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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102105253A
公开(公告)日：2011-06-22
申请号：CN200980128987.2
申请日：2009-07-13
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: B23B31/28
CPC classification number: H02N13/00
Abstract: 本发明描述了一种为高温减压处理所构造的静电卡盘。静电卡盘包括具有静电夹紧电极和可选加热元件的卡盘主体，和具有传热表面的散热器主体，所述传热表面被布置为与卡盘主体的内表面呈密切关系，其中静电夹紧电极被构造为将衬底夹紧在卡盘主体的外表面上，并且其中由于内表面和传热表面的密切关系，散热器主体被构造为从卡盘主体移除热量。静电卡盘还包括构造为支撑卡盘主体和散热器主体的平台组件，和膨胀接头，所述膨胀接头设置在卡盘主体和平台组件之间，并且被构造为在适应卡盘主体和平台组件的差异热膨胀的同时将卡盘主体密封连接到平台组件。
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公开(公告)号：CN1871685B
公开(公告)日：2010-04-28
申请号：CN200480031575.4
申请日：2004-10-26
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
CPC classification number: H01J37/321
Abstract: 一种电感耦合等离子体源设置由周界离子化源(39)用于在真空室(32)中产生高密度等离子体以用于半导体晶片涂覆或刻蚀。该源包括具有高辐射段和低辐射段的分段构造，并产生在绕室周围的等离子体中能量集中的基本环形阵列。能量从分段低电感天线(40)耦合通过电介质窗(25)或窗(25a)的阵列并通过分段屏蔽或挡板(50)。天线(40)具有集中导体段(45)，电流通过其在一个或多个小横截面的导体中流动以产生通过高透射率屏蔽段耦合到室中的高磁场，而由大横截面导体部分或分散的小导体部分形成的交替的分散导体段(46)允许磁场经过或位于导体之间并且仅传递弱磁场，其与不可透射屏蔽部分对准并将不显著的能量耦合到等离子体。该源提供了等离子体能量分布的空间控制，其帮助了在被处理的半导体表面上等离子体处理均匀性的控制。
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公开(公告)号：CN105934812A
公开(公告)日：2016-09-07
申请号：CN201580005769.5
申请日：2015-01-23
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/027 , H01L21/66
CPC classification number: H01L22/12 , H01L21/67288 , H01L21/68 , H01L22/20
Abstract: 本文所公开的技术提供了用于针对衬底的背侧生成纹理图的系统和方法。所述纹理图可以用于确定针对衬底的前侧的后续工艺的工艺调节(例如，焦点深度)。
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公开(公告)号：CN102105253B
公开(公告)日：2014-06-04
申请号：CN200980128987.2
申请日：2009-07-13
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: B23B31/28
CPC classification number: H02N13/00
Abstract: 本发明描述了一种为高温减压处理所构造的静电卡盘。静电卡盘包括具有静电夹紧电极和可选加热元件的卡盘主体，和具有传热表面的散热器主体，所述传热表面被布置为与卡盘主体的内表面呈密切关系，其中静电夹紧电极被构造为将衬底夹紧在卡盘主体的外表面上，并且其中由于内表面和传热表面的密切关系，散热器主体被构造为从卡盘主体移除热量。静电卡盘还包括构造为支撑卡盘主体和散热器主体的平台组件，和膨胀接头，所述膨胀接头设置在卡盘主体和平台组件之间，并且被构造为在适应卡盘主体和平台组件的差异热膨胀的同时将卡盘主体密封连接到平台组件。
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公开(公告)号：CN1871685A
公开(公告)日：2006-11-29
申请号：CN200480031575.4
申请日：2004-10-26
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
CPC classification number: H01J37/321
Abstract: 一种电感耦合等离子体源设置由周界离子化源(39)用于在真空室(32)中产生高密度等离子体以用于半导体晶片涂覆或刻蚀。该源包括具有高辐射段和低辐射段的分段构造，并产生在绕室周围的等离子体中能量集中的基本环形阵列。能量从分段低电感天线(40)耦合通过电介质窗(25)或窗(25a)的阵列并通过分段屏蔽或挡板(50)。天线(40)具有集中导体段(45)，电流通过其在一个或多个小横截面的导体中流动以产生通过高透射率屏蔽段耦合到室中的高磁场，而由大横截面导体部分或分散的小导体部分形成的交替的分散导体段(46)允许磁场经过或位于导体之间并且仅传递弱磁场，其与不可透射屏蔽部分对准并将不显著的能量耦合到等离子体。该源提供了等离子体能量分布的空间控制，其帮助了在被处理的半导体表面上等离子体处理均匀性的控制。
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