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公开(公告)号：CN103215567A
公开(公告)日：2013-07-24
申请号：CN201310019951.9
申请日：2013-01-18
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/455 , H01L21/31
CPC classification number: C23C16/458 , C23C16/45551 , C23C16/45578 , C23C16/45591
Abstract: 本发明提供一种成膜装置，其在真空容器内进行多次按顺序供给互相反应的多种处理气体的循环而形成薄膜，包括旋转台、多个处理气体供给部、分离气体供给部以及排气口。处理气体供给部中的至少一个处理气体供给部构成为从旋转台的中央部朝向周缘部延伸的气体喷嘴，在气体喷嘴的靠旋转台的旋转方向的上游侧和靠下游侧，沿着该气体喷嘴的长度方向设有整流板，该整流板为了抑制自该气体喷嘴喷射的处理气体的稀薄化而使分离气体在该整流板的上表面侧流动，为了抑制位于整流板的下方侧的处理气体被排出到旋转台的外侧，整流板的靠旋转台的外周侧的缘部以与该旋转台的外周端面隔有间隙地与该旋转台的外周端面相对的方式朝向下方侧弯曲而构成弯曲部。
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公开(公告)号：CN109943828B
公开(公告)日：2022-01-07
申请号：CN201811563931.7
申请日：2018-12-20
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/458 , C23C16/40 , C23C16/455
Abstract: 本公开涉及成膜装置，在向公转的基板供给成膜气体来成膜时，可靠地进行该基板的自转并且抑制用于自转的机构对装置的各部施加的负担。具备：自转轴，其以支承载置基板(W)的载置台(3)的方式自转自如地设置于与旋转台(2)共同旋转的部位；从动齿轮(4)，其设置于自转轴；驱动齿轮(5)，其与从动齿轮(4)的公转轨道面对并旋转，沿着公转轨道的整周设置，与从动齿轮构成磁齿轮机构；以及相对距离变更机构(55)，其用于变更从动齿轮的公转轨道与驱动齿轮之间的相对距离。由此，在成膜处理时，能够使作用于从动齿轮与驱动齿轮之间的磁力成为进行基板的自转所需要的磁力，并且能够防止该磁力总是强力从而抑制对装置的各部施加的负担。
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公开(公告)号：CN105097459B
公开(公告)日：2019-01-22
申请号：CN201510250345.7
申请日：2015-05-15
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/205 , H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理方法及等离子体处理装置。向预定的等离子体处理区域内供给处理气体，在等离子体产生区域使所述处理气体等离子体化而对已形成在基板(W)上的膜实施等离子体处理。获取已形成在基板上的膜的基于等离子体处理的面内处理量的分布。接着，根据获取的所述面内处理量的分布，以这样的方式调整所述处理气体的流速：使向欲增加所述等离子体处理的处理量的区域供给的所述处理气体的流速相对升高，或者，使向欲减少所述等离子体处理的处理量的区域供给的所述处理气体的流速相对降低。然后，向所述预定的等离子体处理区域内供给流速被调整了的所述处理气体，对已形成在所述基板上的膜实施所述等离子体处理。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109943828A
公开(公告)日：2019-06-28
申请号：CN201811563931.7
申请日：2018-12-20
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/458 , C23C16/40 , C23C16/455
Abstract: 本公开涉及成膜装置，在向公转的基板供给成膜气体来成膜时，可靠地进行该基板的自转并且抑制用于自转的机构对装置的各部施加的负担。具备：自转轴，其以支承载置基板(W)的载置台(3)的方式自转自如地设置于与旋转台(2)共同旋转的部位；从动齿轮(4)，其设置于自转轴；驱动齿轮(5)，其与从动齿轮(4)的公转轨道面对并旋转，沿着公转轨道的整周设置，与从动齿轮构成磁齿轮机构；以及相对距离变更机构(55)，其用于变更从动齿轮的公转轨道与驱动齿轮之间的相对距离。由此，在成膜处理时，能够使作用于从动齿轮与驱动齿轮之间的磁力成为进行基板的自转所需要的磁力，并且能够防止该磁力总是强力从而抑制对装置的各部施加的负担。
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公开(公告)号：CN103215567B
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：CN201310019951.9
申请日：2013-01-18
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/455 , H01L21/31
CPC classification number: C23C16/458 , C23C16/45551 , C23C16/45578 , C23C16/45591
Abstract: 本发明提供一种成膜装置，其在真空容器内进行多次按顺序供给互相反应的多种处理气体的循环而形成薄膜，包括旋转台、多个处理气体供给部、分离气体供给部以及排气口。处理气体供给部中的至少一个处理气体供给部构成为从旋转台的中央部朝向周缘部延伸的气体喷嘴，在气体喷嘴的靠旋转台的旋转方向的上游侧和靠下游侧，沿着该气体喷嘴的长度方向设有整流板，该整流板为了抑制自该气体喷嘴喷射的处理气体的稀薄化而使分离气体在该整流板的上表面侧流动，为了抑制位于整流板的下方侧的处理气体被排出到旋转台的外侧，整流板的靠旋转台的外周侧的缘部以与该旋转台的外周端面隔有间隙地与该旋转台的外周端面相对的方式朝向下方侧弯曲而构成弯曲部。
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公开(公告)号：CN103924220B
公开(公告)日：2017-06-06
申请号：CN201410019338.1
申请日：2014-01-16
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/458 , C23C16/455
CPC classification number: H01L21/68764 , C23C16/45519 , C23C16/45523 , C23C16/48 , C23C16/56 , H01L21/68771
Abstract: 本发明提供成膜方法和成膜装置。成膜方法包括以下步骤：输入步骤，使具有多个基板载置部的旋转台间歇性地旋转而将多个基板载置部依次配置于输入输出区域，将基板依次载置到基板载置部；成膜步骤，反复多次进行通过使旋转台旋转而使多个基板公转、并且将彼此反应的反应气体交替地向基板表面供给的循环，而在基板表面上形成薄膜；改性步骤，对通过使旋转台间歇性地旋转而被依次配置在与输入输出区域相邻的加热区域中的基板的薄膜进行改性；以及输出步骤，接着改性步骤，将在改性步骤中改性了薄膜的基板依次配置在输入输出区域，并将所配置的基板依次输出。
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公开(公告)号：CN105097459A
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201510250345.7
申请日：2015-05-15
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/205 , H01J37/32
CPC classification number: H01J37/32449 , C23C16/45534 , C23C16/45536 , C23C16/45551 , C23C16/507 , H01J37/3244 , H01J37/32715 , H01J37/32779 , H01J37/32834 , H01L21/0228 , H01L21/3065 , H01L21/31116 , H01L21/67069 , H01L21/68764 , H01L21/205
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理方法及等离子体处理装置。向预定的等离子体处理区域内供给处理气体，在等离子体产生区域使所述处理气体等离子体化而对已形成在基板(W)上的膜实施等离子体处理。获取已形成在基板上的膜的基于等离子体处理的面内处理量的分布。接着，根据获取的所述面内处理量的分布，以这样的方式调整所述处理气体的流速：使向欲增加所述等离子体处理的处理量的区域供给的所述处理气体的流速相对升高，或者，使向欲减少所述等离子体处理的处理量的区域供给的所述处理气体的流速相对降低。然后，向所述预定的等离子体处理区域内供给流速被调整了的所述处理气体，对已形成在所述基板上的膜实施所述等离子体处理。
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公开(公告)号：CN103924220A
公开(公告)日：2014-07-16
申请号：CN201410019338.1
申请日：2014-01-16
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/458 , C23C16/455
CPC classification number: H01L21/68764 , C23C16/45519 , C23C16/45523 , C23C16/48 , C23C16/56 , H01L21/68771
Abstract: 本发明提供成膜方法和成膜装置。成膜方法包括以下步骤：输入步骤，使具有多个基板载置部的旋转台间歇性地旋转而将多个基板载置部依次配置于输入输出区域，将基板依次载置到基板载置部；成膜步骤，反复多次进行通过使旋转台旋转而使多个基板公转、并且将彼此反应的反应气体交替地向基板表面供给的循环，而在基板表面上形成薄膜；改性步骤，对通过使旋转台间歇性地旋转而被依次配置在与输入输出区域相邻的加热区域中的基板的薄膜进行改性；以及输出步骤，接着改性步骤，将在改性步骤中改性了薄膜的基板依次配置在输入输出区域，并将所配置的基板依次输出。
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