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公开(公告)号：CN101146874A
公开(公告)日：2008-03-19
申请号：CN200680009348.0
申请日：2006-03-17
Applicant: 株式会社爱发科 , 独立行政法人产业技术综合研究所 , 三井化学株式会社
IPC: C09D7/12 , C09D183/00 , H01L21/316
Abstract: 本发明提供一种多孔质膜的前体组合物，所述多孔质膜的前体组合物包含：选自式Si(OR1)4及Ra(Si)(OR2)4－a(式中，R1表示1价的有机基团，R表示氢原子、氟原子或1价的有机基团，R2表示1价的有机基团，a是1～3的整数，R、R1及R2可以相同或不同)表示的化合物中的至少1种化合物、在250℃以上显示热分解的热分解性有机化合物、具有催化作用的元素和有机溶剂。使用该前体组合物的溶液，使其与疏水性化合物进行气相聚合反应，制作具有低介电常数、低折射率、高机械强度的疏水性多孔质膜。使用有该多孔质膜的半导体装置。
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公开(公告)号：CN101146874B
公开(公告)日：2012-08-15
申请号：CN200680009348.0
申请日：2006-03-17
Applicant: 株式会社爱发科 , 独立行政法人产业技术综合研究所
IPC: C09D7/12 , C09D183/00 , H01L21/316
Abstract: 本发明提供一种多孔质膜的前体组合物，所述多孔质膜的前体组合物包含：选自式Si(OR1)4及Ra(Si)(OR2)4-a(式中，R1表示1价的有机基团，R表示氢原子、氟原子或1价的有机基团，R2表示1价的有机基团，a是1～3的整数，R、R1及R2可以相同或不同)表示的化合物中的至少1种化合物、在250℃以上显示热分解的热分解性有机化合物、具有催化作用的元素和有机溶剂。使用该前体组合物的溶液，使其与疏水性化合物进行气相聚合反应，制作具有低介电常数、低折射率、高机械强度的疏水性多孔质膜。使用有该多孔质膜的半导体装置。
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公开(公告)号：CN101959795B
公开(公告)日：2014-06-18
申请号：CN200980106376.8
申请日：2009-02-25
Applicant: 独立行政法人产业技术综合研究所
IPC: C01B33/06 , C23C14/28 , C23C16/42 , H01L29/786
CPC classification number: C23C14/22 , C23C14/0682 , C23C14/28 , C23C16/42 , C23C16/44 , H01L29/24 , H01L29/66742 , H01L29/786
Abstract: 本发明的课题在于提供一种金属硅化合物薄膜及其制造方法，所述金属硅化合物薄膜是以最高占据分子轨道(HOMO)与最低非占据分子轨道(LUMO)之间的能隙EHL大的，内包过渡金属的硅团簇作为结构单元的。本发明涉及如下金属硅化合物薄膜及其制造方法，所述金属硅化合物薄膜的特征在于：是以内包过渡金属的硅团簇作为结构单元的，所述硅团簇是过渡金属与硅的化合物，所述硅团簇中7个以上16个以下的硅原子包围在过渡金属原子周围；并且，过渡金属原子的第一及第二近邻原子，被配置为硅。
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公开(公告)号：CN101959795A
公开(公告)日：2011-01-26
申请号：CN200980106376.8
申请日：2009-02-25
Applicant: 独立行政法人产业技术综合研究所
IPC: C01B33/06 , C23C14/28 , C23C16/42 , H01L29/786
CPC classification number: C23C14/22 , C23C14/0682 , C23C14/28 , C23C16/42 , C23C16/44 , H01L29/24 , H01L29/66742 , H01L29/786
Abstract: 本发明的课题在于提供一种金属硅化合物薄膜及其制造方法，所述金属硅化合物薄膜是以最高占据分子轨道(HOMO)与最低非占据分子轨道(LUMO)之间的能隙EHL大的，内包过渡金属的硅团簇作为结构单元的。本发明涉及如下金属硅化合物薄膜及其制造方法，所述金属硅化合物薄膜的特征在于：是以内包过渡金属的硅团簇作为结构单元的，所述硅团簇是过渡金属与硅的化合物，所述硅团簇中7个以上16个以下的硅原子包围在过渡金属原子周围；并且，过渡金属原子的第一及第二近邻原子，被配置为硅。
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