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公开(公告)号：CN106282966B
公开(公告)日：2019-11-05
申请号：CN201610465904.0
申请日：2016-06-23
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/40 , C23C16/34 , C23C16/455 , H01L21/02
Abstract: 本发明提供一种含硅膜的成膜方法和成膜装置。在该含硅膜的成膜方法中，向形成于基板的表面的凹坑填充含硅膜，该含硅膜的成膜方法包含第1成膜循环，所述第1成膜循环包括：第1硅吸附工序，在该第1硅吸附工序中，向所述基板供给含硅气体，使所述含硅气体吸附于所述凹坑内；硅蚀刻工序，在该硅蚀刻工序中，向所述基板供给蚀刻气体，对吸附于所述凹坑内的所述含硅气体的硅成分的一部分进行蚀刻；以及第1含硅膜堆积工序，在该第1含硅膜堆积工序中，向所述基板供给与所述硅成分反应的反应气体，使该反应气体与在蚀刻后以吸附于所述凹坑内的状态残留的所述硅成分反应而生成反应生成物，在所述凹坑内堆积含硅膜。
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公开(公告)号：CN104637769B
公开(公告)日：2018-03-20
申请号：CN201410635709.9
申请日：2014-11-05
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H01L21/02211 , C23C16/45538 , C23C16/45551 , C23C16/4584 , C23C16/505 , H01J37/3244 , H01J37/32513 , H01J37/32568 , H01L21/02164 , H01L21/02219 , H01L21/02274 , H01L21/0228 , H01L21/31138
Abstract: 本发明提供基板处理装置和基板处理方法。基板处理装置包括：真空容器，其具有顶板；旋转台，其以能够旋转的方式设于所述真空容器内；第1处理气体供给部件，其用于供给要吸附于与所述旋转台对置的基板的表面的第1处理气体；等离子体处理用气体供给部件，其设于在所述旋转台的周向上与所述第1处理气体供给部件分开的位置，用于向所述基板的表面供给等离子体处理用气体；分离气体供给部件，其用于供给使所述第1处理气体和所述等离子体处理用气体分离的分离气体；等离子体产生部件，其用于使所述等离子体处理用气体等离子体化；以及升降机构，其用于使所述等离子体产生部件和所述旋转台中的至少一者升降。
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公开(公告)号：CN103031537B
公开(公告)日：2016-03-02
申请号：CN201210365923.8
申请日：2012-09-27
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/44 , C23C16/455 , C23C16/50 , C23C16/54 , H01L21/285
CPC classification number: C23C16/45536 , C23C16/45544 , C23C16/507 , H01J37/321 , H01J37/3211
Abstract: 本发明提供成膜装置和基板处理装置。以包括气体供给部和天线的方式构成装置，该气体供给部用于向旋转台的基板载置区域侧的表面供给等离子体生成用的气体；该天线以从上述旋转台的中央部延伸到外周部的方式与该旋转台的基板载置区域侧的表面相对地设置，用于通过电感耦合使等离子体生成用的气体等离子体化。并且，上述天线以其与上述基板载置区域的靠旋转台的中央部侧的部分之间的分开距离比其与上述基板载置区域的靠旋转台的外周部侧的部分之间的分开距离大3mm以上的方式配置。
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公开(公告)号：CN103088319B
公开(公告)日：2015-05-13
申请号：CN201310016980.X
申请日：2009-08-31
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/455 , C23C16/452
CPC classification number: H01J37/32559 , C23C16/452 , C23C16/45517 , C23C16/45536 , C23C16/45551 , C23C16/45563 , C23C16/45565 , C23C16/45578 , C23C16/4584 , C23C16/50 , C23C16/505 , C23C16/509 , C23C16/5093 , H01J1/00 , H01J37/3244 , H01J37/32449
Abstract: 本发明提供一种活化气体注入装置、成膜装置和成膜方法。该活化气体注入装置被划分成气体活化室、气体导入室，包括：将这些空间互相连通的流路形成构件；用于将处理气体导入到气体导入室的气体导入件；在气体活化室内互相并列延伸地设置、施加用于使处理气体活化的电力的一对电极，为了将被活化的气体喷出到气体活化室内而沿着电极的长度方向设置的气体喷出口。
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公开(公告)号：CN102776491A
公开(公告)日：2012-11-14
申请号：CN201210147817.2
申请日：2012-05-11
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/50 , C23C16/455
Abstract: 本发明提供成膜装置和成膜方法。该成膜装置包括：真空容器，按顺序向其内部多次供给第一处理气体和第二处理气体；旋转台，其具有包括基板载置区域在内的一个表面，使基板载置区域在真空容器内旋转；第一处理气体供给部，向第一区域供给第一处理气体；第二处理气体供给部，向在上述旋转台的周向上隔着分离区域与第一区域分开的第二区域供给第二处理气体；等离子体产生气体供给部，向上述真空容器内供给等离子体产生用气体；天线，其与上述旋转台的上述一个表面相对，利用电感耦合使上述等离子体产生用气体在等离子体空间内产生等离子体；法拉第屏蔽件，其接地，设在上述天线与上述等离子体空间之间，具有在与上述天线正交的方向上排列的多个狭缝。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101859694A
公开(公告)日：2010-10-13
申请号：CN201010145553.8
申请日：2010-04-08
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/00 , C23C16/46 , C23C16/455
CPC classification number: H01L21/67115 , C23C16/402 , C23C16/45519 , C23C16/45536 , C23C16/45551 , C23C16/45578 , C23C16/458 , C23C16/46 , C23C16/463 , C23C16/482 , C23C16/54 , H01L21/6719 , H01L21/67207 , H01L21/68764 , H01L21/68771
Abstract: 本发明提供一种成膜装置和成膜方法。通过使载置有晶圆的旋转台绕铅垂轴线旋转，向晶圆的表面供给第一反应气体而使该反应气体吸附在晶圆的表面上，接下来，按照与该第一反应气体发生反应而生成具有流动性的中间产物的辅助气体以及与该中间产物发生反应而生成反应生成物的第二气体这样的顺序向晶圆的表面供给，然后，通过加热灯加热晶圆而使反应生成物致密化。
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公开(公告)号：CN101660138A
公开(公告)日：2010-03-03
申请号：CN200910169417.X
申请日：2009-08-31
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/452 , C23C16/455 , H01L21/205
CPC classification number: H01J37/32559 , C23C16/452 , C23C16/45517 , C23C16/45536 , C23C16/45551 , C23C16/45563 , C23C16/45565 , C23C16/45578 , C23C16/4584 , C23C16/50 , C23C16/505 , C23C16/509 , C23C16/5093 , H01J1/00 , H01J37/3244 , H01J37/32449
Abstract: 本发明提供一种活化气体注入装置、成膜装置和成膜方法。该活化气体注入装置被划分成气体活化室、气体导入室，包括：将这些空间互相连通的流路形成构件；用于将处理气体导入到气体导入室的气体导入件；在气体活化室内互相并列延伸地设置、施加用于使处理气体活化的电力的一对电极，为了将被活化的气体喷出到气体活化室内而沿着电极的长度方向设置的气体喷出口。
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公开(公告)号：CN114807908A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202210038157.8
申请日：2022-01-13
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/50 , C23C16/40 , C23C16/458 , H01Q1/22
Abstract: 本发明提供一种能够调整由等离子体产生的离子的供给量的等离子体处理装置。其具有：处理室；旋转台，其设于所述处理室内，并能够将基板沿着周向载置；处理气体供给喷嘴，其能够向所述旋转台供给处理气体；等离子体天线，其位于所述处理室上的、覆盖所述处理气体供给喷嘴的至少局部的位置；以及离子捕捉板，其设于比所述处理气体供给喷嘴靠上方的、所述处理室内的与所述等离子体天线的至少局部重叠的位置。
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公开(公告)号：CN106282966A
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201610465904.0
申请日：2016-06-23
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/40 , C23C16/34 , C23C16/455 , H01L21/02
Abstract: 本发明提供一种含硅膜的成膜方法和成膜装置。在该含硅膜的成膜方法中，向形成于基板的表面的凹坑填充含硅膜，该含硅膜的成膜方法包含第1成膜循环，所述第1成膜循环包括：第1硅吸附工序，在该第1硅吸附工序中，向所述基板供给含硅气体，使所述含硅气体吸附于所述凹坑内；硅蚀刻工序，在该硅蚀刻工序中，向所述基板供给蚀刻气体，对吸附于所述凹坑内的所述含硅气体的硅成分的一部分进行蚀刻；以及第1含硅膜堆积工序，在该第1含硅膜堆积工序中，向所述基板供给与所述硅成分反应的反应气体，使该反应气体与在蚀刻后以吸附于所述凹坑内的状态残留的所述硅成分反应而生成反应生成物，在所述凹坑内堆积含硅膜。
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公开(公告)号：CN105097459A
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201510250345.7
申请日：2015-05-15
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/205 , H01J37/32
CPC classification number: H01J37/32449 , C23C16/45534 , C23C16/45536 , C23C16/45551 , C23C16/507 , H01J37/3244 , H01J37/32715 , H01J37/32779 , H01J37/32834 , H01L21/0228 , H01L21/3065 , H01L21/31116 , H01L21/67069 , H01L21/68764 , H01L21/205
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理方法及等离子体处理装置。向预定的等离子体处理区域内供给处理气体，在等离子体产生区域使所述处理气体等离子体化而对已形成在基板(W)上的膜实施等离子体处理。获取已形成在基板上的膜的基于等离子体处理的面内处理量的分布。接着，根据获取的所述面内处理量的分布，以这样的方式调整所述处理气体的流速：使向欲增加所述等离子体处理的处理量的区域供给的所述处理气体的流速相对升高，或者，使向欲减少所述等离子体处理的处理量的区域供给的所述处理气体的流速相对降低。然后，向所述预定的等离子体处理区域内供给流速被调整了的所述处理气体，对已形成在所述基板上的膜实施所述等离子体处理。
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