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公开(公告)号：CN108456870A
公开(公告)日：2018-08-28
申请号：CN201810151721.0
申请日：2018-02-14
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: C23C16/45536 , C23C16/02 , C23C16/0272 , C23C16/045 , C23C16/345 , C23C16/45544 , C23C16/45551 , H01J37/321 , H01J37/32357 , H01J37/32366 , H01J37/32458 , H01J37/32513 , H01J37/32651 , H01J37/32715 , H01J37/32752 , H01J37/32899 , C23C16/34 , C23C16/047
Abstract: 本发明涉及成膜方法以及成膜装置，目的是能够利用简单的处理以及装置来实现的自下而上性高的氮化膜的嵌入成膜。成膜方法，从底面侧向在基板的表面形成的凹陷图案嵌入氮化膜，该成膜方法包括以下工序：向所述基板的表面和所述凹陷图案的上部供给利用等离子体活化得到的氯气并使该氯气吸附来形成吸附阻碍基团；向包含所述凹陷图案的所述基板的表面供给含有硅和氯或含有金属和氯的原料气体，使所述原料气体吸附于没有形成所述吸附阻碍基团的所述凹陷图案内的下部区域；以及向包含所述凹陷图案的所述基板的表面供给氮化气体，使通过与所述原料气体发生反应而生成的氮化膜的分子层沉积在所述凹陷图案内的下部区域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106282966A
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201610465904.0
申请日：2016-06-23
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/40 , C23C16/34 , C23C16/455 , H01L21/02
Abstract: 本发明提供一种含硅膜的成膜方法和成膜装置。在该含硅膜的成膜方法中，向形成于基板的表面的凹坑填充含硅膜，该含硅膜的成膜方法包含第1成膜循环，所述第1成膜循环包括：第1硅吸附工序，在该第1硅吸附工序中，向所述基板供给含硅气体，使所述含硅气体吸附于所述凹坑内；硅蚀刻工序，在该硅蚀刻工序中，向所述基板供给蚀刻气体，对吸附于所述凹坑内的所述含硅气体的硅成分的一部分进行蚀刻；以及第1含硅膜堆积工序，在该第1含硅膜堆积工序中，向所述基板供给与所述硅成分反应的反应气体，使该反应气体与在蚀刻后以吸附于所述凹坑内的状态残留的所述硅成分反应而生成反应生成物，在所述凹坑内堆积含硅膜。
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公开(公告)号：CN108456870B
公开(公告)日：2021-10-08
申请号：CN201810151721.0
申请日：2018-02-14
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明涉及成膜方法以及成膜装置，目的是能够利用简单的处理以及装置来实现的自下而上性高的氮化膜的嵌入成膜。成膜方法，从底面侧向在基板的表面形成的凹陷图案嵌入氮化膜，该成膜方法包括以下工序：向所述基板的表面和所述凹陷图案的上部供给利用等离子体活化得到的氯气并使该氯气吸附来形成吸附阻碍基团；向包含所述凹陷图案的所述基板的表面供给含有硅和氯或含有金属和氯的原料气体，使所述原料气体吸附于没有形成所述吸附阻碍基团的所述凹陷图案内的下部区域；以及向包含所述凹陷图案的所述基板的表面供给氮化气体，使通过与所述原料气体发生反应而生成的氮化膜的分子层沉积在所述凹陷图案内的下部区域。
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公开(公告)号：CN106282966B
公开(公告)日：2019-11-05
申请号：CN201610465904.0
申请日：2016-06-23
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/40 , C23C16/34 , C23C16/455 , H01L21/02
Abstract: 本发明提供一种含硅膜的成膜方法和成膜装置。在该含硅膜的成膜方法中，向形成于基板的表面的凹坑填充含硅膜，该含硅膜的成膜方法包含第1成膜循环，所述第1成膜循环包括：第1硅吸附工序，在该第1硅吸附工序中，向所述基板供给含硅气体，使所述含硅气体吸附于所述凹坑内；硅蚀刻工序，在该硅蚀刻工序中，向所述基板供给蚀刻气体，对吸附于所述凹坑内的所述含硅气体的硅成分的一部分进行蚀刻；以及第1含硅膜堆积工序，在该第1含硅膜堆积工序中，向所述基板供给与所述硅成分反应的反应气体，使该反应气体与在蚀刻后以吸附于所述凹坑内的状态残留的所述硅成分反应而生成反应生成物，在所述凹坑内堆积含硅膜。
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公开(公告)号：CN104831255B
公开(公告)日：2018-09-07
申请号：CN201510071141.7
申请日：2015-02-10
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/455 , H01L21/67
CPC classification number: C23C16/4584 , C23C16/345 , C23C16/45519 , C23C16/45538 , C23C16/45551 , C23C16/507 , C23C16/52 , H01L21/0217 , H01L21/02274 , H01L21/0228
Abstract: 本发明提供基板处理方法和基板处理装置。基板处理方法包括以下工序：向基板供给处理气体的工序；向所述基板供给分离气体的工序；在第1等离子体产生部件与所述旋转台之间的距离为第1距离的状态下向所述基板供给第1等离子体处理用气体的工序；在第2等离子体产生部件与所述旋转台之间的距离为比所述第1距离小的第2距离的状态下向所述基板供给第2等离子体处理用气体的工序；以及向所述基板供给所述分离气体的工序。
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公开(公告)号：CN104831255A
公开(公告)日：2015-08-12
申请号：CN201510071141.7
申请日：2015-02-10
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/455 , H01L21/67
CPC classification number: C23C16/4584 , C23C16/345 , C23C16/45519 , C23C16/45538 , C23C16/45551 , C23C16/507 , C23C16/52 , H01L21/0217 , H01L21/02274 , H01L21/0228
Abstract: 本发明提供基板处理方法和基板处理装置。基板处理方法包括以下工序：向基板供给处理气体的工序；向所述基板供给分离气体的工序；在第1等离子体产生部件与所述旋转台之间的距离为第1距离的状态下向所述基板供给第1等离子体处理用气体的工序；在第2等离子体产生部件与所述旋转台之间的距离为比所述第1距离小的第2距离的状态下向所述基板供给第2等离子体处理用气体的工序；以及向所述基板供给所述分离气体的工序。
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