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公开(公告)号：CN117270314A
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202311217958.1
申请日：2021-04-02
Applicant: 三井化学株式会社 , 国立研究开发法人产业技术综合研究所
IPC: G03F1/62 , G03F7/20 , C01B32/168 , C01B32/17 , B82Y40/00
Abstract: 本发明提供曝光用防护膜、防护膜组件、曝光原版、曝光装置及曝光用防护膜的制造方法。一种曝光用防护膜，其包含碳纳米管膜，碳纳米管膜含有碳纳米管，碳纳米管膜在波长13.5nm时的EUV光的透射率为80％以上，碳纳米管膜的厚度为1nm以上50nm以下，将碳纳米管膜配置于硅基板上，对于配置后的碳纳米管膜，使用反射分光膜厚度计，以下述条件测定反射率时，反射率的3σ为15％以下。＜条件＞测定点的直径：20μm，基准测定波长：波长285nm，测定点数：121点，相邻的测定点的中心点间距离：40μm。
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公开(公告)号：CN115398334A
公开(公告)日：2022-11-25
申请号：CN202180027875.9
申请日：2021-04-02
Applicant: 三井化学株式会社 , 国立研究开发法人产业技术综合研究所
Abstract: 一种曝光用防护膜，其包含碳纳米管膜，碳纳米管膜含有碳纳米管，碳纳米管膜在波长13.5nm时的EUV光的透射率为80％以上，碳纳米管膜的厚度为1nm以上50nm以下，将碳纳米管膜配置于硅基板上，对于配置后的碳纳米管膜，使用反射分光膜厚度计，以下述条件测定反射率时，反射率的3σ为15％以下。＜条件＞测定点的直径：20μm，基准测定波长：波长285nm，测定点数：121点，相邻的测定点的中心点间距离：40μm。
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公开(公告)号：CN115398334B
公开(公告)日：2023-09-26
申请号：CN202180027875.9
申请日：2021-04-02
Applicant: 三井化学株式会社 , 国立研究开发法人产业技术综合研究所
Abstract: 一种曝光用防护膜，其包含碳纳米管膜，碳纳米管膜含有碳纳米管，碳纳米管膜在波长13.5nm时的EUV光的透射率为80％以上，碳纳米管膜的厚度为1nm以上50nm以下，将碳纳米管膜配置于硅基板上，对于配置后的碳纳米管膜，使用反射分光膜厚度计，以下述条件测定反射率时，反射率的3σ为15％以下。＜条件＞测定点的直径：20μm，基准测定波长：波长285nm，测定点数：121点，相邻的测定点的中心点间距离：40μm。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117270313A
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202311217869.7
申请日：2021-04-02
Applicant: 三井化学株式会社 , 国立研究开发法人产业技术综合研究所
IPC: G03F1/62 , C01B32/168 , C01B32/17 , B82Y40/00 , G03F7/20
Abstract: 本发明提供曝光用防护膜、防护膜组件、曝光原版、曝光装置及曝光用防护膜的制造方法。一种曝光用防护膜，其包含碳纳米管膜，碳纳米管膜含有碳纳米管，碳纳米管膜在波长13.5nm时的EUV光的透射率为80％以上，碳纳米管膜的厚度为1nm以上50nm以下，将碳纳米管膜配置于硅基板上，对于配置后的碳纳米管膜，使用反射分光膜厚度计，以下述条件测定反射率时，反射率的3σ为15％以下。＜条件＞测定点的直径：20μm，基准测定波长：波长285nm，测定点数：121点，相邻的测定点的中心点间距离：40μm。
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公开(公告)号：CN107074547B
公开(公告)日：2020-03-10
申请号：CN201580056124.4
申请日：2015-10-16
Applicant: 国立研究开发法人产业技术综合研究所
IPC: C01B32/168
Abstract: 本发明的课题在于，提供一种能够进行良好的电连接，使充分量的电流流入薄膜，控制电流量的碳纳米管(CNT)网络，其特征在于，通过在CNT薄膜中将无机半导体的微粒、优选为金属卤化物、金属氧化物、金属硫化物等微粒作为连接点分配在CNT与CNT之间，构建CNT或CNT混合材料的网络。
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公开(公告)号：CN113166574A
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN201980079176.1
申请日：2019-11-13
Applicant: 丸爱株式会社 , 国立研究开发法人产业技术综合研究所
Abstract: 本发明提供一种用于RFID的墨组合物和RFID的导电性图案的制造方法。所述用于RFID的墨组合物即使减小膜厚度也能够对RFID的导电性图案确保必需的导电性并且将碳纳米管用于导电性材料。所述RFID的导电性图案的制造方法使用所述用于RFID的墨组合物。本发明的用于RFID的墨组合物，其特征在于，其是为了形成RFID的导电性图案的用于RFID的墨组合物，并且是包含碳纳米管和具有作为碳纳米管的分散剂的功能的高分子酸的碳纳米管分散液。
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公开(公告)号：CN107074547A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201580056124.4
申请日：2015-10-16
Applicant: 国立研究开发法人产业技术综合研究所
IPC: C01B32/168
Abstract: 本发明的课题在于，提供一种能够进行良好的电连接，使充分量的电流流入薄膜，控制电流量的碳纳米管(CNT)网络，其特征在于，通过在CNT薄膜中将无机半导体的微粒、优选为金属卤化物、金属氧化物、金属硫化物等微粒作为连接点分配在CNT与CNT之间，构建CNT或CNT混合材料的网络。
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公开(公告)号：CN113166574B
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN201980079176.1
申请日：2019-11-13
Applicant: 丸爱株式会社 , 国立研究开发法人产业技术综合研究所
Abstract: 本发明提供一种用于RFID的墨组合物和RFID的导电性图案的制造方法。所述用于RFID的墨组合物即使减小膜厚度也能够对RFID的导电性图案确保必需的导电性并且将碳纳米管用于导电性材料。所述RFID的导电性图案的制造方法使用所述用于RFID的墨组合物。本发明的用于RFID的墨组合物，其特征在于，其是为了形成RFID的导电性图案的用于RFID的墨组合物，并且是包含碳纳米管和具有作为碳纳米管的分散剂的功能的高分子酸的碳纳米管分散液。
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