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公开(公告)号：CN116888802A
公开(公告)日：2023-10-13
申请号：CN202280011726.8
申请日：2022-01-25
Applicant: 独立行政法人产业技术综合研究所
IPC: H01M10/0568
Abstract: 一种非水二次电池用电解液，其含有双(氟磺酰)亚胺锂(LiFSI)、环状碳酸酯和氢氟醚(HFE)，用于使用钒硫化物作为正极活性物质、使用含锂化合物作为负极活性物质的非水二次电池。
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公开(公告)号：CN106457685B
公开(公告)日：2020-08-11
申请号：CN201580018151.2
申请日：2015-03-19
Applicant: CMET公司 , 独立行政法人产业技术综合研究所
IPC: B29C64/165 , B22F3/105 , B28B1/30 , B28B13/02
Abstract: 本发明提供一种能够减少造型工序中的喷墨头的等待时间而缩短造型时间的三维造型装置，利用复涂机(2)在造型台(30)上散布并层叠砂，根据造型数据，从头(1)向散布的砂上喷出·涂敷粘结剂，利用粘结剂使砂(S)结合而制作三维造型物，其中，将复涂机(2)设为能够散布与造型台(30)的1边的长度相对应的砂(S)的长度，以能够在与1边正交的方向上移动的方式形成，将头(1)形成为能够喷出对应于与1边相邻的边的长度的粘结剂的线型头，以能够在正交于与1边相邻的边的方向上移动的方式形成，使复涂机(2)和头(1)交替地动作而在造型台(30)上形成三维造型物。
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公开(公告)号：CN106102915B
公开(公告)日：2019-01-01
申请号：CN201580015222.3
申请日：2015-03-19
Applicant: 独立行政法人产业技术综合研究所 , 株式会社机器人的生物学研究所
Abstract: 提供一种能够在由机器人装置进行的液体的处理操作中简便地进行液体的排出或抽吸的吸移管装置。提供一种被机器人装置把持的吸移管装置，该吸移管装置具有：驱动部，其进行液体的抽吸和/或排出；接收部，其接收来自所述机器人装置的信号；以及控制部，其根据所述信号来控制所述驱动部。
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公开(公告)号：CN106104789B
公开(公告)日：2018-12-18
申请号：CN201580012440.1
申请日：2015-02-20
Applicant: 独立行政法人产业技术综合研究所
Inventor： 森贵洋
IPC: H01L21/8234 , H01L21/28 , H01L21/336 , H01L27/088 , H01L29/41 , H01L29/417 , H01L29/66 , H01L29/786
Abstract: 本发明提供一种采用隧道场效应晶体管的集成电路及其制造方法，减少形成将两个隧道场效应晶体管电连接的电路所需要的面积及成本，并且还减少寄生电容、寄生电阻。作为解决方案，采用隧道场效应晶体管的集成电路的特征在于，在一个活性区域以同一极性形成有第一隧道场效应晶体管和第二隧道场效应晶体管，所述第一隧道场效应晶体管的第一P型区域及第一N型区域中的一者作为源极区域、另一者作为漏极区域工作，所述第二隧道场效应晶体管的第二P型区域及第二N型区域中的一者作为源极区域、另一者作为漏极区域工作，并且所述第一P型区域与所述第二N型区域相邻，相邻的所述第一P型区域与所述第二N型区域利用金属半导体合金膜电连接。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105493265B
公开(公告)日：2018-10-16
申请号：CN201480041965.3
申请日：2014-07-24
Applicant: 独立行政法人产业技术综合研究所 , 株式会社华哥姆研究所
IPC: H01L21/8246 , C23C16/40 , H01L21/316 , H01L27/105
Abstract: 本发明的目的是提供一种强介电体装置及其制造方法，上述强介电体装置具有强介电体装置的特征即非挥发性存储保持与多次改写耐受性，并且与以往的使用以锶、铋及钽的氧化物Sr‑Bi‑Ta‑O为主成分的强介电体的强介电体装置相比、存储器窗口更广且适合于微细化。在半导体上直接或介由绝缘体，将使用合适的成膜原料利用有机金属气相沉积法进行成膜的以锶、钙、铋及钽的氧化物Sr‑Ca‑Bi‑Ta‑O为主成分的第1强介电体以及导体层叠，在经蚀刻加工的栅极堆栈的侧面对第2强介电体与绝缘体进行成膜后，进行用于示出第1强介电性的热处理。
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公开(公告)号：CN105980056B
公开(公告)日：2018-08-24
申请号：CN201480074748.4
申请日：2014-12-05
Applicant: 独立行政法人产业技术综合研究所
CPC classification number: B01J23/31 , B01J35/004 , B01J37/0223 , C01G41/02 , C01P2002/50 , C01P2002/54
Abstract: 本发明涉及一种提供提高氧化钨抗真菌及抗细菌性，即使在薄膜形状下也具有优异的抗真菌、抗细菌性的材料，其抗真菌及抗细菌材料的特征在于包含添加了铋的氧化钨的光催化剂。
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公开(公告)号：CN105518913B
公开(公告)日：2018-05-25
申请号：CN201480048851.1
申请日：2014-09-10
Applicant: 独立行政法人产业技术综合研究所
IPC: H01M4/58 , H01M4/36 , H01M10/0525 , H01M10/0562 , H01M10/058
CPC classification number: H01M4/5815 , C01B17/22 , C01G49/009 , C01P2002/72 , C01P2004/61 , C01P2006/40 , H01M4/0433 , H01M4/0445 , H01M4/136 , H01M4/1397 , H01M4/364 , H01M4/38 , H01M4/58 , H01M10/0525 , H01M10/0562 , H01M10/058 , H01M10/446 , H01M2004/027 , H01M2004/028 , H01M2220/20 , H01M2220/30 , H01M2300/0065 , H01M2300/0068 , Y02T10/7011
Abstract: 本发明的主要目的是提供在以作为锂二次电池用正极活性物质有用的硫化锂作为主要成分的化合物中，正极利用率高、且具有高容量、进而具有良好的循环特性的具有优异的充放电特性的新型材料。一种硫化锂‑铁‑碳复合体，其特征在于，其是包含锂、铁、硫及碳作为构成元素的复合体，其包含硫化锂(Li2S)作为主相，且由通过粉末X射线衍射得到的基于Li2S的(111)面的衍射峰的半值宽度算出的微晶尺寸为50nm以下。
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公开(公告)号：CN106029818B
公开(公告)日：2018-05-22
申请号：CN201580009221.8
申请日：2015-02-19
Applicant: 独立行政法人产业技术综合研究所
IPC: C09K3/18 , C09D5/16 , C09D183/04 , C09D183/05 , C09D183/06 , C09D183/08
CPC classification number: C09D5/1681 , C08G77/70 , C09D183/04
Abstract: 本发明的一个实施方式中，拒水/拒油被膜形成在固体的表面，并且以由化学式所表示的基团为终端，并通过硅氧烷键形成有三维交联结构。
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公开(公告)号：CN104956204B
公开(公告)日：2018-04-24
申请号：CN201480006892.4
申请日：2014-01-30
Applicant: 独立行政法人产业技术综合研究所
IPC: G01N15/08
CPC classification number: G01N15/082 , G01N15/0806 , G01N15/0826 , G01N2015/086
Abstract: 本发明提供一种气体阻挡性评价装置，其具备支撑试样的支撑体(2)、透过侧腔室和检测部，该支撑体与透过侧腔室的开口部结合，且该支撑体的水蒸气透过率为1×10‑10mol/m2sPa～1×10‑14mol/m2sPa。
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