公开(公告)号：CN102712477A

公开(公告)日：2012-10-03

申请号：CN201180005724.X

申请日：2011-04-28

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 松本贵士 ,  杉浦正仁 ,  小泉建次郎 ,  柏木勇作

IPC: C01B31/02 ,  C23C16/26 ,  H01L21/285 ,  H01L21/3205 ,  H01L23/52

CPC classification number: C23C16/503 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/16 ,  C23C16/26 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/455 ,  C23C16/458 ,  C23C16/511 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/76879 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/53276 ,  H01L2221/1094 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 准备在表面具有一个或多个开口部、在该开口部底面形成有催化剂金属层的被处理体（步骤1）。对催化剂金属层实施氧等离子体处理（步骤2），再对催化剂金属层实施氢等离子体处理，将催化剂金属层的表面活化（步骤3）。然后，根据需要进行吹扫处理（步骤4）之后，在催化剂金属层上由等离子体CVD使碳纳米管生长，以碳纳米管将被处理体的开口部内填充（步骤5）。

公开(公告)号：CN101689501A

公开(公告)日：2010-03-31

申请号：CN200880023655.3

申请日：2008-07-04

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 加藤良裕 ,  柏木勇作 ,  松本贵士

IPC: H01L21/312 ,  H01L21/768 ,  C23C16/42 ,  H01L23/522 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01L23/5329 ,  C23C16/401 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/02348 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/31633 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76822 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供的半导体装置的制造方法包括：将含有苯基和硅、并且不含不可避免的杂质以外的氮的有机硅烷气体活化而得到等离子体，并且在将基板的温度设定为200℃以下的状态下，将上述基板暴露在上述等离子体中，在上述基板上形成含有苯基和硅的薄膜的工序(a)；和其后，对上述基板施加能量，使水分从上述薄膜脱离，得到低介电常数膜的工序(b)。根据该半导体装置的制造方法，能够得到在对含有有机物的硅氧化物类的低介电常数膜进行蚀刻处理或灰化处理等的等离子体处理时，由于有机物脱离而受到的损害小的低介电常数膜。

公开(公告)号：CN109516453A

公开(公告)日：2019-03-26

申请号：CN201811099667.6

申请日：2018-09-20

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 井福亮太 ,  松本贵士

IPC: C01B32/186 ,  C01B32/18

Abstract: 本发明提供一种不经过催化金属层的形成及其活化处理，而能够形成石墨烯结构体的方法，形成石墨烯结构体的石墨烯结构体形成方法包括：准备被处理基片的步骤；和在上述被处理基片的表面没有催化功能的状态下，通过使用含碳气体作为成膜原料气体进行远程微波等离子体CVD，来在上述被处理基片的表面形成石墨烯结构体的步骤。

公开(公告)号：CN102649547A

公开(公告)日：2012-08-29

申请号：CN201210042950.1

申请日：2012-02-23

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 松本贵士 ,  秋山长之 ,  小泉建次郎

IPC: C01B31/02 ,  B82Y40/00

CPC classification number: B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/162

Abstract: 本发明提供一种碳纳米管的形成方法，其以极低的温度形成在被处理体上以近似垂直的状态取向的高密度的碳纳米管。碳纳米管的形成方法具备以下工序：在温度T1下使氧等离子体作用于催化剂金属层，形成表面被氧化的催化剂金属微粒的工序(STEP1)；在比温度T1高的温度T2下使氢等离子体作用于催化剂金属微粒，将催化剂金属微粒的表面还原而进行活化的工序(STEP2)；和在温度T3下利用热CVD法在经活化的催化剂金属微粒上使碳纳米管生长的工序(STEP3)。