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公开(公告)号：CN1906729B
公开(公告)日：2010-05-12
申请号：CN200580001611.7
申请日：2005-01-18
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 乔则夫·布卡
IPC: H01J37/32
CPC classification number: H01J37/321
Abstract: 一种感应耦合等离子体源，设置有紧凑的感应元件(20)，感应元件(20)被构造成产生特别适合于加工大规模晶片(14)的空间分布的等离子体(15)。一种优选实施方式的元件(20)由片材形成，以实现紧凑并易于构造。元件(20)位于加工室(12)的电介质壁或窗口(16)之外，与电介质壁或窗口大致一致，由一个或多个层或回路(40)形成。导体提供围绕每个回路的传导路径，每个回路具有使绕每个回路的路径大于元件(20)的圆周的蜿蜒或振荡构造。该路径是通过沿元件的侧边缘的切口(30)来形成的。导体由大和小宽高比的交替部分(31-35)形成，其中宽高比被定义为横跨路径的宽度与片的厚度的比。这些部分也由片中的切口限定。较窄的部分集中电流，具有较高感应系数，将较大量的能量耦合到室中，使得产生离散的等离子体浓度环。可以通过构造感应元件的一个或多个回路使得较高感应系数、较低宽高比的部分位于离室的轴的合适半径处来产生一个或多个环。
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公开(公告)号：CN101605925B
公开(公告)日：2011-08-31
申请号：CN200880004235.0
申请日：2008-01-04
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 乔则夫·布卡
IPC: C23F1/00 , H01L21/306
CPC classification number: H01J37/32357 , H01J37/3244 , H01J37/32449 , H01J2237/2001
Abstract: 本发明描述了一种用于将衬底暴露在各种工序中的处理系统。此外，提供了一种构造为连接并使用该处理系统以便于将处理材料分配到衬底上的气体分配系统。该处理系统包括处理室，连接到该处理室的基团产生系统，连接到基团产生系统并被构造为将活性基团分配到衬底上的气体分配系统，以及控制温度的基座，该基座连接到真空室并被构造为支撑衬底。气体分配系统被构造为有效地将基团传输到衬底上并且将所述基团分配在衬底上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101605925A
公开(公告)日：2009-12-16
申请号：CN200880004235.0
申请日：2008-01-04
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 乔则夫·布卡
IPC: C23F1/00 , H01L21/306
CPC classification number: H01J37/32357 , H01J37/3244 , H01J37/32449 , H01J2237/2001
Abstract: 本发明描述了一种用于将衬底暴露在各种工序中的处理系统。此外，提供了一种构造为连接并使用该处理系统以便于将处理材料分配到衬底上的气体分配系统。该处理系统包括处理室，连接到该处理室的基团产生系统，连接到基团产生系统并被构造为将活性基团分配到衬底上的气体分配系统，以及控制温度的基座，该基座连接到真空室并被构造为支撑衬底。气体分配系统被构造为有效地将基团传输到衬底上并且将所述基团分配在衬底上。
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公开(公告)号：CN1871685B
公开(公告)日：2010-04-28
申请号：CN200480031575.4
申请日：2004-10-26
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
CPC classification number: H01J37/321
Abstract: 一种电感耦合等离子体源设置由周界离子化源(39)用于在真空室(32)中产生高密度等离子体以用于半导体晶片涂覆或刻蚀。该源包括具有高辐射段和低辐射段的分段构造，并产生在绕室周围的等离子体中能量集中的基本环形阵列。能量从分段低电感天线(40)耦合通过电介质窗(25)或窗(25a)的阵列并通过分段屏蔽或挡板(50)。天线(40)具有集中导体段(45)，电流通过其在一个或多个小横截面的导体中流动以产生通过高透射率屏蔽段耦合到室中的高磁场，而由大横截面导体部分或分散的小导体部分形成的交替的分散导体段(46)允许磁场经过或位于导体之间并且仅传递弱磁场，其与不可透射屏蔽部分对准并将不显著的能量耦合到等离子体。该源提供了等离子体能量分布的空间控制，其帮助了在被处理的半导体表面上等离子体处理均匀性的控制。
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公开(公告)号：CN1906729A
公开(公告)日：2007-01-31
申请号：CN200580001611.7
申请日：2005-01-18
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 乔则夫·布卡
IPC: H01J37/32
CPC classification number: H01J37/321
Abstract: 一种感应耦合等离子体源，设置有紧凑的感应元件(20)，感应元件(20)被构造成产生特别适合于加工大规模晶片(14)的空间分布的等离子体(15)。一种优选实施方式的元件(20)由片材形成，以实现紧凑并易于构造。元件(20)位于加工室(12)的电介质壁或窗口(16)之外，与电介质壁或窗口大致一致，由一个或多个层或回路(40)形成。导体提供围绕每个回路的传导路径，每个回路具有使绕每个回路的路径大于元件(20)的圆周的蜿蜒或振荡构造。该路径是通过沿元件的侧边缘的切口(30)来形成的。导体由大和小宽高比的交替部分(31－35)形成，其中宽高比被定义为横跨路径的宽度与片的厚度的比。这些部分也由片中的切口限定。较窄的部分集中电流，具有较高感应系数，将较大量的能量耦合到室中，使得产生离散的等离子体浓度环。可以通过构造感应元件的一个或多个回路使得较高感应系数、较低宽高比的部分位于离室的轴的合适半径处来产生一个或多个环。
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公开(公告)号：CN1957104A
公开(公告)日：2007-05-02
申请号：CN200580016941.3
申请日：2005-05-12
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 乔则夫·布卡
IPC: C23C14/04
CPC classification number: C23C14/046
Abstract: 描述了一种沉积系统(100)及其操作方法，该沉积系统和方法用于利用高密度等离子体在大高宽比特征结构中沉积保形金属或其他具有类似响应性的涂覆材料膜。沉积系统包括分别用于形成等离子体和将金属蒸气引入到沉积系统(100)的等离子体源(120)和分布式金属源(130)。沉积系统被配置为形成具有某一等离子体密度的等离子体并生成具有某一金属密度的金属蒸气，其中衬底附近的金属密度对等离子体密度的比值小于或等于1。该比值应当至少存在于距离衬底(114)的表面为大约20％的衬底直径的距离内。希望获得在所述衬底的整个表面基本具有± 25％的均匀性的比值。该比值对于超过1012cm－3的等离子体密度尤其有效，并且对于在具有纳米量级特征结构的衬底上沉积膜的应用尤其有效，其中最大膜厚小于特征结构宽度的一半，例如为特征结构宽度的20％。
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公开(公告)号：CN1871685A
公开(公告)日：2006-11-29
申请号：CN200480031575.4
申请日：2004-10-26
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
CPC classification number: H01J37/321
Abstract: 一种电感耦合等离子体源设置由周界离子化源(39)用于在真空室(32)中产生高密度等离子体以用于半导体晶片涂覆或刻蚀。该源包括具有高辐射段和低辐射段的分段构造，并产生在绕室周围的等离子体中能量集中的基本环形阵列。能量从分段低电感天线(40)耦合通过电介质窗(25)或窗(25a)的阵列并通过分段屏蔽或挡板(50)。天线(40)具有集中导体段(45)，电流通过其在一个或多个小横截面的导体中流动以产生通过高透射率屏蔽段耦合到室中的高磁场，而由大横截面导体部分或分散的小导体部分形成的交替的分散导体段(46)允许磁场经过或位于导体之间并且仅传递弱磁场，其与不可透射屏蔽部分对准并将不显著的能量耦合到等离子体。该源提供了等离子体能量分布的空间控制，其帮助了在被处理的半导体表面上等离子体处理均匀性的控制。
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