公开(公告)号：CN102047395A

公开(公告)日：2011-05-04

申请号：CN200980119778.1

申请日：2009-05-26

Applicant: 瑞萨电子株式会社 ,  株式会社爱发科

Inventor： 木下启藏 ,  邻真一 ,  中山高博

IPC: H01L21/312 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522

CPC classification number: H01L23/5329 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/7682 ,  H01L21/76826 ,  H01L23/53295 ,  H01L2221/1047 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种对具有多个孔的二氧化硅基多孔绝缘膜进行有效的硅烷化处理的方法。本发明还提供制造硅烷化多孔绝缘膜(204c)的方法，所述方法包括形成具有多个孔的多孔绝缘膜(204b)的步骤和使通过蒸发硅烷化材料而得到的硅烷化材料蒸汽(210)作用于所述多孔绝缘膜(204b)的步骤，所述硅烷化材料包含具有疏水基团的有机硅烷化合物和用于抑制所述有机硅烷化合物自聚的阻聚剂。