公开(公告)号：CN101937893A

公开(公告)日：2011-01-05

申请号：CN201010194955.7

申请日：2010-05-31

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 小田典明 ,  邻真一

IPC: H01L23/485 ,  H01L23/528 ,  H01L23/532

CPC classification number: H01L23/5329 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/53295 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/48 ,  H01L2224/02126 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05006 ,  H01L2224/05093 ,  H01L2224/05094 ,  H01L2224/05096 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/05556 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01044 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2224/45099

Abstract: 本发明涉及一种半导体器件。在半导体器件中，下部多层互连结构、中间通孔级绝缘间层、以及上部多层互连结构被按照此顺序堆叠在平面图中与焊盘重叠的区域中；上部多层互连结构的上部互连和通孔被形成为连接至焊盘布置区域中的焊盘；中间通孔级绝缘间层不具有形成在其中的连接上部多层互连结构中的通孔或者互连与下部多层互连结构中的通孔或者互连的导电材料层；并且由被包含在下部多层互连结构中的通孔级绝缘间层中的通孔占据的面积的比率小于由被包含在上部多层互连结构中的通孔级绝缘间层中的通孔占据的面积的比率。

公开(公告)号：CN101937902A

公开(公告)日：2011-01-05

申请号：CN201010194978.8

申请日：2010-05-31

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 小田典明

IPC: H01L23/528 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L23/5226 ,  H01L21/76804 ,  H01L21/76808 ,  H01L21/76831 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/5329 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及半导体器件和用于制造半导体器件的方法。半导体器件包括：半导体基板；层间绝缘膜，该层间绝缘膜被提供在半导体基板上；由被提供在互连沟槽即第二互连沟槽中的金属膜组成的互连即第二铜互连和由被提供在耦接到互连沟槽的连接孔即通孔中的金属膜组成的栓塞，互连和栓塞都被提供在层间绝缘膜中；第一侧壁，该第一侧壁被提供在通孔的侧表面上；以及第二侧壁，该第二侧壁被提供在第二互连沟槽的侧表面上，并且通孔的侧表面的底部附近的第一侧壁的厚度大于第二互连沟槽的侧表面的底部附近的第二侧壁的厚度。

公开(公告)号：CN101937893B

公开(公告)日：2012-10-03

申请号：CN201010194955.7

申请日：2010-05-31

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 小田典明 ,  邻真一

IPC: H01L23/485 ,  H01L23/528 ,  H01L23/532

CPC classification number: H01L23/5329 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/53295 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/48 ,  H01L2224/02126 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05006 ,  H01L2224/05093 ,  H01L2224/05094 ,  H01L2224/05096 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/05556 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01044 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2224/45099

Abstract: 本发明涉及一种半导体器件。在半导体器件中，下部多层互连结构、中间通孔级绝缘间层、以及上部多层互连结构被按照此顺序堆叠在平面图中与焊盘重叠的区域中；上部多层互连结构的上部互连和通孔被形成为连接至焊盘布置区域中的焊盘；中间通孔级绝缘间层不具有形成在其中的连接上部多层互连结构中的通孔或者互连与下部多层互连结构中的通孔或者互连的导电材料层；并且由被包含在下部多层互连结构中的通孔级绝缘间层中的通孔占据的面积的比率小于由被包含在上部多层互连结构中的通孔级绝缘间层中的通孔占据的面积的比率。