义人

IPC: H01L21/316 ,  C01B33/12 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522

CPC classification number: H01L21/76826 ,  C01B33/12 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02214 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/31608 ,  H01L21/31695 ,  Y10T428/249994

Abstract: 本发明提供一种改性多孔质二氧化硅膜，其对多孔质二氧化硅膜，在减压(30kPa以下)下使具有至少各1个的疏水性基团(碳数1～6的烷基或C6H5基团)和可聚合性基团(氢原子、羟基或卤原子)的疏水性化合物进行气相聚合反应，使该膜中的空孔内壁生成疏水性聚合薄膜，由此得到该改性多孔质二氧化硅膜。该多孔质二氧化硅膜具有低介电常数及低折射率，且机械强度及疏水性得到改良。本发明还提供一种使用该多孔质二氧化硅膜的半导体装置。

公开(公告)号：CN100474530C

公开(公告)日：2009-04-01

申请号：CN200680005022.0

申请日：2006-02-15

Applicant: 株式会社爱发科 ,  三井化学株式会社 ,  东京毅力科创株式会社

Inventor： 藤井宣年 ,  高村一夫 ,  三好秀典 ,  田中博文 ,  大池俊辅 ,  村上雅美 ,  窪田武司 ,  藏野义人

IPC: H01L21/316 ,  C01B33/12 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522

CPC classification number: H01L21/76826 ,  C01B33/12 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02214 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/31608 ,  H01L21/31695 ,  Y10T428/249994

Abstract: 本发明提供一种改性多孔质二氧化硅膜，其对多孔质二氧化硅膜，在减压(30kPa以下)下使具有至少各1个的疏水性基团(碳数1～6的烷基或C6H5基团)和可聚合性基团(氢原子、羟基或卤原子)的疏水性化合物进行气相聚合反应，使该膜中的空孔内壁生成疏水性聚合薄膜，由此得到该改性多孔质二氧化硅膜。该多孔质二氧化硅膜具有低介电常数及低折射率，且机械强度及疏水性得到改良。本发明还提供一种使用该多孔质二氧化硅膜的半导体装置。

公开(公告)号：CN101015050A

公开(公告)日：2007-08-08

申请号：CN200580029618.X

申请日：2005-09-01

Applicant: 罗姆股份有限公司 ,  株式会社爱发科 ,  三井化学株式会社

Inventor： 奥良彰 ,  藤井宜年 ,  高村一夫

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/522

CPC classification number: H01L21/7682 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76834 ,  H01L2221/1047

Abstract: 本发明提供一种具有足够低的介电常数和高机械强度的(具有夹层绝缘膜的)半导体器件。半导体器件的制备方法包括：在其上形成所需的元件区域的半导体基片表面上形成电介质薄膜的步骤，在所述电介质薄膜中围绕主要由Si－O键形成的骨架排列有多个孔；通过掩膜在电介质薄膜表面上图案化的步骤；和使含有四甲基环四硅氧烷(TMCTS)、六甲基硅氮烷(HMDS)和三甲基氯硅烷(TMCS)分子中的至少一种的气体与所述电介质薄膜的图案化的表面接触的步骤。

公开(公告)号：CN101010794A

公开(公告)日：2007-08-01

申请号：CN200580029617.5

申请日：2005-09-01

Applicant: 罗姆股份有限公司 ,  株式会社爱发科 ,  三井化学株式会社

Inventor： 奥良彰 ,  藤井宜年 ,  高村一夫

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/522

CPC classification number: H01L21/76826 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/32051 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/7682 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76843 ,  H01L2221/1047

Abstract: 本发明提供一种具有在电介质薄膜和导电层之间的提高的附着力和高可靠性的具有配线结构的半导体器件。具体公开了一种半导体的制备方法，该方法包括：在电介质薄膜表面上供应反应性等离子体以进行预处理的步骤，在所述电介质薄膜中围绕主要由Si－O键形成的骨架排列有多个孔；通过溅射方法在预处理的电介质薄膜表面上形成导电膜的步骤。该方法的特征在于，在预处理步骤之前，还具有使含有四甲基环四硅氧烷(TMCTS)、六甲基硅氮烷(HMDS)和三甲基氯硅烷(TMCS)分子中的至少一种的气体与所述电介质薄膜表面接触。