公开(公告)号：CN103262228B

公开(公告)日：2016-04-20

申请号：CN201180060401.0

申请日：2011-12-16

申请人： 德克萨斯仪器股份有限公司

发明人： G·E·霍华德 ,  P·汤普森

IPC分类号： H01L21/60 ,  H01L23/60

CPC分类号： H01L24/05 ,  H01L23/528 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05093 ,  H01L2224/05094 ,  H01L2224/05096 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/1329 ,  H01L2224/133 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1421 ,  H01L2924/1431 ,  H01L2924/1433 ,  H01L2924/1434 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/014 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2924/00

摘要： 一种包括抗电迁移（EM）的馈线（401）的集成电路（IC）器件（400）。IC器件包括含有有源电路（409）的衬底（405）。后段制程（BEOL）金属化堆叠（420）包括通过抗EM馈线联接键合焊盘（419）的互联金属层（412）。键合件（435）在键合焊盘上。抗EM馈线（401）包括均匀部分（402）和延伸进入键合焊盘的图案化轨迹部分（405），其包括彼此电平行的至少三个子轨迹。子轨迹被设计尺寸从而与每个子轨迹相关的平方数在子轨迹的平均平方数的正负百分之二十的范围内，或通过每个子轨迹提供给键合件的电流密度在提供给键合件的平均电流密度的正负百分之二十的范围内。

公开(公告)号：CN101179057B

公开(公告)日：2010-05-26

申请号：CN200710100857.0

申请日：2007-04-20

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 曹佩华 ,  林亮臣 ,  牛保刚 ,  刘忆台 ,  江浩然

IPC分类号： H01L23/485 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L24/05 ,  H01L24/03 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/05093 ,  H01L2224/05094 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/05556 ,  H01L2224/056 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/14

摘要： 本发明提供一种接合垫结构及其制作方法。上述接合垫结构包含：第一导电材料层；介电材料层，设置于第一导电材料层上方；第二导电材料层；多个导通孔，设置于介电材料层之中，且导通孔电性连接第一与第二导电材料层；及导线，设置于导通孔的周边附近，且设置于介电材料层之中，相邻导通孔之间的距离约等于导线与其相邻的导通孔的最小间距。上述导线对包围导通孔的介电层中产生的龟裂提供阻障层。虽然龟裂会无法控制地散布于导通孔阵列的导通孔之间，但通过导线可阻隔上述龟裂，因此，龟裂不会散布至芯片或晶片的附近区域。导线可以具有各种不同形状及尺寸，以配合适当的应用。由于导线具有大体上连续的长度，因此导线也会对接合垫提供额外的强度。

公开(公告)号：CN1941344A

公开(公告)日：2007-04-04

申请号：CN200610001672.X

申请日：2006-01-20

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 苏文才 ,  沈晋吉 ,  邱明哲 ,  陈志强

IPC分类号： H01L23/485

CPC分类号： H01L24/05 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05073 ,  H01L2224/05093 ,  H01L2224/05094 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/4807 ,  H01L2224/48453 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/48624 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明提供一种焊垫。上述焊垫包含一具导电性的导体－绝缘体复合层于一基底上。上述具导电性的导体－绝缘体复合层包含：一复合材质区，具有一导体部与相邻的一绝缘体部；以及一单一材质区相邻于上述复合材质区。上述具导电性的导体－绝缘体复合层中的绝缘体的硬度大于其导体的硬度。本发明所述焊垫，在晶圆测试时，氧化硅层具有较高的硬度，可有效地阻挡探针的滑动，而使其对焊垫的伤害受到限制。当金线通过金球连接于焊垫时，由于焊垫的伤害受到限制，金属层就不会发生剥离。金属层就可以有效地保护导体－绝缘体复合层，使其不会受到腐蚀。因此，金球与焊垫之间的有效接合面积就不会受到缩减，而能增加两者之间的接合强度与可靠度。

公开(公告)号：CN103021978B

公开(公告)日：2015-02-04

申请号：CN201110283538.4

申请日：2011-09-22

申请人： 上海华虹宏力半导体制造有限公司

发明人： 苏庆

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L23/485

CPC分类号： H01L24/05 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/05094 ,  H01L2224/05095 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2924/00012

摘要： 本发明公开了一种集成电路芯片上供封装的焊垫结构，包括至少三层相互平行的金属层，倒数第二层金属设置于顶层金属的下方，倒数第二层金属的下方设置有倒数第三层金属或者更多与倒数第三层金属平行的金属层；所述顶层金属为八边形；所述倒数第二层金属包括八边形的环形金属层，环形金属层的中央设置有多个规则排列的方形金属层，环形金属层和方形金属层分别通过多个顶层通孔连接顶层金属；所述倒数第三层金属通过多个倒数第二层通孔连接倒数第二层金属的环形金属层。本发明能够解决现有的焊垫结构无法将有源或无源器件放置于焊垫下方的问题，能够节省芯片所占用的面积，降低设计成本。

公开(公告)号：CN102668047A

公开(公告)日：2012-09-12

申请号：CN201080052347.0

申请日：2010-09-01

申请人： 松下电器产业株式会社

发明人： 樱井大辅

IPC分类号： H01L21/3205 ,  H01L21/60 ,  H01L21/768 ,  H01L21/822 ,  H01L23/52 ,  H01L23/522 ,  H01L27/04

CPC分类号： H01L24/05 ,  H01L23/522 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/05018 ,  H01L2224/05093 ,  H01L2224/05094 ,  H01L2224/05095 ,  H01L2224/05096 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2224/05555 ,  H01L2224/05558 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00

摘要： 具备在半导体基板(1)的上方隔着层间绝缘膜(11)、(21)等而形成的外部连接用电极。外部连接用电极具有：露出上表面的焊盘金属层(8)；形成于该焊盘金属层(8)与半导体基板(1)之间的第1金属层(2)；贯通层间绝缘膜(21)而将焊盘金属层(8)和第1金属层(2)电连接，并且，形成于层间绝缘膜(21)的至少2个第1通孔(22)。第1通孔(22)彼此间的最大的间隔b，大于焊盘金属层(8)的宽度尺寸a。

公开(公告)号：CN101179057A

公开(公告)日：2008-05-14

申请号：CN200710100857.0

申请日：2007-04-20

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 曹佩华 ,  林亮臣 ,  牛保刚 ,  刘忆台 ,  江浩然

IPC分类号： H01L23/485 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L24/05 ,  H01L24/03 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/05093 ,  H01L2224/05094 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/05556 ,  H01L2224/056 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/14

摘要： 本发明提供一种接合垫结构及其制作方法。上述接合垫结构包含：第一导电材料层；介电材料层，设置于所述第一导电材料层上方；第二导电材料层；多个导通孔，设置于所述介电材料层之中，且所述导通孔电性连接所述第一导电材料层与所述第二导电材料层；以及导线，设置于所述导通孔的周边附近，且所述导线设置于所述介电材料层之中。上述导线对包围导通孔的介电层中产生的龟裂提供阻障层。虽然龟裂会无法控制地散布于导通孔阵列的导通孔之间，但通过导线可阻隔上述龟裂，因此，龟裂不会散布至芯片或晶片的附近区域。导线可以具有各种不同形状及尺寸，以配合适当的应用。另外，由于导线具有大体上连续的长度，因此，导线也会对接合垫提供额外的强度。

公开(公告)号：CN104952822A

公开(公告)日：2015-09-30

申请号：CN201410114829.4

申请日：2014-03-25

申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

发明人： 李宏伟 ,  刘晶 ,  程惠娟 ,  陈捷

IPC分类号： H01L23/488

CPC分类号： H01L24/05 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05008 ,  H01L2224/05084 ,  H01L2224/05093 ,  H01L2224/05094 ,  H01L2224/05095 ,  H01L2224/05096 ,  H01L2224/05097 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05559 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2924/00014

摘要： 本发明涉及一种焊盘结构，所述焊盘结构包括：焊盘；第二顶部金属层，位于所述焊盘接合部位的下方，并与所述焊盘直接连接；第一顶部金属层，位于所述第二顶部金属层的下方，包括若干间隔设置的部分，其中部分所述第一顶部金属层通过顶部通孔与所述第二顶部金属层相连接，以在所述焊盘接合部位的下方形成焊盘支柱，共同构成所述焊盘结构。本发明所述焊盘结构中包括焊盘支柱，通过所述焊盘支柱不仅能够使焊盘结构具有更强的接合能力，而且还能将接合过程中形成的应力得到很好的释放，起到保护的作用。

公开(公告)号：CN102668047B

公开(公告)日：2015-04-29

申请号：CN201080052347.0

申请日：2010-09-01

申请人： 松下电器产业株式会社

发明人： 樱井大辅

IPC分类号： H01L21/3205 ,  H01L21/60 ,  H01L21/768 ,  H01L21/822 ,  H01L23/52 ,  H01L23/522 ,  H01L27/04

CPC分类号： H01L24/05 ,  H01L23/522 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/05018 ,  H01L2224/05093 ,  H01L2224/05094 ,  H01L2224/05095 ,  H01L2224/05096 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2224/05555 ,  H01L2224/05558 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00

摘要： 具备在半导体基板(1)的上方隔着层间绝缘膜(11)、(21)等而形成的外部连接用电极。外部连接用电极具有：露出上表面的焊盘金属层(8)；形成于该焊盘金属层(8)与半导体基板(1)之间的第1金属层(2)；贯通层间绝缘膜(21)而将焊盘金属层(8)和第1金属层(2)电连接，并且，形成于层间绝缘膜(21)的至少2个第1通孔(22)。第1通孔(22)彼此间的最大的间隔b，大于焊盘金属层(8)的宽度尺寸a。

公开(公告)号：CN103262228A

公开(公告)日：2013-08-21

申请号：CN201180060401.0

申请日：2011-12-16

申请人： 德克萨斯仪器股份有限公司

发明人： G·E·霍华德 ,  P·汤普森

IPC分类号： H01L21/60 ,  H01L23/60

CPC分类号： H01L24/05 ,  H01L23/528 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05093 ,  H01L2224/05094 ,  H01L2224/05096 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/1329 ,  H01L2224/133 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1421 ,  H01L2924/1431 ,  H01L2924/1433 ,  H01L2924/1434 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/014 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2924/00

摘要： 一种包括抗电迁移（EM）的馈线（401）的集成电路（IC）器件（400）。IC器件包括含有有源电路（409）的衬底（405）。后段制程（BEOL）金属化堆叠（420）包括通过抗EM馈线联接键合焊盘（419）的互联金属层（412）。键合件（435）在键合焊盘上。抗EM馈线（401）包括均匀部分（402）和延伸进入键合焊盘的图案化轨迹部分（405），其包括彼此电平行的至少三个子轨迹。子轨迹被设计尺寸从而与每个子轨迹相关的平方数在子轨迹的平均平方数的正负百分之二十的范围内，或通过每个子轨迹提供给键合件的电流密度在提供给键合件的平均电流密度的正负百分之二十的范围内。

公开(公告)号：CN101937893B

公开(公告)日：2012-10-03

申请号：CN201010194955.7

申请日：2010-05-31

申请人： 瑞萨电子株式会社

发明人： 小田典明 ,  邻真一

IPC分类号： H01L23/485 ,  H01L23/528 ,  H01L23/532

CPC分类号： H01L23/5329 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/53295 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/48 ,  H01L2224/02126 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05006 ,  H01L2224/05093 ,  H01L2224/05094 ,  H01L2224/05096 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/05556 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01044 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2224/45099

摘要： 本发明涉及一种半导体器件。在半导体器件中，下部多层互连结构、中间通孔级绝缘间层、以及上部多层互连结构被按照此顺序堆叠在平面图中与焊盘重叠的区域中；上部多层互连结构的上部互连和通孔被形成为连接至焊盘布置区域中的焊盘；中间通孔级绝缘间层不具有形成在其中的连接上部多层互连结构中的通孔或者互连与下部多层互连结构中的通孔或者互连的导电材料层；并且由被包含在下部多层互连结构中的通孔级绝缘间层中的通孔占据的面积的比率小于由被包含在上部多层互连结构中的通孔级绝缘间层中的通孔占据的面积的比率。