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发明授权
CN1871696B 绝缘膜的形成方法及其形成系统、半导体装置的制造方法 失效 - 权利终止

绝缘膜的形成方法及其形成系统、半导体装置的制造方法
摘要：
在CVD装置(111)中，通过加热器加热半导体晶片(W)，然后导入1，3，5，7-四甲基环四硅氧烷(TMCTS)，并在不施加高频电压的情况下进行热处理，从而进行包含硅的多孔低介电常数膜的改性处理。接着，在同一CVD装置(111)中加热半导体晶片(W)，然后导入TMCTS并施加高频电压，从而生成包含TMCTS的气体的等离子体，并在多孔低介电常数膜上形成高密度、高硬度的绝缘膜。
摘要（英）：

In a CVD apparatus (111), modification of a porous low dielectric constant film containing silicon is performed by heating a semiconductor wafer (W) by a heater, supplying 1,3,5,7-tetramethylcyclotetrasiloxane (TMCTS) thereto and conducting a heat treatment without applying a high-frequency voltage. Then, in the same CVD apparatus (111), an insulating film with high density and high hardness is formed on the porous low dielectric constant film by heating the semiconductor wafer (W), introducing TMCTS and applying a high-frequency voltage thereto, thereby generating a plasma of a gas containing TMCTS.

公开/授权文献
IPC分类:
H 电学
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04 ..至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18 ...器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30 ....用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的（在半导体材料上制作电极的入H01L21/28）
H01L21/31 .....在半导体材料上形成绝缘层的，例如用于掩膜的或应用光刻技术的（密封层入H01L21/56）；以及这些层的后处理；这些层的材料的选择
H01L21/312 ......有机层，例如光刻胶（H01L21/3105、H01L21/32优先）
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