公开(公告)号：CN102405304A

公开(公告)日：2012-04-04

申请号：CN201080017418.3

申请日：2010-09-28

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 铃木干夫 ,  西森崇 ,  汤浅秀树

IPC: C23C16/18 ,  C23C16/44 ,  H01L21/28 ,  H01L21/285

CPC classification number: C23C16/45523 ,  C23C16/18 ,  C23C16/56 ,  H01L21/28556

Abstract: 进行一次或多次包括以下工序的循环：通过CVD在基板上形成含氮的Ni膜的工序，其中，作为成膜原料使用脒基镍，作为还原气体使用选自氨、肼或这些的衍生物中的至少一种；和对形成的含氮的Ni膜供给氢气，以Ni作为催化剂产生原子氢，通过产生的原子氢使氮从上述含氮的Ni膜脱离的工序。

公开(公告)号：CN102365715A

公开(公告)日：2012-02-29

申请号：CN201080014285.4

申请日：2010-08-20

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 铃木干夫 ,  西森崇 ,  汤浅秀树

IPC: H01L21/28 ,  C23C16/42 ,  H01L21/285

CPC classification number: H01L21/28518 ,  C23C16/42 ,  C23C16/56 ,  H01L21/28556

Abstract: 一种金属硅化物膜的形成方法，具有：准备在表面具有硅部分的基板的工序(步骤1)，通过使用含氮金属化合物作为成膜原料的CVD在硅部分的表面形成金属膜的工序(步骤2)，及其后，对基板在氢气氛下实施退火，通过金属膜与硅部分的反应而形成金属硅化物的工序(步骤3)。