成膜装置
    1.
    发明授权

    公开(公告)号:CN101994101B

    公开(公告)日:2014-10-15

    申请号:CN201010250341.6

    申请日:2010-08-04

    CPC classification number: C23C16/45551 C23C16/402 C23C16/45536

    Abstract: 本发明提供一种成膜装置,使旋转工作台旋转,使BTBAS气体吸附在晶圆(W)上,接着向晶圆(W)表面供给O3气体,使其与吸附在晶圆(W)表面的BTBAS气体发生反应而形成氧化硅膜时,在形成氧化硅膜之后,由活化气体喷射器对晶圆(W)上的氧化硅膜供给Ar气体的等离子体,在每个成膜循环都进行改性处理。

    成膜装置
    3.
    发明授权

    公开(公告)号:CN102953047B

    公开(公告)日:2015-10-21

    申请号:CN201210295000.X

    申请日:2012-08-17

    Abstract: 本发明提供成膜装置,包括:旋转台,其设于真空容器内,在其上表面上沿周向具有用于载置基板的多个基板载置区域,并且用于使该基板载置区域旋转;气体喷嘴,其以从基板载置区域的内缘延伸到外缘的方式设置,沿其长度方向形成有用于喷出气体的气体喷出口;排气口,其设于气体喷嘴的靠旋转台的旋转方向侧且比旋转台的外缘靠外侧的位置,用于排出气体;限制构件,其包括壁部,该壁部配置于气体喷嘴与排气口之间,设置为在基板载置区域载置有基板时能够供气体从该壁部与该基板之间通过的间隙从基板载置区域的内缘延伸到外缘,并且,该壁部在从基板载置区域的内缘到外缘之间的至少一部分区域将气体喷嘴与排气口之间隔开。

    成膜方法和成膜装置
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN102787304A

    公开(公告)日:2012-11-21

    申请号:CN201210155103.6

    申请日:2012-05-17

    Abstract: 本发明提供成膜方法和成膜装置。成膜方法包括以下步骤:将基板输入到真空容器内,将基板载置在能旋转地设在真空容器内的旋转台上;使旋转台旋转;吸附步骤,自第1反应气体供给部向基板供给第1反应气体,使第1反应气体吸附于基板;形成步骤,自第2反应气体供给部向基板供给与第1反应气体反应的第2反应气体,使第2反应气体与吸附于基板的第1反应气体反应,在基板上形成反应生成物;向等离子体产生部供给含氢气体,在旋转台的上方生成等离子体,该等离子体产生部在旋转台的周向上与第1反应气体供给部及第2反应气体供给部分开地设置。

    成膜装置和成膜方法
    8.
    发明授权

    公开(公告)号:CN102776491B

    公开(公告)日:2015-08-12

    申请号:CN201210147817.2

    申请日:2012-05-11

    Abstract: 本发明提供成膜装置和成膜方法。该成膜装置包括:真空容器,按顺序向其内部多次供给第一处理气体和第二处理气体;旋转台,其具有包括基板载置区域在内的一个表面,使基板载置区域在真空容器内旋转;第一处理气体供给部,向第一区域供给第一处理气体;第二处理气体供给部,向在上述旋转台的周向上隔着分离区域与第一区域分开的第二区域供给第二处理气体;等离子体产生气体供给部,向上述真空容器内供给等离子体产生用气体;天线,其与上述旋转台的上述一个表面相对,利用电感耦合使上述等离子体产生用气体在等离子体空间内产生等离子体;法拉第屏蔽件,其接地,设在上述天线与上述等离子体空间之间,具有在与上述天线正交的方向上排列的多个狭缝。

    成膜方法和成膜装置
    9.
    发明授权

    公开(公告)号:CN102787304B

    公开(公告)日:2015-07-29

    申请号:CN201210155103.6

    申请日:2012-05-17

    Abstract: 本发明提供成膜方法和成膜装置。成膜方法包括以下步骤:将基板输入到真空容器内,将基板载置在能旋转地设在真空容器内的旋转台上;使旋转台旋转;吸附步骤,自第1反应气体供给部向基板供给第1反应气体,使第1反应气体吸附于基板;形成步骤,自第2反应气体供给部向基板供给与第1反应气体反应的第2反应气体,使第2反应气体与吸附于基板的第1反应气体反应,在基板上形成反应生成物;向等离子体产生部供给含氢气体,在旋转台的上方生成等离子体,该等离子体产生部在旋转台的周向上与第1反应气体供给部及第2反应气体供给部分开地设置。

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