公开(公告)号：CN100474530C

公开(公告)日：2009-04-01

申请号：CN200680005022.0

申请日：2006-02-15

申请人： 株式会社爱发科 ,  三井化学株式会社 ,  东京毅力科创株式会社

发明人： 藤井宣年 ,  高村一夫 ,  三好秀典 ,  田中博文 ,  大池俊辅 ,  村上雅美 ,  窪田武司 ,  藏野义人

IPC分类号： H01L21/316 ,  C01B33/12 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522

CPC分类号： H01L21/76826 ,  C01B33/12 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02214 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/31608 ,  H01L21/31695 ,  Y10T428/249994

摘要： 本发明提供一种改性多孔质二氧化硅膜，其对多孔质二氧化硅膜，在减压(30kPa以下)下使具有至少各1个的疏水性基团(碳数1～6的烷基或C6H5基团)和可聚合性基团(氢原子、羟基或卤原子)的疏水性化合物进行气相聚合反应，使该膜中的空孔内壁生成疏水性聚合薄膜，由此得到该改性多孔质二氧化硅膜。该多孔质二氧化硅膜具有低介电常数及低折射率，且机械强度及疏水性得到改良。本发明还提供一种使用该多孔质二氧化硅膜的半导体装置。

公开(公告)号：CN101120436A

公开(公告)日：2008-02-06

申请号：CN200680005022.0

申请日：2006-02-15

申请人： 株式会社爱发科 ,  三井化学株式会社 ,  东京毅力科创株式会社

发明人： 藤井宣年 ,  高村一夫 ,  三好秀典 ,  田中博文 ,  大池俊辅 ,  村上雅美 ,  窪田武司 ,  藏野义人

IPC分类号： H01L21/316 ,  C01B33/12 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522

CPC分类号： H01L21/76826 ,  C01B33/12 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02214 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/31608 ,  H01L21/31695 ,  Y10T428/249994

摘要： 本发明提供一种改性多孔质二氧化硅膜，其对多孔质二氧化硅膜，在减压(30kPa以下)下使具有至少各1个的疏水性基团(碳数1～6的烷基或C6H5基团)和可聚合性基团(氢原子、羟基或卤原子)的疏水性化合物进行气相聚合反应，使该膜中的空孔内壁生成疏水性聚合薄膜，由此得到该改性多孔质二氧化硅膜。该多孔质二氧化硅膜具有低介电常数及低折射率，且机械强度及疏水性得到改良。本发明还提供一种使用该多孔质二氧化硅膜的半导体装置。

公开(公告)号：CN1212266C

公开(公告)日：2005-07-27

申请号：CN01801051.2

申请日：2001-04-26

申请人： 三井化学株式会社

发明人： 高村一夫 ,  冈部晃博 ,  窪田武司 ,  蔵野義人 ,  村上雅美

IPC分类号： C01B33/12 ,  C09D183/02 ,  C09D183/08 ,  H01L21/316 ,  H01L21/312

CPC分类号： C01B33/124 ,  B01J20/103 ,  B01J20/2809 ,  B82Y30/00 ,  C01P2002/70 ,  C01P2004/61 ,  C01P2004/64 ,  C01P2006/16 ,  C01P2006/17 ,  C01P2006/60 ,  C01P2006/80 ,  C01P2006/90 ,  C08J9/0004 ,  C08J2300/14 ,  C09C1/3045 ,  C09D183/02 ,  C09D183/08 ,  H01L21/31695 ,  Y10T428/264 ,  Y10T428/265

摘要： 合成的孔隙均匀的防水性多孔二氧化硅，该二氧化硅包括硅石骨架，其中氟原子通过共价键固定，并且碱金属含量不超过10ppb。用该防水性多孔二氧化硅，防水性多孔二氧化硅膜具有均匀的孔隙，适用于光功能性材料或电子功能性材料，还提供了该物质的制备方法，和它的用途。

公开(公告)号：CN101133007B

公开(公告)日：2012-08-29

申请号：CN200680006979.7

申请日：2006-02-24

申请人： 三井化学株式会社

发明人： 高井敏浩 ,  窪田武司

IPC分类号： C07C6/04 ,  C07C11/06

CPC分类号： C07C6/04 ,  C07C2523/30 ,  Y02P20/52 ,  C07C11/06 ,  C07C11/02

摘要： 本发明提供一种通过改善催化剂的反应性而在实用的低温范围进行的复分解反应生成烯烃类的制造方法。本发明涉及的烯烃类的制造方法，在使用含有钨、钼、铼等金属元素的催化剂的复分解反应中，使用含有IA族(碱金属)、IIA族(碱土类金属)、IIB族、IIIB族金属中的至少1种金属元素的化合物作为助催化剂，并且使氢气在反应原料中共存，由此使其在实用的低温范围内，以工业上充分的反应速度进行复分解反应。

公开(公告)号：CN101133007A

公开(公告)日：2008-02-27

申请号：CN200680006979.7

申请日：2006-02-24

申请人： 三井化学株式会社

发明人： 高井敏浩 ,  窪田武司

IPC分类号： C07C6/04 ,  C07C11/06

CPC分类号： C07C6/04 ,  C07C2523/30 ,  Y02P20/52 ,  C07C11/06 ,  C07C11/02

摘要： 本发明提供一种通过改善催化剂的反应性而在实用的低温范围进行的复分解反应生成烯烃类的制造方法。本发明涉及的烯烃类的制造方法，在使用含有钨、钼、铼等金属元素的催化剂的复分解反应中，使用含有IA族(碱金属)、IIA族(碱土类金属)、IIB族、IIIB族金属中的至少1种金属元素的化合物作为助催化剂，并且使氢气在反应原料中共存，由此使其在实用的低温范围内，以工业上充分的反应速度进行复分解反应。