公开(公告)号：CN101959795B

公开(公告)日：2014-06-18

申请号：CN200980106376.8

申请日：2009-02-25

Applicant: 独立行政法人产业技术综合研究所

Inventor： 金山敏彦 ,  内田纪行

IPC: C01B33/06 ,  C23C14/28 ,  C23C16/42 ,  H01L29/786

CPC classification number: C23C14/22 ,  C23C14/0682 ,  C23C14/28 ,  C23C16/42 ,  C23C16/44 ,  H01L29/24 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/786

Abstract: 本发明的课题在于提供一种金属硅化合物薄膜及其制造方法，所述金属硅化合物薄膜是以最高占据分子轨道(HOMO)与最低非占据分子轨道(LUMO)之间的能隙EHL大的，内包过渡金属的硅团簇作为结构单元的。本发明涉及如下金属硅化合物薄膜及其制造方法，所述金属硅化合物薄膜的特征在于：是以内包过渡金属的硅团簇作为结构单元的，所述硅团簇是过渡金属与硅的化合物，所述硅团簇中7个以上16个以下的硅原子包围在过渡金属原子周围；并且，过渡金属原子的第一及第二近邻原子，被配置为硅。

公开(公告)号：CN101959795A

公开(公告)日：2011-01-26

申请号：CN200980106376.8

申请日：2009-02-25

Applicant: 独立行政法人产业技术综合研究所

Inventor： 金山敏彦 ,  内田纪行

IPC: C01B33/06 ,  C23C14/28 ,  C23C16/42 ,  H01L29/786

CPC classification number: C23C14/22 ,  C23C14/0682 ,  C23C14/28 ,  C23C16/42 ,  C23C16/44 ,  H01L29/24 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/786

Abstract: 本发明的课题在于提供一种金属硅化合物薄膜及其制造方法，所述金属硅化合物薄膜是以最高占据分子轨道(HOMO)与最低非占据分子轨道(LUMO)之间的能隙EHL大的，内包过渡金属的硅团簇作为结构单元的。本发明涉及如下金属硅化合物薄膜及其制造方法，所述金属硅化合物薄膜的特征在于：是以内包过渡金属的硅团簇作为结构单元的，所述硅团簇是过渡金属与硅的化合物，所述硅团簇中7个以上16个以下的硅原子包围在过渡金属原子周围；并且，过渡金属原子的第一及第二近邻原子，被配置为硅。