公开(公告)号：CN106206378B

公开(公告)日：2020-12-01

申请号：CN201610591115.1

申请日：2013-06-11

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 成岛正树 ,  林辉幸 ,  下茂文夫 ,  小泉建次郎

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/677 ,  H01L21/687 ,  H01L51/56

Abstract: 本发明公开了一种减压干燥装置，其对利用喷墨打印装置形成于基板上的有机材料膜进行减压干燥处理，该减压干燥装置具有：耐压容器，其构成为能够在大气压状态和真空状态之间切换；冷却板，其对容纳于上述耐压容器的内部的上述基板进行冷却；以及多个可动销，其以能够相对于上述冷却板的表面突出或没入的方式设置，用于在冷却上述基板的期间以上述基板与上述冷却板的表面分开的状态支承上述基板。

公开(公告)号：CN102763196A

公开(公告)日：2012-10-31

申请号：CN201180010143.5

申请日：2011-02-23

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  岩谷产业株式会社

Inventor： 星野聪彦 ,  松井英章 ,  成岛正树

IPC: H01L21/304

CPC classification number: H01L21/02063 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32816 ,  H01J37/32862 ,  H01L21/76808 ,  H01L21/76814

Abstract: 提供一种能够在保持图案形状的状态下清洗至图案底部的清洗方法。在保持为真空状态的处理容器（100）内对晶片（W）上的膜上形成有规定图案的晶片（W）进行清洗的方法，包括：利用所希望的清洁气体对通过蚀刻处理形成有规定图案的晶片（W）上的膜进行清洗的工序（前工序）；在前工序后，利用氧化性气体使图案表面的残渣氧化的工序（氧化工序）；和利用还原性气体使上述被氧化的残渣还原的工序（还原工序）。氧化工序和还原工序连续执行（连续工序）。前工序和连续工序中所使用的气体，通过从内部压力（PS）保持为比处理容器（100）的内部压力（P0）高的气体喷嘴（110）放出至处理容器（100）内而被团簇化。

公开(公告)号：CN102260849A

公开(公告)日：2011-11-30

申请号：CN201110127822.2

申请日：2011-05-12

Applicant: 兵库县 ,  东京毅力科创株式会社

Inventor： 丰田纪章 ,  山田公 ,  成岛正树

IPC: C23C14/32 ,  C23F4/00

CPC classification number: H01J37/08 ,  G03F7/427 ,  H01J2237/006 ,  H01J2237/0812 ,  H01J2237/31 ,  H01L21/02041 ,  H01L21/31116

Abstract: 本发明要解决的问题在于提供能够容易地控制液体原料的团簇和气体原料的团簇的比率的团簇束产生装置以及方法、基板处理装置以及方法。本发明通过提供下述团簇束产生装置来解决上述问题，该团簇束产生装置产生团簇束，其特征在于包括：混合器，所述混合器混合气体原料和液体原料；喷嘴，所述喷嘴将在所述混合器中混合的所述气体原料和所述液体原料以团簇束的形式供应；以及温度调节部，所述温度调节部调节所述喷嘴的温度；其中，通过利用所述温度调节部改变所述喷嘴的温度来调节所述团簇束中所述液体原料的团簇和所述气体原料的团簇的比率。

公开(公告)号：CN102763196B

公开(公告)日：2015-06-17

申请号：CN201180010143.5

申请日：2011-02-23

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  岩谷产业株式会社

Inventor： 星野聪彦 ,  松井英章 ,  成岛正树

IPC: H01L21/304

CPC classification number: H01L21/02063 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32816 ,  H01J37/32862 ,  H01L21/76808 ,  H01L21/76814

Abstract: 提供一种能够在保持图案形状的状态下清洗至图案底部的清洗方法。在保持为真空状态的处理容器（100）内对晶片（W）上的膜上形成有规定图案的晶片（W）进行清洗的方法，包括：利用所希望的清洁气体对通过蚀刻处理形成有规定图案的晶片（W）上的膜进行清洗的工序（前工序）；在前工序后，利用氧化性气体使图案表面的残渣氧化的工序（氧化工序）；和利用还原性气体使上述被氧化的残渣还原的工序（还原工序）。氧化工序和还原工序连续执行（连续工序）。前工序和连续工序中所使用的气体，通过从内部压力（PS）保持为比处理容器（100）的内部压力（P0）高的气体喷嘴（110）放出至处理容器（100）内而被团簇化。

公开(公告)号：CN104488358A

公开(公告)日：2015-04-01

申请号：CN201380039479.3

申请日：2013-06-11

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 成岛正树 ,  林辉幸 ,  下茂文夫 ,  小泉建次郎

IPC: H05B33/10 ,  B05C9/14 ,  H01L51/50

CPC classification number: H01L51/0026 ,  H01L21/67161 ,  H01L21/67748 ,  H01L21/68742

Abstract: 烘焙处理系统(100)包括：真空烘焙装置(VB)1)，其用于以大气压以下的压力对利用外部的喷墨打印装置(IJ)200)形成于基板(S)上的有机材料膜进行焙烧；输送装置(11)，其用于将基板(S)向真空烘焙装置(VB)1)输送；输送室(TR)10)，其能抽成真空，用于容纳输送装置(11)；加载互锁装置(LL)20)，其构成为能够在大气压状态和真空状态之间切换；以及输送装置(31)，其配置于基板输送路径中的位于喷墨打印装置(IJ)200)和加载互锁装置(LL)20)之间的部分，用于进行基板(S)的交接。

公开(公告)号：CN101496147B

公开(公告)日：2011-12-28

申请号：CN200780028267.X

申请日：2007-07-18

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 三好秀典 ,  成岛正树

IPC: H01L21/3205 ,  H01L21/312

CPC classification number: H01L21/76826 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02068 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/31058 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/76828 ,  H01L21/76883

Abstract: 本发明提供一种热处理方法，其包括：将形成有low-k膜和配线膜的晶片(W)收容在热处理炉(41)内的工序；利用质量流量控制器(44d)对气相醋酸酐进行流量调节并向热处理炉(41)内供给的工序；和利用设置在热处理炉(41)中的加热器(41b)对供给气相醋酸酐后的热处理炉(41)内的晶片(W)进行加热的工序。

公开(公告)号：CN103314432A

公开(公告)日：2013-09-18

申请号：CN201280005143.0

申请日：2012-01-13

Applicant: 国立大学法人山梨大学 ,  东京毅力科创株式会社

Inventor： 加藤孝正 ,  成岛正树 ,  原谦一

IPC: H01L21/368 ,  H01L31/04

CPC classification number: H01L21/02617 ,  C23C24/02 ,  H01L21/02543 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/02557 ,  H01L21/02562 ,  H01L21/02568 ,  H01L21/02601 ,  H01L21/02628 ,  H01L31/0322 ,  H01L31/0326 ,  H01L31/03923 ,  H01L31/03925 ,  H01L31/18 ,  H01L31/1828 ,  H01L31/20 ,  Y02E10/541 ,  Y02E10/543

Abstract: 在被处理体的表面形成含有多种元素的薄膜的太阳能电池用薄膜形成方法中，利用电场使含有元素的原料溶液作为微粒飞散于处理空间，使飞散的上述微粒附着于被处理体的表面而形成薄膜。由此，即使在大气压气氛下也能够形成结晶性良好的光电转换元件用薄膜。

公开(公告)号：CN102754194A

公开(公告)日：2012-10-24

申请号：CN201180008696.7

申请日：2011-02-23

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  岩谷产业株式会社

Inventor： 星野聪彦 ,  松井英章 ,  成岛正树

IPC: H01L21/3205 ,  C23C14/32 ,  H01L21/28 ,  H01L21/285 ,  H01L23/52

CPC classification number: H01L21/76814 ,  C23C14/046 ,  C23C14/221 ,  C23C16/0281 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/5222 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种基板的配线方法，其能够将Cu埋入至在基板上形成的配线用图案的底部。该基板的配线方法是在保持为真空状态的处理容器（100）内对形成有配线用图案的基板进行配线的方法，其特征在于：包括用所期望的清洗气体清洗晶片上的配线用图案的前工序和在前工序之后使用团簇化后的金属气体（金属气体团簇Cg）在配线用图案内埋入金属纳米粒子的埋入工序。

公开(公告)号：CN101421831B

公开(公告)日：2011-08-24

申请号：CN200780013607.1

申请日：2007-10-01

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 成岛正树 ,  小岛康彦

IPC: H01L21/3205 ,  H01L21/302 ,  H01L21/677 ,  H01L23/52

CPC classification number: H01L21/76843 ,  C23C16/44 ,  H01L21/67207 ,  H01L21/68742 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76861 ,  H01L21/76864 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/12044 ,  Y10T29/41 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种半导体制造装置、半导体装置的制造方法、存储介质和计算机程序，其利用沿绝缘膜的凹部成膜的铜和添加金属例如Mn的合金层形成阻挡膜和铜膜，之后在埋入铜配线时，能够降低铜膜中的Mn的量，抑制配线电阻的上升。在对晶片载体进行晶片的交接的装载机模块中，通过负载锁定室连接真空搬送模块，在该真空搬送模块中连接向晶片供给作为有机酸的蚁酸的蒸汽的蚁酸处理模块、和用例如CVD使Cu成膜的模块，构成半导体制造装置，将形成上述合金层且例如接着进行过退火处理的晶片W搬入该装置内，进行蚁酸处理之后，进行Cu的成膜。

公开(公告)号：CN101421831A

公开(公告)日：2009-04-29

申请号：CN200780013607.1

申请日：2007-10-01

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 成岛正树 ,  小岛康彦

IPC: H01L21/3205 ,  H01L21/302 ,  H01L21/677 ,  H01L23/52

CPC classification number: H01L21/76843 ,  C23C16/44 ,  H01L21/67207 ,  H01L21/68742 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76861 ,  H01L21/76864 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/12044 ,  Y10T29/41 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种半导体制造装置、半导体装置的制造方法、存储介质和计算机程序，其利用沿绝缘膜的凹部成膜的铜和添加金属例如Mn的合金层形成阻挡膜和铜膜，之后在埋入铜配线时，能够降低铜膜中的Mn的量，抑制配线电阻的上升。在对晶片载体进行晶片的交接的装载机模块中，通过负载锁定室连接真空搬送模块，在该真空搬送模块中连接向晶片供给作为有机酸的蚁酸的蒸汽的蚁酸处理模块、和用例如CVD使Cu成膜的模块，构成半导体制造装置，将形成上述合金层且例如接着进行过退火处理的晶片W搬入该装置内，进行蚁酸处理之后，进行Cu的成膜。