改性多孔质二氧化硅膜的制法、由该制法所得改性多孔质二氧化硅膜及含该膜的半导体装置

发明授权

CN100474530C 改性多孔质二氧化硅膜的制法、由该制法所得改性多孔质二氧化硅膜及含该膜的半导体装置有权

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专利标题： 改性多孔质二氧化硅膜的制法、由该制法所得改性多孔质二氧化硅膜及含该膜的半导体装置
专利标题（英）： Process for producing modified porous silica film, modified porous silica film obtained by the process, and semiconductor device employing the modified porous silica film
申请号： CN200680005022.0

申请日： 2006-02-15
公开(公告)号： CN100474530C

公开(公告)日： 2009-04-01
发明人: 藤井宣年 , 高村一夫 , 三好秀典 , 田中博文 , 大池俊辅 , 村上雅美 , 窪田武司 , 藏野义人
申请人： 株式会社爱发科 , 三井化学株式会社 , 东京毅力科创株式会社
申请人地址： 日本神奈川
专利权人： 株式会社爱发科,三井化学株式会社,东京毅力科创株式会社
当前专利权人： 株式会社爱发科,三井化学株式会社,东京毅力科创株式会社
当前专利权人地址： 日本神奈川
代理机构： 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理商 陈昕
优先权： 037868/2005 2005.02.15 JP
国际申请： PCT/JP2006/302603 2006.02.15
国际公布： WO2006/088036 JA 2006.08.24
进入国家日期： 2007-08-15
主分类号： H01L21/316
IPC分类号： H01L21/316 ; C01B33/12 ; H01L21/768 ; H01L23/522

改性多孔质二氧化硅膜的制法、由该制法所得改性多孔质二氧化硅膜及含该膜的半导体装置

摘要：

本发明提供一种改性多孔质二氧化硅膜，其对多孔质二氧化硅膜，在减压(30kPa以下)下使具有至少各1个的疏水性基团(碳数1～6的烷基或C6H5基团)和可聚合性基团(氢原子、羟基或卤原子)的疏水性化合物进行气相聚合反应，使该膜中的空孔内壁生成疏水性聚合薄膜，由此得到该改性多孔质二氧化硅膜。该多孔质二氧化硅膜具有低介电常数及低折射率，且机械强度及疏水性得到改良。本发明还提供一种使用该多孔质二氧化硅膜的半导体装置。

公开/授权文献

CN101120436A 改性多孔质二氧化硅膜的制造方法、由该制造方法得到的改性多孔质二氧化硅膜、及含有该改性多孔质二氧化硅膜的半导体装置公开/授权日：2008-02-06

信息查询

中国专利公布公告 Global Dossier Espacenet

IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00	专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02	.半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04	..至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18	...器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30	....用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的（在半导体材料上制作电极的入H01L21/28）
H01L21/31	.....在半导体材料上形成绝缘层的，例如用于掩膜的或应用光刻技术的（密封层入H01L21/56）；以及这些层的后处理；这些层的材料的选择
H01L21/314	......无机层（H01L21/3105，H01L21/32优先）
H01L21/316	.......由氧化物或玻璃状氧化物或以氧化物为基础的玻璃组成的无机层