公开(公告)号：CN102047395A

公开(公告)日：2011-05-04

申请号：CN200980119778.1

申请日：2009-05-26

Applicant: 瑞萨电子株式会社 ,  株式会社爱发科

Inventor： 木下启藏 ,  邻真一 ,  中山高博

IPC: H01L21/312 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522

CPC classification number: H01L23/5329 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/7682 ,  H01L21/76826 ,  H01L23/53295 ,  H01L2221/1047 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种对具有多个孔的二氧化硅基多孔绝缘膜进行有效的硅烷化处理的方法。本发明还提供制造硅烷化多孔绝缘膜(204c)的方法，所述方法包括形成具有多个孔的多孔绝缘膜(204b)的步骤和使通过蒸发硅烷化材料而得到的硅烷化材料蒸汽(210)作用于所述多孔绝缘膜(204b)的步骤，所述硅烷化材料包含具有疏水基团的有机硅烷化合物和用于抑制所述有机硅烷化合物自聚的阻聚剂。

公开(公告)号：CN101937893A

公开(公告)日：2011-01-05

申请号：CN201010194955.7

申请日：2010-05-31

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 小田典明 ,  邻真一

IPC: H01L23/485 ,  H01L23/528 ,  H01L23/532

CPC classification number: H01L23/5329 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/53295 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/48 ,  H01L2224/02126 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05006 ,  H01L2224/05093 ,  H01L2224/05094 ,  H01L2224/05096 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/05556 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01044 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2224/45099

Abstract: 本发明涉及一种半导体器件。在半导体器件中，下部多层互连结构、中间通孔级绝缘间层、以及上部多层互连结构被按照此顺序堆叠在平面图中与焊盘重叠的区域中；上部多层互连结构的上部互连和通孔被形成为连接至焊盘布置区域中的焊盘；中间通孔级绝缘间层不具有形成在其中的连接上部多层互连结构中的通孔或者互连与下部多层互连结构中的通孔或者互连的导电材料层；并且由被包含在下部多层互连结构中的通孔级绝缘间层中的通孔占据的面积的比率小于由被包含在上部多层互连结构中的通孔级绝缘间层中的通孔占据的面积的比率。

公开(公告)号：CN101937893B

公开(公告)日：2012-10-03

申请号：CN201010194955.7

申请日：2010-05-31

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 小田典明 ,  邻真一

IPC: H01L23/485 ,  H01L23/528 ,  H01L23/532

CPC classification number: H01L23/5329 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/53295 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/48 ,  H01L2224/02126 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05006 ,  H01L2224/05093 ,  H01L2224/05094 ,  H01L2224/05096 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/05556 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01044 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2224/45099

Abstract: 本发明涉及一种半导体器件。在半导体器件中，下部多层互连结构、中间通孔级绝缘间层、以及上部多层互连结构被按照此顺序堆叠在平面图中与焊盘重叠的区域中；上部多层互连结构的上部互连和通孔被形成为连接至焊盘布置区域中的焊盘；中间通孔级绝缘间层不具有形成在其中的连接上部多层互连结构中的通孔或者互连与下部多层互连结构中的通孔或者互连的导电材料层；并且由被包含在下部多层互连结构中的通孔级绝缘间层中的通孔占据的面积的比率小于由被包含在上部多层互连结构中的通孔级绝缘间层中的通孔占据的面积的比率。

公开(公告)号：CN101821838A

公开(公告)日：2010-09-01

申请号：CN200880110373.7

申请日：2008-09-29

Applicant: 恩益禧电子股份有限公司 ,  株式会社爱发科

Inventor： 邻真一 ,  中山高博

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/312 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522

CPC classification number: H01L21/3122 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/02359 ,  H01L21/31058 ,  H01L21/31695 ,  H01L21/76826 ,  H01L23/5329 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了一种制造疏水化多孔膜的方法，所述方法包括如下步骤：在衬底(1)上形成有机二氧化硅绝缘膜(2)；在将所述衬底(1)保持在硅烷化气体的露点以上但蒸发温度以下的温度下的同时，向布置了所述衬底(1)的装置中引入由硅烷化气体和惰性气体构成的混合气体(3)，所述衬底(1)具有有机二氧化硅绝缘膜(2)；停止向所述装置中引入所述混合气体(3)；以及对具有所述有机二氧化硅绝缘膜(2)的所述衬底(1)进行加热。所述方法能够获得疏水化的有机二氧化硅绝缘膜，所述有机二氧化硅绝缘膜(2)的表面和孔的表面被疏水化，从而抑制介电常数的增加。